公开(公告)号：WO2018109193A1

公开(公告)日：2018-06-21

申请号：PCT/EP2017/083114

申请日：2017-12-15

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PLÖSSL, Andreas ,  VON MALM, Norwin ,  SCHOLZ, Dominik ,  SCHWARZMAIER, Christoph ,  BEHRINGER, Martin Rudolf ,  PFEUFFER, Alexander F.

IPC: H01L33/00 ,  H01L27/00

Abstract: Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens zur Herstellung eines Halbleiterbauelements umfasst das Verfahren einen Verfahrensschritt,bei dem ein Hilfsträger mit einem ersten lateralen thermischen Ausdehnungskoeffizienten an einer ersten Seite eines Halbleiterkörpers aufgebracht wird. Weiter umfasst das Verfahren einen Verfahrensschritt, bei dem ein Anschlussträger mit einem zweiten lateralen thermischen Ausdehnungskoeffizienten an einer zweiten Seite des Halbleiterkörpers, welche dem Hilfsträger abgewandt ist, aufgebracht wird. Dabei wird der Halbleiterkörper auf einem Aufwachssubstrat, welches verschieden vom Hilfsträger ist, aufgewachsen,der erste und der zweite laterale thermische Ausdehnungskoeffizient unterscheiden sich um höchstens 50% und das Aufwachssubstrat (30) wird vor dem Aufbringen des Hilfsträgers (40) entfernt.

公开(公告)号：WO2019068534A1

公开(公告)日：2019-04-11

申请号：PCT/EP2018/076107

申请日：2018-09-26

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SCHWARZMAIER, Christoph ,  MANDL, Martin ,  WALTER, Robert ,  STIEGLMEIER, Roland ,  SCHMAL, Michael

IPC: H01L33/40 ,  H01L33/42 ,  H01L33/00

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements (100) mit den Schritten: A) Bereitstellen einer Halbleiterschichtenfolge (1) auf einem Träger (7), wobei die Halbleiterschichtenfolge (1) zur Strahlungsemission eingerichtet ist, wobei die Halbleiterschichtenfolge (1) mindestens eine n-dotierte Halbleiterschicht (11), mindestens eine p-dotierte Halbleiterschicht (12) und eine zwischen den n- und p-dotierten Halbleiterschichten (11, 12) angeordnete aktive Schicht (13) aufweist, B) Aufbringen einer Kontaktschicht (3) direkt auf die Halbleiterschichtenfolge (1), die die Diffusion des Materials einer Spiegelschicht (4) verhindert oder vermindert, wobei die Kontaktschicht (3) eine Schichtdicke von maximal 10 nm aufweist, C) Aufbringen der Spiegelschicht (4) direkt auf die Kontaktschicht (3), und D) Aufbringen einer Barriereschicht (5) direkt auf die Spiegelschicht (4).

公开(公告)号：WO2018172368A1

公开(公告)日：2018-09-27

申请号：PCT/EP2018/057049

申请日：2018-03-20

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： WEISS, Guido ,  SCHWARZMAIER, Christoph ,  SCHOLZ, Dominik ,  HEITZER, Nicole

IPC: H01L33/46 ,  H01L33/62

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements umfassend die Verfahrensschritte: A) Bereitstellen eines Halbleiterchips (1) mit einem aktiven Bereich (11), der zur Strahlungsemission eingerichtet ist, B) Aufbringen einer Keimschicht (4) auf den Halbleiterchip (1), wobei die Keimschicht (4) ein erstes Metall und ein von dem ersten Metall verschiedenes zweites Metall aufweist, wobei das zweite Metall unedler als das erste Metall ist, C) Aufbringen einer strukturierten Fotolackschicht (9) direkt auf die Keimschicht (4), und D) Aufbringen einer Lotschicht (10) zumindest auf Bereiche der Keimschicht (4), die nicht von der Fotolackschicht (9) bedeckt sind, wobei das Verhältnis erstes Metall zu zweitem Metall zwischen 95:5 bis 99:1 in der Keimschicht (4) ist.