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    Konversionselement und strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement mit einem solchen Konversionselement
    1.
    发明专利
    Konversionselement und strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement mit einem solchen Konversionselement 未知

    公开(公告)号：DE102016101442B4

    公开(公告)日：2025-03-13

    申请号：DE102016101442

    申请日：2016-01-27

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： LÖFFLER ANDREAS ,  BAUER ADAM ,  PETER MATTHIAS ,  BINDER MICHAEL

    IPC: H10H20/851 ,  H10H20/82

    Abstract: Konversionselement (1) mit- einem aktiven Bereich (13), der mit einem Halbleitermaterial gebildet ist und eine Vielzahl von Barrieren (131) und Quantentrögen (132) umfasst,- einer Vielzahl erster Strukturelemente (14), die an einer Oberseite (1a) des Konversionselements (1) angeordnet sind, und- einer Vielzahl zweiter Strukturelemente (15) und/oder dritter Strukturelemente (16), die an einer der Vielzahl erster Strukturelemente (14) abgewandten Seite des aktiven Bereichs (13) angeordnet sind, wobei- die Vielzahl erster Strukturelemente (14) im aktiven Bereich (13) ausgebildet ist,- das Konversionselement (1) frei von elektrischen Anschlüssen ist, und- ein Durchmesser der ersten Strukturelemente (14) kleiner ist als ein Durchmesser der zweiten (15) und/oder dritten (16) Strukturelemente.

    Halbleiterlaser
    2.
    发明专利
    Halbleiterlaser 未知

    公开(公告)号：DE102015116336B4

    公开(公告)日：2020-03-19

    申请号：DE102015116336

    申请日：2015-09-28

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： VIERHEILIG CLEMENS ,  LÖFFLER ANDREAS

    IPC: H01S5/34 ,  H01S5/22

    Abstract: Halbleiterlaser (1) mit- einer Halbleiterschichtenfolge (2), die einen n-leitenden n-Bereich (21), einen p-leitenden p-Bereich (23) und eine dazwischenliegende aktive Zone (22) zur Erzeugung von Laserstrahlung umfasst,- einer elektrisch leitenden p-Kontaktschicht (3) aus einem transparenten leitfähigen Oxid zur Stromeinprägung direkt in den p-Bereich (23), und- einer elektrisch leitenden und metallischen p-Kontaktstruktur (4), die sich direkt an der p-Kontaktschicht (3) befindet, wobei- die Halbleiterschichtenfolge (2) zwei Facetten (25) aufweist, die Resonatorendflächen für die Laserstrahlung bilden,- in einem Stromschutzbereich (5) direkt an zumindest einer der Facetten (25) eine Stromeinprägung in den p-Bereich (23) unterdrückt ist,- die p-Kontaktstruktur (4) bündig mit der zugehörigen Facette (25) abschließt, sodass die p-Kontaktstruktur (4) nicht über die zugehörige Facette (25) übersteht und umgekehrt, und- in dem Stromschutzbereich (5) die p-Kontaktschicht (3) nur teilweise entfernt ist und eine Dicke der p-Kontaktschicht (3) in Richtung hin zur Facette (25) abnimmt und die p-Kontaktschicht (3) unmittelbar an der zugehörigen Facette (25) vollständig entfernt ist.

    Halbleiterlichtquelle
    7.
    发明专利
    Halbleiterlichtquelle 未知

    公开(公告)号：DE102016104602A1

    公开(公告)日：2017-09-14

    申请号：DE102016104602

    申请日：2016-03-14

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： STOJETZ BERNHARD ,  LELL ALFRED ,  EICHLER CHRISTOPH ,  LÖFFLER ANDREAS

    IPC: F21V8/00 ,  F21K9/61

    Abstract: In einer Ausführungsform umfasst die Halbleiterlichtquelle (1) einen Halbleiterlaser (2) zur Erzeugung einer Primärstrahlung (P) und ein Auskoppelelement (3). Das Auskoppelelement (3) beinhaltet einen durchgehenden Basisbereich (33) und sich von dem Basisbereich (33) weg erstreckende, starre Lichtleitersäulen (34). Die Lichtleitersäulen (34) wirken als Wellenleiter für die Primärstrahlung (P). Die Primärstrahlung (P) wird im Betrieb von dem Halbleiterlaser (2) in den Basisbereich (33) eingestrahlt, gelangt durch den Basisbereich (33) hindurch zu den Lichtleitersäulen (34) und wird von den Lichtleitersäulen (34) gerichtet abgestrahlt. Dabei beträgt ein Intensitätshalbwertswinkel des abgestrahlten Lichts und/oder der abgestrahlten Primärstrahlung (P) höchstens 90°.

    Anordnung
    8.
    发明专利
    Anordnung 未知

    公开(公告)号：DE102015109788A1

    公开(公告)日：2016-12-22

    申请号：DE102015109788

    申请日：2015-06-18

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： LÖFFLER ANDREAS ,  HAGER THOMAS ,  WALTER CHRISTOPH ,  LELL ALFRED

    IPC: H01L33/64 ,  H01L33/62 ,  H01S5/022 ,  H01S5/024

    Abstract: Die Erfindung betrifft eine Anordnung mit wenigstens einem optoelektronischen Halbleiterbauelement und einer Wärmesenke, wobei das optoelektronische Halbleiterbauelement auf der Wärmesenke angeordnet ist, wobei die Wärmesenke ausgebildet ist, Wärme aus dem optoelektronischen Halbleiterbauelement abzuführen. Die Wärmesenke weist einen Werkstoff auf, wobei der Werkstoff der Wärmesenke elektrisch leitend und thermisch leitend ist. Der Werkstoff der Wärmesenke weist Aluminium und Silizium auf.

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