公开(公告)号：WO2010079038A1

公开(公告)日：2010-07-15

申请号：PCT/EP2009/066843

申请日：2009-12-10

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  EBERHARDT, Angela ,  SCHLENKER, Tilmann ,  PHILIPPENS, Marc ,  BEER, Ulrike ,  WIRTH-SCHOEN, Joachim ,  PESKOLLER, Florian ,  POESL, Ewald ,  HEUSER, Karsten ,  LANGER, Alfred ,  MUELLER, Martin

Inventor： EBERHARDT, Angela ,  SCHLENKER, Tilmann ,  PHILIPPENS, Marc ,  BEER, Ulrike ,  WIRTH-SCHOEN, Joachim ,  PESKOLLER, Florian ,  POESL, Ewald ,  HEUSER, Karsten ,  LANGER, Alfred ,  MUELLER, Martin

IPC: C03C27/00 ,  C03C27/10 ,  H01L51/52

CPC classification number: C03C27/06 ,  H01L51/5246 ,  H01L51/5256 ,  H01L51/5259

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines organischen optoelektronischen Bauelements angegeben mit den Schritten: A) Bereitstellen eines ersten Substrats (1) mit einem aktiven Bereich (12) und einem den aktiven Bereich (12) umgebenden ersten Verbindungsbereich (11), wobei im aktiven Bereich (12) eine organische funktionelle Schichtenfolge (3) ausgebildet ist, B) Bereitstellen eines zweiten Substrats (2) mit einem Abdeckbereich (22) und einem den Abdeckbereich (22) umgebenden zweiten Verbindungsbereich (21), C) Aufbringen einer ersten Verbindungsschicht (4) aus einem ersten Glaslotmaterial direkt auf dem zweiten Substrat (2) im zweiten Verbindungsbereich (21), D) Verglasen (91) des ersten Glaslotmaterials der ersten Verbindungsschicht (4), E) Aufbringen einer zweiten Verbindungsschicht (5) auf der verglasten ersten Verbindungsschicht (4) oder auf dem ersten Verbindungsbereich (11) des ersten Substrats (1) und F) Verbinden des ersten Substrats (1) mit dem zweiten Substrat (2) derart, dass die zweite Verbindungsschicht (5) den ersten Verbindungsbereich (11) mit der ersten Verbindungsschicht (4) verbindet. Weiterhin wird ein organisches optoelektronisches Bauelement angegeben.

Abstract translation: 提供（1）具有有源区（12第一基板）A）和围绕的有源区（12），第一连接部分（11），其中，在所述有源区：制造具备的步骤的有机光电子器件的方法 （12）形成的有机功能层序列（3），b）提供一个第二基片（2），其具有盖部（22）和所述盖部（22）围绕所述第二连接部分（21），C）沉积第一粘结层（4 ）直接（从第二基板2上的第一玻璃焊料材料）（在第二连接部21），D）的第一玻璃化（91）Glaslotmaterials施加第二粘结层，第一连接层（4）中，e）（5）的玻璃第一互连层上 （4）或在所述第一基板（1）和F）以这样的方式ð粘结第一基片（1）与上述第二基板（2）的第一连接部分（11） 屁股第二连接层（5）的连接带（4）第一连接层中的第一连接部分（11）。 此外，有机光电子装置。

公开(公告)号：WO2021244976A1

公开(公告)日：2021-12-09

申请号：PCT/EP2021/064386

申请日：2021-05-28

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： EBERHARDT, Angela ,  PESKOLLER, Florian ,  GUELDAL, Nusret Sena

IPC: H01L33/50 ,  H01L33/501

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Bauelement angegeben mit - einem Halbleiterchip (2), der im Betrieb elektromagnetische Primärstrahlung eines ersten Wellenlängenbereichs emittiert, und - einem Konversionselement (3), wobei das Konversionselement (3) ein wellenlängenkonvertierendes Material (4) und ein Matrixmaterial (5) umfasst, wobei das Matrixmaterial (5) ein Polysiloxan aufweist, welches mindestens 90 Gew%, bezogen auf das Gesamtgewicht des Matrixmaterials (5) an kondensierten Silikaten umfasst, und das kondensierte Silikat aus Siliziumatomen und Sauerstoffatomen besteht, - das Konversionselement (3) zur Emission von elektromagnetischer Sekundärstrahlung eines zweiten Wellenlängenbereichs eingerichtet ist und wobei - das Konversionselement (3) dem Halbleiterchip (2) nachgeordnet ist und zwischen dem Konversionselement (3) und dem Halbleiterchip (2) eine Haftvermittlerschicht (6) angeordnet ist und /oder - auf der dem Halbleiterchip (2) abgewandten Seite des Konversionselements (3) ein Träger (9) angeordnet ist.

公开(公告)号：WO2020178000A1

公开(公告)日：2020-09-10

申请号：PCT/EP2020/053764

申请日：2020-02-13

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SCHEICHER, Richard ,  HUETTMAYER, Thomas ,  TANGRING, Ivar ,  EBERHARDT, Angela ,  PESKOLLER, Florian

IPC: H01L33/44 ,  H01L33/48 ,  H01L33/22

Abstract: Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement (3, 10, 13, 22), umfassend: - einen ersten Fügepartner (1, 12, 17), der einen LED-Chip (4, 12, 18) mit einer strukturierten lichtemittierenden Oberfläche (4c) und einer auf die lichtemittierende Oberfläche (4c) aufgetragenen Ausgleichsschicht (4b, 19) aufweist, wobei die Ausgleichschicht (4b, 19) eine von der lichtemittierenden Oberfläche (4c) abgewandte und beabstundete Oberfläche aufweist, welche eine erste Verbindungsfläche (4a, 12a, 18a, 19a) bildet; - einen zweiten Fügepartner (2, 8, 11, 21) mit einer zweiten Verbindungsfläche (2a, 8a, 11a, 21a), wobei die beiden Verbindungsflächen (4a, 12a, 18a, 19a; 2a, 8a, 11a, 21a) einander zugewandt angeordnet sind; und - eine Verbindungsschicht (14, 20) aus einem Film niederschmelzenden Glases mit einer Schichtdicke von maximal 1 μm, welche die beiden Verbindungsflächen miteinander verbindet, dadurch gekennzeichnet, dass - die Struktur der lichtemittierenden Oberfläche (4c) in die Ausgleichsschicht (4b) eingebettet ist, und - die beiden Verbindungsflächen (4a, 12a, 18a, 19a; 2a, 8a, 11a, 21a) derart glatt sind, dass deren Oberflächenrauheit, ausgedrückt als Mittenrauwert Ra, kleiner gleich 50 nm, und vorzugsweise kleiner gleich 10 nm ist.

公开(公告)号：WO2020099460A1

公开(公告)日：2020-05-22

申请号：PCT/EP2019/081124

申请日：2019-11-13

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： FRISCHEISEN, Jörg ,  GUELDAL, Nusret Sena ,  EBERHARDT, Angela ,  MUELLER, Vesna ,  PESKOLLER, Florian ,  RABENBAUER, Pascal ,  HUCKENBECK, Thomas ,  BAUER, Jürgen

IPC: H01L33/50 ,  C09K11/02 ,  C09K11/08 ,  C09K11/55 ,  C09K11/64

Abstract: Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist ein Konversionselement umfassend: - mindestens eine Matrix umfassend mindestens eine Infiltrationsmatrix, - 10 bis 50 Vol.% mindestens eines Leuchtstoffs, - optional mindestens einen Zusatzstoff, wobei das Konversionselement eine Porosität von 0 bis 20 Vol-% aufweist. Ferner ist Gegenstand der vorliegenden Erfindung ein Verfahren zur Herstellung eines Konversionselements, sowie ein optoelektronisches Halbleiterbauelement umfassend mindestens ein erfindungsgemäßes Konversionselement.

公开(公告)号：WO2020030525A1

公开(公告)日：2020-02-13

申请号：PCT/EP2019/070795

申请日：2019-08-01

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SORG, Jörg Erich ,  SCHULZ, Roland ,  PESKOLLER, Florian ,  LENEF, Alan ,  TARRY, Christopher ,  ZHENG, Yi

IPC: H01L33/50 ,  H01L33/60

Abstract: A converter for an optoelectronic component is provided, the converter comprising a conversion element for converting the wavelength of electromagnetic radiation which passes through at least a part of the conversion element, and a reflector, wherein the reflector comprises a reflector material which comprises MgF 2 and/or aninorganic materialas a matrix material, in which a plurality of particles is embedded,a refractive index of the matrix material amounts to at least 1 and at most 2, and a refractive index of the particles amounts to at least 1.5. Furthermore, an optoelectronic component, a method for forming a converter for an optoelectronic component and a material for a reflector of an optoelectronic component are provided.

公开(公告)号：WO2018158161A1

公开(公告)日：2018-09-07

申请号：PCT/EP2018/054549

申请日：2018-02-23

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： O'BRIEN, David ,  VON MALM, Norwin ,  FRISCHEISEN, Jörg ,  EBERHARDT, Angela ,  PESKOLLER, Florian

IPC: H01L33/50 ,  H01L33/00

Abstract: Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement (100) aufweisend eine Halbleiterschichtenfolge (1) mit einem aktiven Bereich, der zumindest über eine Hauptstrahlungsaustrittsflache (11) in Betrieb Strahlung emittiert, ein Konversionselement (2), das der Hauptstrahlungsaustrittsflache (11) direkt nachgeordnet ist, wobei das Konversionselement (2) substratfrei ist und eine erste Schicht (22) aufweist, wobei die erste Schicht (22) zumindest ein Konversionsmaterial (222) aufweist, das in einem Matrixmaterial (221) eingebettet ist, wobei das Matrixmaterial (221) zumindest ein kondensiertes anorganisches Sol-Gel Material aufweist, das aus folgender Gruppe ausgewählt ist: Wasserglas, Metallphosphat, Aluminiumphosphat, Monoaluminiumphosphat, Alkoxytetramethoxysilan, Tetraethylorthosilikat, Methyltrimethoxysilan, Methyltriethoxysilan, Titanalkoxid, Kieselsol, Metallalkoxid, Metalloxan, Metallalkoxan, Metalloxid, Metallsilikate, Metallsulphate, Wolframate, wobei das kondensierte Sol-Gel Material einen Anteil zwischen 10 und 70 Vol% in der ersten Schicht aufweist.

公开(公告)号：WO2019072759A1

公开(公告)日：2019-04-18

申请号：PCT/EP2018/077313

申请日：2018-10-08

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SORG, Jörg Erich ,  KÖNIG, Harald ,  LELL, Alfred ,  PESKOLLER, Florian ,  AUEN, Karsten ,  SCHULZ, Roland ,  BRUNNER, Herbert ,  SINGER, Frank ,  HÜTTINGER, Roland

IPC: H01S5/022

CPC classification number: H01S5/02248 ,  H01S5/02 ,  H01S5/022

Abstract: In einer Ausführungsform beinhaltet der Halbleiterlaser (1) einen Träger (2) sowie eine kantenemittierende Laserdiode (3), die auf dem Träger (2) angebracht ist und die eine aktive Zone (33) zur Erzeugung einer Laserstrahlung (L) sowie eine Facette (30) mit einem Strahlungsaustrittsbereich (31) umfasst. Der Halbleiterlaser (1) weist ferner eine Schutzabdeckung (4), bevorzugt eine Linse zur Kollimation der Laserstrahlung (L), auf. Die Schutzabdeckung (4) ist mit einem Klebemittel (5) an der Facette (30) und an einer Seitenfläche (20) des Trägers (2) befestigt. Ein mittlerer Abstand zwischen einer Lichteintrittsseite (41) der Schutzabdeckung (4) und der Facette (30) beträgt höchstens 60 µm. Der Halbleiterlaser (1) ist dazu eingerichtet, in normaler Atmosphäre ohne zusätzliche gasdichte Kapselung betrieben zu werden.

公开(公告)号：WO2018158194A1

公开(公告)日：2018-09-07

申请号：PCT/EP2018/054684

申请日：2018-02-26

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： FRISCHEISEN, Jörg ,  EBERHARDT, Angela ,  PESKOLLER, Florian ,  HUCKENBECK, Thomas ,  SCHMIDBERGER, Michael ,  BAUER, Jürgen ,  EISERT, Dominik ,  SCHNEIDER, Albert

IPC: H01L33/50

Abstract: Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement (100) aufweisend eine Halbleiterschichtenfolge (1) mit einem aktiven Bereich, der zumindest über eine Hauptstrahlungsaustrittsfläche (11) in Betrieb Strahlung emittiert, ein freitragendes Konversionselement (2), das im Strahlengang der Halbleiterschichtenfolge (1) angeordnet ist, wobei das freitragende Konversionselement (2) ein Substrat (21) und nachfolgend eine erste Schicht (22) aufweist, wobei die erste Schicht (22) zumindest ein Konversionsmaterial (222) aufweist, das in einem Matrixmaterial (221) eingebettet ist, wobei das Matrixmaterial (221) zumindest ein kondensiertes Sol-Gel Material aufweist, wobei das kondensierte Sol-Gel Material einen Anteil zwischen 10 und 70 Vol% in der ersten Schicht (22) aufweist, wobei das Substrat (21) frei von dem Sol-Gel Material und dem Konversionsmaterial (222) ist und zur mechanischen Stabilisierung der ersten Schicht (22) dient.

公开(公告)号：WO2018158124A1

公开(公告)日：2018-09-07

申请号：PCT/EP2018/054283

申请日：2018-02-21

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： FRISCHEISEN, Jörg ,  EBERHARDT, Angela ,  PESKOLLER, Florian ,  HUCKENBECK, Thomas ,  SCHMIDBERGER, Michael ,  BAUER, Jürgen

IPC: H01L33/50

Abstract: Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement (100) aufweisend eine Halbleiterschichtenfolge (1) mit einem aktiven Bereich, der zumindest über eine Hauptstrahlungsaustrittsfläche (11) in Betrieb Strahlung emittiert, ein freitragendes Konversionselement (2), das im Strahlengang der Halbleiterschichtenfolge (1) angeordnet ist, wobei das freitragende Konversionselement (2) ein Substrat (21) und eine erste Schicht (22) aufweist, wobei die erste Schicht (22) zumindest ein Konversionsmaterial (222) aufweist, das in einer Glasmatrix (221) eingebettet ist, wobei die Glasmatrix (221) einen Anteil von 50 bis 80 Vol.-% in der ersten Schicht (22) aufweist, wobei das Substrat (21) frei von der Glasmatrix (221) und dem Konversionsmaterial (222) ist und zur mechanischen Stabilisierung der ersten Schicht (22) dient, wobei die erste Schicht (22) eine Schichtdicke von kleiner als 200 μm aufweist.

公开(公告)号：WO2017214464A1

公开(公告)日：2017-12-14

申请号：PCT/US2017/036652

申请日：2017-06-09

Applicant: OSRAM SYLVANIA INC. ,  OSRAM GMBH ,  OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： LENEF, Alan ,  EBERHARDT, Angela ,  PESKOLLER, Florian ,  JOHNSTON, David ,  SORG, Joerg ,  AVALLON, James ,  KELSO, John ,  RAUKAS, Madis ,  WIRTH-SCHÖN, Joachim ,  SPRENGER, Dennis

IPC: G03B21/20

Abstract: A target assembly, comprising:a dichroic coating (406) deposited on a substrate (402); a buffer layer (416) deposited on the dichroic coating (406); and a wavelength converter (408) having a bonding surface that is bonded to the buffer layer (416) by a layer of low temperature glass (410), the buffer layer (416) acting to prevent a reaction between the layer of low temperature glass (410) and the dichroic coating (406), the layer of low temperature glass (410) extending at least over an entirety of the bonding surface of the wavelength converter (408), the wavelength converter (408) comprising a phosphor for converting a primary light from an excitation source into a secondary light and the dichroic coating (406) reflecting at least 50% of the secondary light emitted by the wavelength converter (408).

Abstract translation: 一种靶组件，包括：沉积在基板（402）上的二向色涂层（406）; 沉积在二向色涂层（406）上的缓冲层（416）; 和波长转换器（408），其具有通过低温玻璃层（410）与缓冲层（416）结合的结合表面，缓冲层（416）用于防止低温玻璃层 （410）和所述二向色涂层（406），所述低温玻璃层（410）至少在所述波长转换器（408）的整个所述接合表面上延伸，所述波长转换器（408）包括磷光体， 将来自激发源的初级光转换为次级光，并且该二向色涂层（406）反射由波长转换器（408）发射的至少50％的次级光。