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    OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT MIT EINER TRANSPARENTEN VERBINDUNG ZWISCHEN ZWEI FÜGEPARTNERN UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG
    2.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT MIT EINER TRANSPARENTEN VERBINDUNG ZWISCHEN ZWEI FÜGEPARTNERN UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG 审中-公开

    公开(公告)号：WO2020178000A1

    公开(公告)日：2020-09-10

    申请号：PCT/EP2020/053764

    申请日：2020-02-13

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： SCHEICHER, Richard ,  HUETTMAYER, Thomas ,  TANGRING, Ivar ,  EBERHARDT, Angela ,  PESKOLLER, Florian

    IPC: H01L33/44 ,  H01L33/48 ,  H01L33/22

    Abstract: Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement (3, 10, 13, 22), umfassend: - einen ersten Fügepartner (1, 12, 17), der einen LED-Chip (4, 12, 18) mit einer strukturierten lichtemittierenden Oberfläche (4c) und einer auf die lichtemittierende Oberfläche (4c) aufgetragenen Ausgleichsschicht (4b, 19) aufweist, wobei die Ausgleichschicht (4b, 19) eine von der lichtemittierenden Oberfläche (4c) abgewandte und beabstundete Oberfläche aufweist, welche eine erste Verbindungsfläche (4a, 12a, 18a, 19a) bildet; - einen zweiten Fügepartner (2, 8, 11, 21) mit einer zweiten Verbindungsfläche (2a, 8a, 11a, 21a), wobei die beiden Verbindungsflächen (4a, 12a, 18a, 19a; 2a, 8a, 11a, 21a) einander zugewandt angeordnet sind; und - eine Verbindungsschicht (14, 20) aus einem Film niederschmelzenden Glases mit einer Schichtdicke von maximal 1 μm, welche die beiden Verbindungsflächen miteinander verbindet, dadurch gekennzeichnet, dass - die Struktur der lichtemittierenden Oberfläche (4c) in die Ausgleichsschicht (4b) eingebettet ist, und - die beiden Verbindungsflächen (4a, 12a, 18a, 19a; 2a, 8a, 11a, 21a) derart glatt sind, dass deren Oberflächenrauheit, ausgedrückt als Mittenrauwert Ra, kleiner gleich 50 nm, und vorzugsweise kleiner gleich 10 nm ist.

    OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS
    4.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS 审中-公开

    公开(公告)号：WO2018158161A1

    公开(公告)日：2018-09-07

    申请号：PCT/EP2018/054549

    申请日：2018-02-23

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： O'BRIEN, David ,  VON MALM, Norwin ,  FRISCHEISEN, Jörg ,  EBERHARDT, Angela ,  PESKOLLER, Florian

    IPC: H01L33/50 ,  H01L33/00

    Abstract: Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement (100) aufweisend eine Halbleiterschichtenfolge (1) mit einem aktiven Bereich, der zumindest über eine Hauptstrahlungsaustrittsflache (11) in Betrieb Strahlung emittiert, ein Konversionselement (2), das der Hauptstrahlungsaustrittsflache (11) direkt nachgeordnet ist, wobei das Konversionselement (2) substratfrei ist und eine erste Schicht (22) aufweist, wobei die erste Schicht (22) zumindest ein Konversionsmaterial (222) aufweist, das in einem Matrixmaterial (221) eingebettet ist, wobei das Matrixmaterial (221) zumindest ein kondensiertes anorganisches Sol-Gel Material aufweist, das aus folgender Gruppe ausgewählt ist: Wasserglas, Metallphosphat, Aluminiumphosphat, Monoaluminiumphosphat, Alkoxytetramethoxysilan, Tetraethylorthosilikat, Methyltrimethoxysilan, Methyltriethoxysilan, Titanalkoxid, Kieselsol, Metallalkoxid, Metalloxan, Metallalkoxan, Metalloxid, Metallsilikate, Metallsulphate, Wolframate, wobei das kondensierte Sol-Gel Material einen Anteil zwischen 10 und 70 Vol% in der ersten Schicht aufweist.

    OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL UND VERWENDUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUTEILS IN EINEM KFZ-SCHEINWERFER
    6.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL UND VERWENDUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUTEILS IN EINEM KFZ-SCHEINWERFER 审中-公开
    光电半导体器件和光电半导体元件的用在汽车大灯

    公开(公告)号：WO2011092251A2

    公开(公告)日：2011-08-04

    申请号：PCT/EP2011/051155

    申请日：2011-01-27

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  EBERHARDT, Angela ,  WIRTH-SCHÖN, Joachim ,  LANGER, Alfred

    Inventor： EBERHARDT, Angela ,  WIRTH-SCHÖN, Joachim ,  LANGER, Alfred

    IPC: H01L33/48

    CPC classification number: H01L33/483

    Abstract: In mindestens einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils (1) weist dieses einen Träger (2) und mindestens einen optoelektronischen Halbleiterchip (3) auf. Der Halbleiterchip (3) basiert auf einem anorganischen Halbleitermaterial. Ferner beinhaltet das Halbleiterbauteil (1) eine strahlungsdurchlässige Abdeckung (4), die ein Glas umfasst oder aus einem Glas besteht. Über ein Verbindungsmittel (5), das den Halbleiterchip (3) rahmenartig umgibt, ist die Abdeckung (4) mechanisch mit dem Träger (2) verbunden. Das Verbindungsmittel (5) umfasst hierbei ein Glas, ein Glaslot, ein Wasserglas und/oder einen Wasserglaskleber oder besteht aus einem oder aus mehreren der genannten Stoffe.

    Abstract translation: 在光电子半导体器件的至少一个实施例中（1）具有所述一种载体（2）和至少一个光电子半导体芯片（3）。 半导体芯片（3）是基于无机半导体材料。 此外，半导体组件（1）包括辐射透过的盖（4），它包括一个玻璃或由玻璃制成。 通过连接装置（5）包围所述半导体芯片（3）像框架，所述盖（4）机械地连接到所述载体（2）连接。 在这种情况下，所述连接装置（5）包括玻璃，玻璃焊料，水玻璃和/或水 - 玻璃粘合剂或由一个或多个所述的材料制成。

    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES ORGANISCHEN OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS UND ORGANISCHES OTPOELEKTRONISCHES BAULELEMENT
    7.
    发明申请
    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES ORGANISCHEN OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS UND ORGANISCHES OTPOELEKTRONISCHES BAULELEMENT 审中-公开
    方法用于生产有机的光电子器件和有机OTPOELEKTRONISCHES BAULELEMENT

    公开(公告)号：WO2010079038A1

    公开(公告)日：2010-07-15

    申请号：PCT/EP2009/066843

    申请日：2009-12-10

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  EBERHARDT, Angela ,  SCHLENKER, Tilmann ,  PHILIPPENS, Marc ,  BEER, Ulrike ,  WIRTH-SCHOEN, Joachim ,  PESKOLLER, Florian ,  POESL, Ewald ,  HEUSER, Karsten ,  LANGER, Alfred ,  MUELLER, Martin

    Inventor： EBERHARDT, Angela ,  SCHLENKER, Tilmann ,  PHILIPPENS, Marc ,  BEER, Ulrike ,  WIRTH-SCHOEN, Joachim ,  PESKOLLER, Florian ,  POESL, Ewald ,  HEUSER, Karsten ,  LANGER, Alfred ,  MUELLER, Martin

    IPC: C03C27/00 ,  C03C27/10 ,  H01L51/52

    CPC classification number: C03C27/06 ,  H01L51/5246 ,  H01L51/5256 ,  H01L51/5259

    Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines organischen optoelektronischen Bauelements angegeben mit den Schritten: A) Bereitstellen eines ersten Substrats (1) mit einem aktiven Bereich (12) und einem den aktiven Bereich (12) umgebenden ersten Verbindungsbereich (11), wobei im aktiven Bereich (12) eine organische funktionelle Schichtenfolge (3) ausgebildet ist, B) Bereitstellen eines zweiten Substrats (2) mit einem Abdeckbereich (22) und einem den Abdeckbereich (22) umgebenden zweiten Verbindungsbereich (21), C) Aufbringen einer ersten Verbindungsschicht (4) aus einem ersten Glaslotmaterial direkt auf dem zweiten Substrat (2) im zweiten Verbindungsbereich (21), D) Verglasen (91) des ersten Glaslotmaterials der ersten Verbindungsschicht (4), E) Aufbringen einer zweiten Verbindungsschicht (5) auf der verglasten ersten Verbindungsschicht (4) oder auf dem ersten Verbindungsbereich (11) des ersten Substrats (1) und F) Verbinden des ersten Substrats (1) mit dem zweiten Substrat (2) derart, dass die zweite Verbindungsschicht (5) den ersten Verbindungsbereich (11) mit der ersten Verbindungsschicht (4) verbindet. Weiterhin wird ein organisches optoelektronisches Bauelement angegeben.

    Abstract translation: 提供（1）具有有源区（12第一基板）A）和围绕的有源区（12），第一连接部分（11），其中，在所述有源区：制造具备的步骤的有机光电子器件的方法 （12）形成的有机功能层序列（3），b）提供一个第二基片（2），其具有盖部（22）和所述盖部（22）围绕所述第二连接部分（21），C）沉积第一粘结层（4 ）直接（从第二基板2上的第一玻璃焊料材料）（在第二连接部21），D）的第一玻璃化（91）Glaslotmaterials施加第二粘结层，第一连接层（4）中，e）（5）的玻璃第一互连层上 （4）或在所述第一基板（1）和F）以这样的方式ð粘结第一基片（1）与上述第二基板（2）的第一连接部分（11） 屁股第二连接层（5）的连接带（4）第一连接层中的第一连接部分（11）。 此外，有机光电子装置。

    OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS
    8.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS 审中-公开

    公开(公告)号：WO2021244976A1

    公开(公告)日：2021-12-09

    申请号：PCT/EP2021/064386

    申请日：2021-05-28

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： EBERHARDT, Angela ,  PESKOLLER, Florian ,  GUELDAL, Nusret Sena

    IPC: H01L33/50 ,  H01L33/501

    Abstract: Es wird ein optoelektronisches Bauelement angegeben mit - einem Halbleiterchip (2), der im Betrieb elektromagnetische Primärstrahlung eines ersten Wellenlängenbereichs emittiert, und - einem Konversionselement (3), wobei das Konversionselement (3) ein wellenlängenkonvertierendes Material (4) und ein Matrixmaterial (5) umfasst, wobei das Matrixmaterial (5) ein Polysiloxan aufweist, welches mindestens 90 Gew%, bezogen auf das Gesamtgewicht des Matrixmaterials (5) an kondensierten Silikaten umfasst, und das kondensierte Silikat aus Siliziumatomen und Sauerstoffatomen besteht, - das Konversionselement (3) zur Emission von elektromagnetischer Sekundärstrahlung eines zweiten Wellenlängenbereichs eingerichtet ist und wobei - das Konversionselement (3) dem Halbleiterchip (2) nachgeordnet ist und zwischen dem Konversionselement (3) und dem Halbleiterchip (2) eine Haftvermittlerschicht (6) angeordnet ist und /oder - auf der dem Halbleiterchip (2) abgewandten Seite des Konversionselements (3) ein Träger (9) angeordnet ist.

    OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS
    10.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS 审中-公开

    公开(公告)号：WO2018158124A1

    公开(公告)日：2018-09-07

    申请号：PCT/EP2018/054283

    申请日：2018-02-21

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： FRISCHEISEN, Jörg ,  EBERHARDT, Angela ,  PESKOLLER, Florian ,  HUCKENBECK, Thomas ,  SCHMIDBERGER, Michael ,  BAUER, Jürgen

    IPC: H01L33/50

    Abstract: Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement (100) aufweisend eine Halbleiterschichtenfolge (1) mit einem aktiven Bereich, der zumindest über eine Hauptstrahlungsaustrittsfläche (11) in Betrieb Strahlung emittiert, ein freitragendes Konversionselement (2), das im Strahlengang der Halbleiterschichtenfolge (1) angeordnet ist, wobei das freitragende Konversionselement (2) ein Substrat (21) und eine erste Schicht (22) aufweist, wobei die erste Schicht (22) zumindest ein Konversionsmaterial (222) aufweist, das in einer Glasmatrix (221) eingebettet ist, wobei die Glasmatrix (221) einen Anteil von 50 bis 80 Vol.-% in der ersten Schicht (22) aufweist, wobei das Substrat (21) frei von der Glasmatrix (221) und dem Konversionsmaterial (222) ist und zur mechanischen Stabilisierung der ersten Schicht (22) dient, wobei die erste Schicht (22) eine Schichtdicke von kleiner als 200 μm aufweist.

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