公开(公告)号：WO2019180085A1

公开(公告)日：2019-09-26

申请号：PCT/EP2019/056968

申请日：2019-03-20

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： RÖMER, Rebecca ,  REESWINKEL, Thomas

IPC: H01L33/58 ,  H01L33/64

Abstract: Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement (100) umfassend einen Halbleiterchip (1), der zur Emission von Strahlung befähigt ist, feuchtestabile Glaspartikel (2), die im Strahlengang des Halbleiterchips (1) angeordnet sind und als Füllstoff, Streupartikel und/oder Filterpartikel verwendet werden,wobei die feuchtestabilen Glaspartikel (2) jeweils einen feuchtesensitiven Kern (3) aus einem Glasmaterial aufweisen, wobei der Kern (3) mit zumindest einer feuchtestabilen anorganischen Beschichtung (4) umhüllt ist.

公开(公告)号：WO2017174779A1

公开(公告)日：2017-10-12

申请号：PCT/EP2017/058371

申请日：2017-04-07

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： REESWINKEL, Thomas

IPC: H01L33/56 ,  H01L33/60 ,  H01L33/48 ,  H01L25/16 ,  H01L33/62

CPC classification number: H01L33/56 ,  H01L24/73 ,  H01L25/167 ,  H01L27/0248 ,  H01L33/486 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/181 ,  H01L2933/005 ,  H01L2933/0058 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2933/0091 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement, umfassend : - einen Träger aufweisend eine Chipmontagefläche, - wobei die Chipmontagefläche eine Reflexionsbeschichtung aufweist, - einen mittels eines Klebstoffs auf der Reflexionsbeschichtung geklebten optoelektronischen Halbleiterchip, so dass die Reflexionsbeschichtung in einen mittels des Halbleiterchips bedeckten ersten Teilabschnitt und in einen zweiten Teilabschnitt, der frei von dem Halbleiterchip ist, unterteilt ist, - wobei der Klebstoff Reflexionspartikel zum Reflektieren von mittels des Halbleiterchips emittierter elektromagnetischer Strahlung aufweist, - wobei der zweite Teilabschnitt zumindest teilweise mittels einer Korrosionsschutzschicht bedeckt ist. Die Erfindung betrifft ferner ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements.

Abstract translation: 光电子器件技术领域本发明涉及一种光电子器件，包括：包括芯片安装表面的保持器，芯片安装表面具有反射涂层;粘附到反射涂层的光电子半导体芯片; 使得反射涂层被分成由半导体芯片第一部分和第二部分，该部分是自由的半导体芯片，覆盖 - 其中所述粘合剂具有反射颗粒用于通过电磁辐射的半导体芯片，反映发射 - 其中所述第二部分的至少 部分被防腐层覆盖。 本发明还涉及一种用于制造光电子器件的方法

公开(公告)号：WO2020144280A1

公开(公告)日：2020-07-16

申请号：PCT/EP2020/050428

申请日：2020-01-09

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： REESWINKEL, Thomas ,  EBERHARD, Jens

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/54 ,  H01L33/56

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform umfasst das optoelektronische Bauelement (100) einen Träger (1), einen optoelektronischen Halbleiterchip (2) und eine Verkapselung (3). Der Halbleiterchip ist auf einer Montagefläche (10) des Trägers befestigt und mit dem Träger elektrisch leitend verbunden. Die Verkapselung umformt den Halbleiterchip und überdeckt die Montagefläche zumindest teilweise. Die Verkapselung umfasst eine erste Schicht (31) und eine zweite Schicht (32), wobei die erste Schicht zwischen der Montagefläche und der zweiten Schicht angeordnet ist. Die erste Schicht und die zweite Schicht basieren jeweils auf einem Silikon. Die erste Schicht und die zweite Schicht grenzen im Bereich einer Grenzfläche direkt aneinander.

公开(公告)号：WO2019025454A1

公开(公告)日：2019-02-07

申请号：PCT/EP2018/070762

申请日：2018-07-31

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： LEISEN, Daniel ,  BRUNNER, Herbert ,  DINU, Emilia ,  EBERHARD, Jens ,  KEITH, Christina ,  REESWINKEL, Thomas ,  RICHTER, Daniel

IPC: H01L33/54 ,  H01L33/56 ,  H01L33/60 ,  H01L33/50 ,  H01L33/58

CPC classification number: H01L33/54 ,  H01L33/502 ,  H01L33/56 ,  H01L33/58 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2933/005 ,  H01L2933/0058 ,  H01L2933/0091

Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements weist die folgenden Verfahrensschritte auf. Ein Träger mit einer Oberseite wird bereitgestellt. Ein optoelektronischer Halbleiterchip wird über der Oberseite des Trägers angeordnet. Weiterhin wird ein Vergussmaterial über der Oberseite des Trägers angeordnet, wobei der optoelektronische Halbleiterchip in das Vergussmaterial eingebettet wird. Das Vergussmaterial bildet eine Vergussoberfläche. Das Vergussmaterial wird an der Vergussoberfläche umgeformt, wobei an der Vergussoberfläche eine Topographie erzeugt wird. Das Umformen des Vergussmaterials an der Vergussoberfläche erfolgt durch eine Härtung der Vergussoberfläche. Mit der Härtung der Vergussoberfläche geht eine Faltung der Vergussoberfläche einher.

公开(公告)号：WO2018015441A1

公开(公告)日：2018-01-25

申请号：PCT/EP2017/068240

申请日：2017-07-19

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： REESWINKEL, Thomas ,  NINZ, Patrick

IPC: H01L33/44

Abstract: Es wird ein Plättchen (1) für ein optoelektronisches Bauelement angegeben, das ein Silikon aufweist, wobei auf zumindest einer Oberfläche des Plättchens (1) chemische Verbindungen umfassend jeweils eine Ankergruppe (3) und eine Kopfgruppe (4) vorhanden sind, und die chemischen Verbindungen mit der Ankergruppe (3) an das Silikon gebunden sind, und wobei die Adhäsion auf der zumindest einen Oberfläche durch die Kopfgruppe (4) der chemischen Verbindungen vermindert ist. Es wird weiterhin ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements angegeben, welches ein solches Plättchen (1) enthält. Es wird weiterhin das optoelektronische Bauelement angegeben.

Abstract translation: （1），其用于包含硅酮的光电子部件，其中在所述牙菌斑（1）的至少一个表面上包含各自一个锚定基团的化学化合物 （3）和头部（4）组都存在，并与锚定基团（3）的化学化合物结合到硅酮，并且其中所述的Adh＆AUML;由所述头部组件的所述至少一个表面BEAR表面上锡永（4）的化学化合物的 减少。 还提供了一种用于制造包含这种小板（1）的光电子部件的方法。 光电元件仍然是指定的。

公开(公告)号：WO2019025451A1

公开(公告)日：2019-02-07

申请号：PCT/EP2018/070757

申请日：2018-07-31

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： LEISEN, Daniel ,  BRUNNER, Herbert ,  DINU, Emilia ,  EBERHARD, Jens ,  KEITH, Christina ,  REESWINKEL, Thomas ,  RICHTER, Daniel

IPC: H01L33/22 ,  H01L33/44 ,  H01L33/52

Abstract: Bei einem Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements wird ein Träger mit einer Oberseite bereitgestellt. Über der Oberseite des Trägers wird ein optoelektronischer Halbleiterchip angeordnet. Weiterhin wird über der Oberseite des Trägers ein Vergussmaterial angeordnet, wobei der optoelektronische Halbleiterchip in das Vergussmaterial eingebettet wird. Das Vergussmaterial bildet eine Vergussoberfläche. Auf die Vergussoberfläche werden Partikel aufgesprüht, wobei ein Teil der Partikel an der Vergussoberfläche verbleibt, wobei an der Vergussoberfläche eine Topographie erzeugt wird.

公开(公告)号：WO2018037083A1

公开(公告)日：2018-03-01

申请号：PCT/EP2017/071344

申请日：2017-08-24

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： REESWINKEL, Thomas ,  SCHEICHER, Richard

IPC: H01L33/44 ,  H01L33/60

Abstract: Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement (100) aufweisend zumindest einen optoelektronischen Halbleiterchip (1), der zur Emission von Strahlung eingerichtet ist, zumindest eine metallische reflektierende Oberfläche (6), zumindest eine funktionale Komponente (7) mit einer Komponentenoberfläche (70), die von der metallischen reflektierenden Oberfläche (6) verschieden ist, einen Barriereschichtenstapel (8) zum Schutz vor korrosiven Medien, der sowohl auf der zumindest einen metallischen reflektierenden Oberfläche (6) als auch auf der Komponentenoberfläche (70) angeordnet ist, wobei der Barriereschichtenstapel (8) zumindest eine anorganische Oxid-, Oxinitrid- oder Nitridschicht (81) und zumindest eine plasmapolymerisierte Siloxanschicht (82) aufweist.

Abstract translation:

本发明涉及包含至少一种光电子半导体芯片（1），其适于辐射的发射，至少一个金属反射面BEAR表面（6）的光电元件（100），至少一个功能部件（ 7）与金属反射面BEAR的Komponentenoberfl BEAR表面（70）是不同的表面（6），适用于对抗腐蚀性介质二者至少一个金属反射表面＆AUML的，保护的阻挡层堆叠（8）;枝（6） 是枝（70），其中所述阻挡层堆叠（8）包括至少一种无机氧化物，氮氧化物或氮化物层（81）和至少一个等离子聚合硅氧烷（82）;以及在所述Komponentenoberfl＆AUML。

公开(公告)号：WO2018037035A1

公开(公告)日：2018-03-01

申请号：PCT/EP2017/071212

申请日：2017-08-23

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： REESWINKEL, Thomas ,  BOSS, Markus

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/60

CPC classification number: H01L33/60 ,  H01L33/486

Abstract: Ein optoelektronisches Bauelement umfasst ein Gehäuse, das eine durch eine umlaufende Wandung begrenzte Kavität aufweist. Zumindest ein Abschnitt der Wandung weist eine von einer ebenen Oberfläche abweichende Oberflächentopografie auf.

Abstract translation: 光电子部件包括具有由圆周壁界定的腔室的壳体。

公开(公告)号：WO2016142267A1

公开(公告)日：2016-09-15

申请号：PCT/EP2016/054547

申请日：2016-03-03

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： REESWINKEL, Thomas ,  LINDBERG, Gudrun

IPC: H01L33/44 ,  B05D1/18 ,  C08L83/00

CPC classification number: H01L33/44 ,  C08G77/385 ,  C09D183/08 ,  G02B6/4239

Abstract: Es wird eine optoelektronische Vorrichtung (1) aufweisend zumindest eine Außenoberfläche (2) mit einem Silikon (20) angegeben, wobei chemische Verbindungen, umfassend eine Ankergruppe (3) und eine Kopfgruppe (4), mit der Ankergruppe an das Silikon gebunden sind,und wobei die Adhäsion der auf der Außenoberfläche befindlichen Bereiche des Silikons (2) durch die Kopfgruppen der chemischen Verbindungen vermindert ist. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung einer optoelektronischen Vorrichtung angegeben.

Abstract translation: 本发明提供一种光电器件（1），包括至少一个外表面（2）与有机硅（20），所述含有锚固基团的化学化合物（3）和头部组（4）附接到锚定基团的硅，和 其中，位于所述外表面上的硅（2）的部分的密合性是通过化学化合物的头部基团减少。 此外，提供了用于制造光电子器件的方法。

公开(公告)号：WO2020245048A1

公开(公告)日：2020-12-10

申请号：PCT/EP2020/065021

申请日：2020-05-29

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： REESWINKEL, Thomas

IPC: H01L33/60 ,  H01L33/44

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Bauelement (100) mit einem Träger (1) und einem auf dem Träger angeordneten Halbleiterchip (2) angegeben, wobei der Träger eine Montagefläche (1M) aufweist, die mit einer Reflexionsbeschichtung (4) versehen ist. Eine Korrosionsschutzschicht (7) ist auf dem Halbleiterchip gebildet, wobei der Halbleiterchip in vertikaler Richtung zwischen der Reflexionsbeschichtung und der Korrosionsschutzschicht angeordnet ist. Die Reflexionsbeschichtung ist mit einer Barriereschicht (5) versehen, die in der vertikalen Richtung bereichsweise zwischen dem Halbleiterchip und der Reflexionsbeschichtung angeordnet ist. Die Barriereschicht ist aus einem anorganischen Material gebildet und dient als zusätzliche Korrosionsschutzschicht für die Reflexionsbeschichtung dient. Insbesondere weist die Barriereschicht (5) eine vertikale Schichtdicke auf, die zwischen einschließlich 1 nm und 100 nm ist. Außerdem weist die Korrosionsschutzschicht (7) eine vertikale Schichtdicke auf, die zwischen einschließlich 10 nm und 5000 nm ist. Des Weiteren wird ein Verfahren zur Herstellung eines Bauelements, insbesondere zur Herstellung eines solchen Bauelements angegeben.