公开(公告)号：WO2018158194A1

公开(公告)日：2018-09-07

申请号：PCT/EP2018/054684

申请日：2018-02-26

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： FRISCHEISEN, Jörg ,  EBERHARDT, Angela ,  PESKOLLER, Florian ,  HUCKENBECK, Thomas ,  SCHMIDBERGER, Michael ,  BAUER, Jürgen ,  EISERT, Dominik ,  SCHNEIDER, Albert

IPC: H01L33/50

Abstract: Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement (100) aufweisend eine Halbleiterschichtenfolge (1) mit einem aktiven Bereich, der zumindest über eine Hauptstrahlungsaustrittsfläche (11) in Betrieb Strahlung emittiert, ein freitragendes Konversionselement (2), das im Strahlengang der Halbleiterschichtenfolge (1) angeordnet ist, wobei das freitragende Konversionselement (2) ein Substrat (21) und nachfolgend eine erste Schicht (22) aufweist, wobei die erste Schicht (22) zumindest ein Konversionsmaterial (222) aufweist, das in einem Matrixmaterial (221) eingebettet ist, wobei das Matrixmaterial (221) zumindest ein kondensiertes Sol-Gel Material aufweist, wobei das kondensierte Sol-Gel Material einen Anteil zwischen 10 und 70 Vol% in der ersten Schicht (22) aufweist, wobei das Substrat (21) frei von dem Sol-Gel Material und dem Konversionsmaterial (222) ist und zur mechanischen Stabilisierung der ersten Schicht (22) dient.

公开(公告)号：WO2018158124A1

公开(公告)日：2018-09-07

申请号：PCT/EP2018/054283

申请日：2018-02-21

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： FRISCHEISEN, Jörg ,  EBERHARDT, Angela ,  PESKOLLER, Florian ,  HUCKENBECK, Thomas ,  SCHMIDBERGER, Michael ,  BAUER, Jürgen

IPC: H01L33/50

Abstract: Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement (100) aufweisend eine Halbleiterschichtenfolge (1) mit einem aktiven Bereich, der zumindest über eine Hauptstrahlungsaustrittsfläche (11) in Betrieb Strahlung emittiert, ein freitragendes Konversionselement (2), das im Strahlengang der Halbleiterschichtenfolge (1) angeordnet ist, wobei das freitragende Konversionselement (2) ein Substrat (21) und eine erste Schicht (22) aufweist, wobei die erste Schicht (22) zumindest ein Konversionsmaterial (222) aufweist, das in einer Glasmatrix (221) eingebettet ist, wobei die Glasmatrix (221) einen Anteil von 50 bis 80 Vol.-% in der ersten Schicht (22) aufweist, wobei das Substrat (21) frei von der Glasmatrix (221) und dem Konversionsmaterial (222) ist und zur mechanischen Stabilisierung der ersten Schicht (22) dient, wobei die erste Schicht (22) eine Schichtdicke von kleiner als 200 μm aufweist.