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公开(公告)号：WO2014079939A2
公开(公告)日：2014-05-30
申请号：PCT/EP2013074400
申请日：2013-11-21
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： GRÖTSCH STEFAN , KIESSLING MATTHIAS , WITTMANN MICHAEL , GRUBER STEFAN
CPC classification number: H01L27/15 , H05B33/0803 , H05B33/0815 , H05B33/083
Abstract: An optoelectronic semiconductor component comprises a first functional region (1) having an active zone provided for generating radiation or for receiving radiation, and a second functional region (2), which is suitable for contributing to the driving of the first functional region (1), wherein the first functional region (1) and the second functional region (2) are integrated on the same carrier substrate (3).
Abstract translation: 的光电子半导体器件，包括用活性区，其被设置用于生成辐射或辐射接收和第二功能区域（3），其是适用于驱动所述第一功能区域（1）有助于，其中，所述第一功能区域（第一功能区域（1） 1）和第二功能区域（2）集成在同一载体衬底（3）上。
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公开(公告)号：WO2012038483A2
公开(公告)日：2012-03-29
申请号：PCT/EP2011066458
申请日：2011-09-21
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , SCHNEIDER MARKUS , RAMCHEN JOHANN , WITTMANN MICHAEL
Inventor： SCHNEIDER MARKUS , RAMCHEN JOHANN , WITTMANN MICHAEL
CPC classification number: H01L33/08 , H01L24/24 , H01L25/0753 , H01L25/167 , H01L33/54 , H01L33/56 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L2224/48227 , H01L2224/48471 , H01L2224/48479 , H01L2924/00014 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , H01L2224/48091 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/4554
Abstract: An optoelectronic semiconductor device is provided, comprising - a substrate (1), which has an upper side (11) and, opposite from the upper side (11), an underside (12); - at least one radiation-emitting semiconductor component (2) which is arranged on the upper side (11) and has a radiation-exiting area (6), through which at least part of the electromagnetic radiation of the semiconductor component (2) generated during the operation of the semiconductor component (2) leaves, and - a radiation-absorbing layer (3), which is designed to absorb ambient light impinging on the device (100) in such a way that an outer surface (101) of the device (100) that is facing away from the substrate (1) appears black, at least in certain places, wherein - the radiation-absorbing layer (3) completely encloses the radiation-emitting semiconductor component (2) in the lateral direction (L) and is in direct contact, at least in certain places, with side faces (23) of the radiation-emitting semiconductor component (2), and - the radiation-exiting area (6) is free from the radiation-absorbing layer (3).
Abstract translation: 一种光电子半导体元件被指定，包括具有上侧（11）和与上侧（11）相对的下侧（12）的支撑件（1）; - 至少一个在顶部（11），其设置（2），其具有辐射出射表面（6），通过该产生的电磁辐射的至少所述半导体元件的操作的一个部分发射辐射的半导体元件（3）离开所述半导体部件（2），以及 - 一个辐射吸收层 （3），其适于将所述部件，以吸收（100）入射的环境光，使得（1）的面向载体离部件（100）的外表面（101）出现在至少在某些地方，黑，其特征在于， - 所述辐射吸收层（3 ）发射辐射的半导体部件（2）（在横向方向L）被完全包围和（侧至少发射辐射的半导体部件（2）的面23）的地方是在直接接触，以及 - 所述辐射出射面（6）是自由的辐射吸收层（3）是 ，
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公开(公告)号：DE102018101582B4
公开(公告)日：2022-10-13
申请号：DE102018101582
申请日：2018-01-24
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： BRICK PETER , GRÖTSCH STEFAN , PAWLIK STEPHAN , WITTMANN MICHAEL , HILLER ULI
Abstract: Strahlung emittierende Vorrichtung (1) umfassend- einen pixelierten optoelektronischen Halbleiterchip (2), der zur Emission einer ersten Strahlung (S1) mit einer ersten Peak-Wellenlänge (λ1) vorgesehen ist und mehrere nebeneinander angeordnete Halbleiterbereiche (20) aufweist,- ein Konversionselement (3) oder Farbsteuerungsmittel, das zur Umwandlung zumindest eines Teils der ersten Strahlung (S1) in eine zweite Strahlung (S2) mit einer zweiten Peak-Wellenlänge (A2) vorgesehen ist,- ein Farbsteuerungselement (4), das eine Halbleiterdiode zur Absorption eines Teils der ersten und/oder zweiten Strahlung (S1, S2) aufweist, wobei in einem ersten Betriebszustand (I) eine Rückwärtsspannung (UR) an die Halbleiterdiode angelegt ist und Strahlung (SI) einer ersten Farbtemperatur, die sich größtenteils aus der ersten und zweiten Strahlung (S1, S2) zusammensetzt, von der Vorrichtung emittiert wird, und in einem zweiten Betriebszustand (II) eine Vorwärtsspannung (UF) an die Halbleiterdiode angelegt ist und Strahlung (SII) einer zweiten Farbtemperatur, die sich größtenteils aus der ersten und zweiten Strahlung (S1, S2) und einer durch die absorbierte erste und/oder zweite Strahlung (S1, S2) in der Halbleiterdiode erzeugten dritten Strahlung mit einer dritten Peak-Wellenlänge (λ3) zusammensetzt, von der Vorrichtung (1) emittiert wird.
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4.发明专利
公开(公告)号：DE102015109876A1
公开(公告)日：2016-12-22
申请号：DE102015109876
申请日：2015-06-19
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： BRANDL MARTIN , STOLL ION , WITTMANN MICHAEL
Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements umfasst Schritte zum Bereitstellen eines Leiterrahmens mit einer Oberseite, die einen Kontaktbereich und einen gegenüber dem Kontaktbereich erhabenen Chipaufnahmebereich aufweist, zum Anordnen eines elektrisch leitenden Elements auf dem Kontaktbereich, zum Einbetten des Leiterrahmens in einen Formkörper, wobei der Kontaktbereich durch den Formkörper bedeckt wird, wobei der Chipaufnahmebereich und das elektrisch leitende Element an einer Oberseite des Formkörpers zugänglich bleiben, zum Anordnen eines optoelektronischen Halbleiterchips auf dem Chipaufnahmebereich und zum Verbinden des optoelektronischen Halbleiterchips und des elektrisch leitenden Elements mittels eines Bonddrahts.
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公开(公告)号：DE102009039982A1
公开(公告)日：2011-03-10
申请号：DE102009039982
申请日：2009-09-03
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： BARTH ANDREAS , BRICK PETER , WITTMANN MICHAEL
IPC: H01L25/075 , H01L21/56 , H01L23/28 , H01L33/52
Abstract: Ein optoelektronisches Halbleiterbauelement weist einen Grundkörper (100) mit einer Aussparung (102) auf. Es weist ein erstes optoelektronisches Element (104) und ein zweites optoelektronisches Element (106) und ein oberflächenstrukturierendes Element (110) auf. Das erste optoelektronische Element (104) und das zweite optoelektronische Element (106) sind durch eine Füllmasse in die Aussparung eingebettet. Das oberflächenstrukturierende Element (10) gestaltet eine Oberfläche der Füllmasse, derart, dass wenigstens zwei gewölbte Bereiche der Oberfläche bestehen. Es wird ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Halbleiterbauelements beschrieben.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：DE102016103354A1
公开(公告)日：2017-08-31
申请号：DE102016103354
申请日：2016-02-25
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： WITTMANN MICHAEL , BRANDL MARTIN
Abstract: Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauteil mit wenigstens einem Leiterrahmenabschnitt, wobei auf dem Leiterrahmenabschnitt ein optoelektronisches Bauelement angeordnet ist, wobei wenigstens auf einer ersten Fläche des Leiterrahmens ein Moldmaterial aufgebracht und mit dem Leiterrahmenabschnitt über die erste Fläche verbunden ist, wobei der Leiterrahmenabschnitt aus einem Material besteht, und wobei ein Teil der Oberfläche des Leiterrahmenabschnittes mit einer Beschichtung versehen ist, wobei wenigstens ein erster Bereich der ersten Fläche frei von der Beschichtung ist.
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公开(公告)号：DE102014117435A1
公开(公告)日：2016-06-02
申请号：DE102014117435
申请日：2014-11-27
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： BRANDL MARTIN , STOLL ION , WITTMANN MICHAEL
IPC: H01L33/62 , H01L23/495
Abstract: Die Erfindung betrifft ein Bauteil mit wenigstens zwei Leiterrahmenabschnitten, wobei die zwei Leiterrahmenabschnitte in einem Rahmen eingebettet sind, wobei auf dem ersten Leiterrahmenabschnitt ein optoelektronisches Bauelement zum Erzeugen einer elektromagnetische Strahlung angeordnet ist, wobei der erste Leiterrahmenabschnitt eine reflektierende Oberfläche aufweist, wobei das optoelektronische Bauelement einen ersten Bereich der Oberfläche des ersten Leiterrahmenabschnittes abdeckt, wobei ein verbleibender Bereich der Oberfläche des ersten Leiterrahmenabschnitts im Wesentlichen mit einer Schicht bedeckt ist.
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公开(公告)号：DE102014103034A1
公开(公告)日：2015-09-10
申请号：DE102014103034
申请日：2014-03-07
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： RACZ DAVID , GEBUHR TOBIAS , WITTMANN MICHAEL
Abstract: Ein optoelektronisches Bauelement umfasst einen ersten Leiterrahmenabschnitt mit einer Oberseite, einen zweiten Leiterrahmenabschnitt mit einer Oberseite und einen optoelektronischen Halbleiterchip. Die Leiterrahmenabschnitte und der optoelektronische Halbleiterchip sind gemeinsam in einen Gehäusekörper mit einer Oberseite eingebettet.
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公开(公告)号：DE102012111065A1
公开(公告)日：2014-05-22
申请号：DE102012111065
申请日：2012-11-16
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： PINDL MARKUS , WITTMANN MICHAEL
IPC: H01L25/075 , H01L33/50 , H01L33/52 , H01L33/58
Abstract: Es wird ein optoelektronisches Bauelement mit einem ersten Halbleiterkörper (1), der dazu geeignet ist, elektromagnetische Strahlung eines ersten Wellenlängenbereichs auszusenden und einem zweiten Halbleiterkörper (2), der dazu geeignet ist, elektromagnetische Strahlung eines zweiten Wellenlängenbereichs auszusenden, abgegeben. Weiterhin umfasst das Bauelement einen Leuchtstoff (10), der dazu geeignet ist, elektromagnetische Strahlung des ersten Wellenlängenbereichs in elektromagnetische Strahlung eines dritten Wellenlängenbereichs umzuwandeln, wobei der Leuchtstoff (10) in einem Strahlengang (11) des ersten Halbleiterkörpers (1), und ein leuchtstofffreies Element (12), das in einem Strahlengang (13) des zweiten Halbleiterkörpers (2) platziert ist.
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公开(公告)号：DE102009015313A1
公开(公告)日：2010-09-30
申请号：DE102009015313
申请日：2009-03-27
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： BRICK PETER , WEBER-RABSILBER SVEN , WITTMANN MICHAEL
IPC: H01L33/00 , H01L25/075 , H01S5/02 , H01S5/40
Abstract: In mindestens einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils (1) umfasst dieses zumindest zwei optoelektronische Halbleiterchips (2), die dazu eingerichtet sind, im Betrieb in voneinander verschiedenen Wellenlängenbereichen eine elektromagnetische Strahlung zu emittieren. Die Halbleiterchips (2) sind auf einer Montagefläche (40) eines gemeinsamen Trägers (4) angebracht. Weiterhin beinhaltet das optoelektronische Halbleiterbauteil (1) mindestens zwei nicht rotationssymmetrisch gestaltete Linsenkörper (3), die dazu eingerichtet sind, entlang zweier zueinander orthogonalen Richtungen (H, V) parallel zur Montagefläche (40) die Strahlung in voneinander verschiedene Abstrahlwinkel (α) zu formen. Jedem der Halbleiterchips (2) ist hierbei einer der Linsenkörper (3) in einer Abstrahlrichtung (z) nachgeordnet oder zugeordnet.
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