公开(公告)号：WO2019068534A1

公开(公告)日：2019-04-11

申请号：PCT/EP2018/076107

申请日：2018-09-26

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SCHWARZMAIER, Christoph ,  MANDL, Martin ,  WALTER, Robert ,  STIEGLMEIER, Roland ,  SCHMAL, Michael

IPC: H01L33/40 ,  H01L33/42 ,  H01L33/00

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements (100) mit den Schritten: A) Bereitstellen einer Halbleiterschichtenfolge (1) auf einem Träger (7), wobei die Halbleiterschichtenfolge (1) zur Strahlungsemission eingerichtet ist, wobei die Halbleiterschichtenfolge (1) mindestens eine n-dotierte Halbleiterschicht (11), mindestens eine p-dotierte Halbleiterschicht (12) und eine zwischen den n- und p-dotierten Halbleiterschichten (11, 12) angeordnete aktive Schicht (13) aufweist, B) Aufbringen einer Kontaktschicht (3) direkt auf die Halbleiterschichtenfolge (1), die die Diffusion des Materials einer Spiegelschicht (4) verhindert oder vermindert, wobei die Kontaktschicht (3) eine Schichtdicke von maximal 10 nm aufweist, C) Aufbringen der Spiegelschicht (4) direkt auf die Kontaktschicht (3), und D) Aufbringen einer Barriereschicht (5) direkt auf die Spiegelschicht (4).