公开(公告)号：DE102010025319A1

公开(公告)日：2011-12-29

申请号：DE102010025319

申请日：2010-06-28

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： JAEGER HARALD ,  PINDL MARKUS DR ,  ZITZLSPERGER MICHAEL DR

IPC: H01L33/60 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/0232 ,  H01L33/52 ,  H01S5/022

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines oberflächenmontierbaren Halbleiterbauelements (100) angegeben, mit zumindest den folgenden Schritten: – Bereitstellen eines Hilfsträgers (1), der mit einem Kunststoffmaterial gebildet ist; – Aufbringen zumindest eines Einlegeteils (4) und zumindest eines optoelektronischen Bauteils (3) auf eine Montagefläche (11) des Hilfsträgers (1); – Umhüllen des optoelektronischen Bauteils (3) und des Einlegeteils (4) mit einem gemeinsamen Formkörper (5), wobei – der Formkörper (5) das optoelektronische Bauteil (3) und das Einlegeteil (4) zumindest stellenweise formschlüssig bedeckt, – das optoelektronische Bauteil (3) und das Einlegeteil (4) nicht in direktem Kontakt miteinander stehen, und – das optoelektronische Bauteil (3) und das Einlegeteil (4) durch den Formkörper (5) mechanisch miteinander verbunden werden; – Entfernen des Hilfsträgers (1); – Erzeugen von einzelnen oberflächenmontierbaren Halbleiterbauelementen (100) mittels Durchtrennen des Formkörpers (5).

公开(公告)号：DE102011016566A1

公开(公告)日：2012-09-13

申请号：DE102011016566

申请日：2011-04-08

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BRANDL MARTIN ,  GEBUHR TOBIAS ,  PINDL MARKUS DR ,  SCHNEIDER ALBERT

IPC: H01L23/495 ,  H01L21/58 ,  H01L23/50 ,  H01L33/62

Abstract: Es wird ein Leiterrahmen (1) für die Herstellung einer Vielzahl optoelektronischer Bauelemente angegeben, der mindestens einen Montagebereich (2) aufweist, der eine Vielzahl von Chipmontageflächen (8) für eine Vielzahl von Halbleiterchips aufweist. Neben dem Montagebereich (2) sind an mindestens einer Hauptfläche (3, 4) des Leiterrahmens (1) eine oder mehrere Nuten (5, 6) zur Reduzierung mechanischer Spannungen in dem Leiterrahmen (1) ausgebildet, die den Leiterrahmen (1) nicht vollständig durchdringen. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl optoelektronischer Bauelemente auf einem derartigen Leiterrahmen angegeben.

公开(公告)号：DE102010021011A1

公开(公告)日：2011-11-24

申请号：DE102010021011

申请日：2010-05-21

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BEMMERL THOMAS ,  JEREBIC SIMON ,  PINDL MARKUS DR

IPC: H01L33/44

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils (1) weist dieses einen optoelektronischen Halbleiterchip (3) auf, der an einer Trägeroberseite (20) angebracht ist und der eine Strahlungshauptseite (30) aufweist. Ferner beinhaltet das Halbleiterbauteil (1) eine Abdeckschicht (4), die ein klarsichtiges Matrixmaterial (40) und darin eingebettete, reflektierende und/oder streuende Partikel (45) umfasst. Die Abdeckschichttseite (30) als auch über einen von dem Halbleiterchip (3) freigelassenen Umgebungsbereich (5) der Trägeroberseite (20) um den Halbleiterchip (3) herum. Die Abdeckschicht (4) weist über der Strahlungshauptseite (30) bevorzugt eine geringere mittlere Dicke (T) auf als über dem Umgebungsbereich (5).