公开(公告)号：DE102018101582A1

公开(公告)日：2019-07-25

申请号：DE102018101582

申请日：2018-01-24

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BRICK PETER ,  GRÖTSCH STEFAN ,  PAWLIK STEPHAN ,  WITTMANN MICHAEL ,  HILLER ULI

IPC: H01L25/16 ,  G05D25/02 ,  H05B44/00 ,  H01L25/075 ,  H01L27/15 ,  H01L33/50 ,  H05B37/02

Abstract: Es wird eine Strahlung emittierende Vorrichtung (1) angegeben umfassend- einen pixelierten optoelektronischen Halbleiterchip (2), der zur Emission einer ersten Strahlung (S1) mit einer ersten Peak-Wellenlänge (λ1) vorgesehen ist und mehrere nebeneinander angeordnete Halbleiterbereiche (20) aufweist,- ein Konversionselement (3) oder Farbsteuerungsmittel, das zur Umwandlung zumindest eines Teils der ersten Strahlung (S1) in eine zweite Strahlung (S2) mit einer zweiten Peak-Wellenlänge (A2) vorgesehen ist, und- ein Farbsteuerungselement (4), das zur adaptiven Einstellung der Farbtemperatur vorgesehen ist.

公开(公告)号：DE102018101582B4

公开(公告)日：2022-10-13

申请号：DE102018101582

申请日：2018-01-24

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BRICK PETER ,  GRÖTSCH STEFAN ,  PAWLIK STEPHAN ,  WITTMANN MICHAEL ,  HILLER ULI

IPC: H01L25/16 ,  G05D25/02 ,  H01L25/075 ,  H01L27/15 ,  H01L33/50 ,  H05B45/00 ,  H05B47/10

Abstract: Strahlung emittierende Vorrichtung (1) umfassend- einen pixelierten optoelektronischen Halbleiterchip (2), der zur Emission einer ersten Strahlung (S1) mit einer ersten Peak-Wellenlänge (λ1) vorgesehen ist und mehrere nebeneinander angeordnete Halbleiterbereiche (20) aufweist,- ein Konversionselement (3) oder Farbsteuerungsmittel, das zur Umwandlung zumindest eines Teils der ersten Strahlung (S1) in eine zweite Strahlung (S2) mit einer zweiten Peak-Wellenlänge (A2) vorgesehen ist,- ein Farbsteuerungselement (4), das eine Halbleiterdiode zur Absorption eines Teils der ersten und/oder zweiten Strahlung (S1, S2) aufweist, wobei in einem ersten Betriebszustand (I) eine Rückwärtsspannung (UR) an die Halbleiterdiode angelegt ist und Strahlung (SI) einer ersten Farbtemperatur, die sich größtenteils aus der ersten und zweiten Strahlung (S1, S2) zusammensetzt, von der Vorrichtung emittiert wird, und in einem zweiten Betriebszustand (II) eine Vorwärtsspannung (UF) an die Halbleiterdiode angelegt ist und Strahlung (SII) einer zweiten Farbtemperatur, die sich größtenteils aus der ersten und zweiten Strahlung (S1, S2) und einer durch die absorbierte erste und/oder zweite Strahlung (S1, S2) in der Halbleiterdiode erzeugten dritten Strahlung mit einer dritten Peak-Wellenlänge (λ3) zusammensetzt, von der Vorrichtung (1) emittiert wird.