Abstract:
A method for producing a multiplicity of optoelectronic semiconductor components is specified, comprising the following steps: - providing an auxiliary carrier (1), - applying a multiplicity of arrangements (20) of electrically conductive first contact elements (21) and second contact elements (22) on the auxiliary carrier (1), - applying an optoelectronic semiconductor chip (3) in each case on the second contact element (22) of each arrangement (20), - electrically conductively connecting the optoelectronic semiconductor chips (3) to the first contact elements (21) of the relevant arrangement (20), - encapsulating the first contact elements (21) and the second contact elements (22) with an encapsulation material (4), and - singulating into a multiplicity of optoelectronic semiconductor components, wherein - the encapsulation material (4) terminates flush with the underside (21b) of each first contact element (21), said underside facing the auxiliary carrier (1), and - the encapsulation material (4) terminates flush with the underside (22b) of each second contact element (22), said underside facing the auxiliary carrier (1).
Abstract:
A method for producing electrical components (408), comprising: - fixing a punched leadframe (102) in a mould (116), wherein the punched leadframe (102) has a plurality of connection areas (106), which are designed for the connection of at least one electronic element (402), and a plurality of connecting structures (108), wherein the connecting structures (108) mechanically connect a plurality of connection areas (106) to one another, - fixing a sealing frame (104) in the mould (116), wherein the sealing frame (104) entirely surrounds the punched leadframe (102), and - applying a moulding composition (400) to the punched leadframe (102) and the sealing frame (104), wherein the moulding composition (400) mechanically connects the punched leadframe (102) and the sealing frame (104).
Abstract:
The invention relates to an optical element for coupling out light and/or converting light from a light-emitting semiconductor chip (5), comprising at least one layer selected from a wavelength conversion layer (1), a diffusion layer (2), a light out-coupling layer (3), and a lens layer (7), which each have a plastic that can be processed in a compressing molding process. The invention further relates to an optoelectronic component, comprising a substrate (4) having a light-emitting semiconductor chip (5) and an optical element, and to a method for producing an optical element and an optoelectronic component.
Abstract:
The invention relates to a carrier film (200, 210, 220, 230) for accommodating a silicon element (410) in a pressing method, wherein the carrier film (200, 210, 220, 230) is surface-treated at least in a sub-area (211, 231) in such a way that the adhesive effect with respect to silicon is increased in the treated area. The invention further relates to a system comprising a surface-treated carrier film (200, 210, 220, 230) and a silicon element (410) applied to the carrier film (200, 210, 220, 230), wherein the silicon element (410) lies at least partially on the surface-treated area (211, 213).
Abstract:
Lichtemittierendes Bauteil (100), aufweisend ein lichtemittierendes Bauelement (110) und ein Gehäuse (120) mit einer Kavität (121), wobei das Gehäuse (120) ein Gehäusematerial aufweist, wobei das Gehäusematerial eine Absorption von Licht im sichtbaren Bereich von mindestens 80 Prozent aufweist, wobei die Kavität (121) durch eine Begrenzungswand (123) und eine Bauelementebene (122) (122) gebildet ist, wobei die Begrenzungswand (123) durch eine Oberfläche des Gehäuses (120) gebildet wird, wobei das lichtemittierende Bauelement (110) innerhalb der Kavität (121) des Gehäuses (120) angeordnet und oberhalb der Bauelementebene (122) platziert ist, wobei das lichtemittierende Bauelement (110) eine Emissionsseite (111) aufweist, wobei die Emissionsseite (111) der Bauelementebene (122) gegenüberliegt, wobei eine Emissionsebene durch die Emissionsseite (111) des lichtemittierenden Bauelements (110) verläuft, wobei die Kavität (121) mit einem transparenten Material (130) zumindest teilweise gefüllt ist, wobei das transparente Material (130) aus einem ersten Material (131) und einem zweiten Material (132) aufgebaut ist, wobei das erste Material (131) die Begrenzungswand (123) zumindest teilweise bedeckt, wobei das zweite Material (132) die Emissionsseite (111) zumindest teilweise bedeckt, wobei eine Grenzfläche (133) zwischen dem ersten Material (131) und dem zweiten Material (132) ausgebildet ist, wobei ein erster Brechungsindex des ersten Materials (131) kleiner ist als ein zweiter Brechungsindex des zweiten Materials (132), wobei die Grenzfläche (133) eine Krümmung aufweist, wobei durch die Krümmung ein Teil des ersten Materials (131) oberhalb der Emissionsebene des lichtemittierenden Bauelements (110) angeordnet ist, wobei die Krümmung der Grenzfläche (133) derart ausgebildet ist, dass ein von der Emissionsseite (111) ausgehender, vom lichtemittierenden Bauelement (110) ausgesendeter Lichtstrahl unter einem Winkel auf die Grenzfläche (133) trifft, und wobei der Winkel größer ist als ein Grenzwinkel für eine Totalreflexion.
Abstract:
Eine Sensorvorrichtung (10) umfasst mindestens einen Lichtemitter (12), mindestens einen Lichtdetektor (13), ein Gehäuse (25), in dem der mindestens eine Lichtemitter (12) und der mindestens eine Lichtdetektor (13) untergebracht sind, und mindestens einen Kanal (20), der einen Durchgang durch das Gehäuse (25) bildet, wobei der mindestens eine Lichtemitter (12) und der mindestens eine Lichtdetektor (13) derart angeordnet sind, dass von dem mindestens einen Lichtemitter (12) emittiertes Licht den mindestens einen Kanal (20) durchläuft und danach von dem mindestens einen Lichtdetektor (13) detektiert wird.
Abstract:
Es wird ein Verfahren zur Herstellung von seitenemittierenden Bauelementen (100) angegeben, bei dem eine Mehrzahl von Halbleiterchips (10) auf einem Hilfsträger (90) bereitgestellt wird, wobei die Halbleiterchips auf dem Hilfsträger voneinander räumlich beabstandet sind und jeweils eine Seitenfläche (13) aufweisen, die mit einer transparenten Schutzschicht (4) versehen ist. Die Halbleiterchips werden mit einer strahlungsreflektierenden Formmasse (50) bedeckt, sodass die Halbleiterchips in Draufsicht auf den Hilfsträger von der Formmasse vollständig bedeckt werden. Die Formmasse und die Halbleiterchips werden zu einer Mehrzahl von Bauelementen (100) vereinzelt, wobei die Bauelemente an der zugehörigen transparenten Schutzschicht vereinzelt werden, wodurch die Bauelemente jeweils eine Strahlungsaustrittsfläche (103) aufweisen, die durch eine Oberfläche der verbleibenden oder freigelegten transparenten Schutzschicht gebildet und von der Formmasse freigelegt ist.Des Weiteren wird ein seitenemittierendes Bauelement angegeben, das durch das hier beschriebene Verfahren herstellbar ist.
Abstract:
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen von elektronischen Bauelementen. Das Verfahren umfasst ein Bereitstellen einer Metallfolie, ein Anordnen der Metallfolie auf einem Hilfsträger, und ein Strukturieren der auf dem Hilfsträger angeordneten Metallfolie in separate Anschlusselemente. Weiter vorgesehen sind ein Ausbilden eines Formkörpers mit Ausnehmungen auf dem Hilfsträger und den Anschlusselementen, ein Anordnen von Halbleiterchips auf Anschlusselementen in den Ausnehmungen des Formkörpers, ein Entfernen des Hilfsträgers und ein Durchtrennen des Formkörpers zum Bilden von vereinzelten elektronischen Bauelementen. Die Erfindung betrifft des Weiteren ein elektronisches Bauelement.