公开(公告)号：WO2015177131A1

公开(公告)日：2015-11-26

申请号：PCT/EP2015/060972

申请日：2015-05-19

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MANDL, Martin ,  SCHIMPKE, Tilman

IPC: H01L33/18 ,  H01L33/24 ,  H01L21/304 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L29/0657 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3083 ,  H01L29/20 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/08 ,  H01L33/18 ,  H01L33/22 ,  H01L33/24 ,  H01L2933/0016

Abstract: Es wird ein Verfahren zur lateralen Strukturierung einer Strukturschicht (2) mit einer Mehrzahl von dreidimensionalen Strukturelementen (20) angegeben, umfassend die Schritte: a) Bereitstellen der Strukturschicht mit den dreidimensionalen Strukturelementen; b) Ausbilden einer lateral strukturierten Abdeckschicht (3) auf der Strukturschicht zum Festlegen zumindest eines zu entfernenden Bereichs (4) der Strukturschicht; und c) Entfernen des zu entfernenden Bereichs der Strukturschicht mittels einer auf die Strukturelemente in dem zu entfernenden Bereich einwirkenden Kraft. Weiterhin wird ein Halbleiterbauelement (1) angegeben.

Abstract translation: 本发明提供了一种用于具有多个三维结构元件（20）的结构层（2）的横向结构，其包括以下步骤：a）提供具有三维结构元件的结构层; b）中，用于固定至少一个区域形成结构层上的横向结构化覆盖层（3）被除去（4）的结构的层构成; 和c）除去的区域通过作用于在电领域中的结构元件上的力的装置中除去该结构层的被移除。 此外，半导体组件（1）中指定。

公开(公告)号：WO2017140615A1

公开(公告)日：2017-08-24

申请号：PCT/EP2017/053133

申请日：2017-02-13

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： VARGHESE, Tansen ,  AVRAMESCU, Adrian Stefan ,  SCHIMPKE, Tilman ,  MANDL, Martin

IPC: H01L33/18 ,  H01L33/24 ,  H01L33/38 ,  H01L33/42 ,  H01L33/08 ,  H01L33/14 ,  H01L33/44

CPC classification number: H01L33/18 ,  H01L33/08 ,  H01L33/145 ,  H01L33/24 ,  H01L33/385 ,  H01L33/42 ,  H01L33/44

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (20) beschrieben, das ein Substrat (1), eine Vielzahl nebeneinander angeordneter aktiver Bereiche (10, die vorzugsweise Mikro- oder Nanostäbe sind) und eine Stromaufweitungsschicht (4) aufweist, welche die aktiven Bereiche (10) zumindest teilweise bedeckt und elektrisch miteinander verbindet. Die aktiven Bereiche (10) sind zumindest teilweise beabstandet zueinander angeordnet und weisen eine Haupterstreckungsrichtung (z), einen Kernbereich (11), eine strahlungsemittierende Schicht (12) und eine Deckschicht (13) auf. Die strahlungsemittierende Schicht (12) bedeckt den Kernbereich (11) zumindest in Richtungen quer zur Haupterstreckungsrichtung (z) des aktiven Bereichs (10). Die Deckschicht (13) bedeckt die strahlungsemittierende Schicht (12) zumindest in Richtungen quer zur Haupterstreckungsrichtung (z) des aktiven Bereichs (10). Die aktiven Bereiche (10) weisen an einer vom Substrat (1) abgewandten Seite Oberseitenbereiche (14) auf, die nicht mit der Stromaufweitungsschicht (4) elektrisch leitend verbunden sind. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung des optoelektronischen Halbleiterbauelements (20) angegeben.

Abstract translation:

下面将描述包含在衬底的光电子半导体器件（20）（1）中，由侧有源区域中的多个边的（10，优选微或Nanost BEAR是是），并且电流扩展层（4） 其至少部分覆盖并电连接有源区（10）。 有源区（10）被布置成彼此至少部分地隔开，并具有主延伸方向（z），核心区域（11），一个辐射发射层（12）和覆盖层（13）。 辐射发射层（12）至少在横向于有源区（10）的主延伸方向（z）的方向上覆盖芯区（11）。 覆盖层（13）至少在横向于有源区（10）的主延伸方向（z）的方向上覆盖辐射发射层（12）。 有源区（10）在没有电连接到电流扩展层（4）的顶侧部分（14）上具有远离衬底（1）的一侧。 此外，指定了用于制造光电子半导体部件（20）的方法

公开(公告)号：WO2013107737A1

公开(公告)日：2013-07-25

申请号：PCT/EP2013/050665

申请日：2013-01-15

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： STRASSBURG, Martin ,  CALLEJA-PARDO, Enrique ,  ALBERT, Steven ,  BENGOECHEA ENCABO, Ana Maria ,  SANCHEZ-GARCIA, Miguel Angel ,  MANDL, Martin ,  KÖLPER, Christopher

IPC: H01L33/08 ,  H01L33/32 ,  H01L33/20

CPC classification number: H01L33/0075 ,  H01L27/153 ,  H01L33/06 ,  H01L33/08 ,  H01L33/18 ,  H01L33/32

Abstract: A light-emitting diode chip comprising: - a semiconductor body (1) having a plurality of active regions (2), wherein - at least one of the active regions (2) has at least two subregions (21...28), - the active region (2) has at least one barrier region (3) arranged between two adjacent subregions (21...28) of said at least two subregions (21...28), - the at least two subregions (21...28) emit light of mutually different colour during operation of the light- emitting diode chip, - in at least one of the subregions (21...28) the emission of light is generated electrically, and - the barrier region (3) is configured to hinder a thermally activated redistribution of charge carriers between the two adjacent subregions (21...28), is specified.

Abstract translation: 一种发光二极管芯片，包括：具有多个有源区（2）的半导体本体（1），其中至少一个有源区（2）具有至少两个子区（21 ... 28） - 所述有源区域（2）具有至少一个屏障区域（3），所述至少一个屏障区域（3）布置在所述至少两个子区域（21 ... 28）的两个相邻子区域（21 ... 28）之间， - 所述至少两个子区域 ... 28）在发光二极管芯片的操作期间发射彼此不同的颜色的光， - 在至少一个子区域（21 ... 28）中，光的发射被电气产生，并且 - 屏障区域 3）被配置为阻止两个相邻子区域（21 ... 28）之间的电荷载流子的热激活重新分配。

公开(公告)号：WO2019068534A1

公开(公告)日：2019-04-11

申请号：PCT/EP2018/076107

申请日：2018-09-26

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SCHWARZMAIER, Christoph ,  MANDL, Martin ,  WALTER, Robert ,  STIEGLMEIER, Roland ,  SCHMAL, Michael

IPC: H01L33/40 ,  H01L33/42 ,  H01L33/00

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements (100) mit den Schritten: A) Bereitstellen einer Halbleiterschichtenfolge (1) auf einem Träger (7), wobei die Halbleiterschichtenfolge (1) zur Strahlungsemission eingerichtet ist, wobei die Halbleiterschichtenfolge (1) mindestens eine n-dotierte Halbleiterschicht (11), mindestens eine p-dotierte Halbleiterschicht (12) und eine zwischen den n- und p-dotierten Halbleiterschichten (11, 12) angeordnete aktive Schicht (13) aufweist, B) Aufbringen einer Kontaktschicht (3) direkt auf die Halbleiterschichtenfolge (1), die die Diffusion des Materials einer Spiegelschicht (4) verhindert oder vermindert, wobei die Kontaktschicht (3) eine Schichtdicke von maximal 10 nm aufweist, C) Aufbringen der Spiegelschicht (4) direkt auf die Kontaktschicht (3), und D) Aufbringen einer Barriereschicht (5) direkt auf die Spiegelschicht (4).

公开(公告)号：WO2017055215A1

公开(公告)日：2017-04-06

申请号：PCT/EP2016/072854

申请日：2016-09-26

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HARTMANN, Rainer ,  MANDL, Martin ,  KATZ, Simeon ,  RÜCKERL, Andreas

IPC: H01L31/00 ,  H01L33/00 ,  H01L33/38 ,  H01L33/44

CPC classification number: H01L33/0079 ,  H01L31/00 ,  H01L33/382 ,  H01L33/387 ,  H01L33/44 ,  H01L2933/0025

Abstract: Ein optoelektronischer Halbleiterchip (1), insbesondere in der Form eines Dünnfilmchips, umfasst einen Träger (5), sowie eine Chipvorderseite, eine Chiprückseite (52) und einen auf dem Träger (5) angeordneten Halbleiterkörper (2) mit einer Halbleiterschichtenfolge. Die Halbleiterschichtenfolge umfasst einen aktiven Bereich (20), der zwischen einer ersten Halbleiterschicht (21) und einer zweiten Halbleiterschicht (22) angeordnet ist. Dieser dient zur Erzeugung oder zum Empfangen von elektromagnetischer Strahlung. Die erste Halbleiterschicht (21) ist elektrisch leitend mit einem ersten Kontakt (41) verbunden, wobei der erste Kontakt (41) an der Chipvorderseite, insbesondere neben dem aktiven Bereich (20), ausgebildet ist. Die zweite Halbleiterschicht (22) ist elektrisch leitend mit einem zweiten Kontakt (42) verbunden und der zweite Kontakt (42) ist ebenfalls an der Chipvorderseite, insbesondere neben dem aktiven Bereich (20), ausgebildet. Eine elektrisch isolierende Trennschicht (6) ist zwischen elektrischer Anschlussschicht (31) und Träger (5) oder innerhalb des Trägers ausgebildet.

Abstract translation: 的光电子半导体芯片（1），特别是在薄膜芯片的形式，包括一个支撑件（5），和一个芯片前表面上，所述芯片（52）的背面和（2），其具有半导体层序列（5）半导体本体在载体上布置成一个。 半导体层序列包括第一半导体层（21）和被布置在第二半导体层（22）之间的有源区（20）。 这用于产生或接收电磁辐射。 在第一半导体层（21）是导电的第一触点（41），其中，在形成第一接触（41）在芯片前侧，特别是邻近于所述有源区（20）。 所述第二半导体层（22）导电地连接到一个第二触头（42）和第二接触（42）还对芯片前侧，特别是邻近于所述有源区（20）形成。 所述电连接层（31）和支撑件（5）或在载体内形成之间的电气绝缘隔离层（6）。

公开(公告)号：WO2014016299A1

公开(公告)日：2014-01-30

申请号：PCT/EP2013/065516

申请日：2013-07-23

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PFEUFFER, Alexander F. ,  MANDL, Martin

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/50

CPC classification number: H01L33/504 ,  H01L27/156 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/58 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2933/0058

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines mehrfarbigen LED- Displays (10) angegeben, daseine LED-Leuchteinheit (4) mit einer mit Vielzahl von Pixeln (5) aufweist. Erste Subpixel (B), zweite Subpixel (G) und dritte Subpixel (R) enthalten jeweils einen LED-Chip (3) zur Emission von Strahlung einer ersten Farbe,wobei zumindest über den zweiten Subpixeln (G) eine erste Konversionsschicht (1) zur Konversion der Strahlung in einezweite Farbe und über den dritten Subpixeln (R) eine zweite Konversionsschicht (2) zur Konversion der Strahlung in einedritte Farbe angeordnet wird. Dabei wird jeweils mindestens ein Prozessschrittdurchgeführt, bei dem die erste (1) oder zweite Konversionsschicht (2) in mindestens einemdefinierten Bereich über den Pixeln (5) aufgebracht oder entfernt wird, wobeiein Teil der LED-Chips (3) elektrisch betrieben wird, und wobei der Bereich durch die von den betriebenen LED-Chips (3) erzeugte Strahlung (6), eine erzeugte Wärme oder ein erzeugtes elektrisches Feld definiert wird.

Abstract translation: 提供了一种用于产生多颜色的LED显示器（10）的方法，daseine LED照明单元（4）具有与多个像素（5）。 第一子像素（B），第二子像素（G），和第三子像素（R），每个包括LED芯片为第一颜色的辐射的发射，至少通过第二子像素（G）的第一转换层（3）（1），用于 在第二颜色的辐射和所述第三子像素（R），第二转换层（2）的转换被布置用于在一个第三颜色的辐射的转换。 在每一种情况下，至少一个工艺步骤中进行，其中第一（1）或第二转换层（2）在至少一个定义的区域被施加在像素（5）或离开，其特征在于，所述LED芯片（3）的一部分被电操作，并且其中 由从动芯片LED（3）所产生的辐射场（6），产生或产生的电场的热被定义。

公开(公告)号：WO2016128158A1

公开(公告)日：2016-08-18

申请号：PCT/EP2016/050388

申请日：2016-01-11

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： LEHNHARDT, Thomas ,  MANDL, Martin

IPC: H01L33/08

CPC classification number: H01L33/08 ,  H01L27/153 ,  H01L33/14 ,  H01L33/24 ,  H01L33/38 ,  H01L33/50

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement angegeben mit einer Vielzahl von Strahlungserzeugungselementen (14), die beabstandet voneinander auf einer Oberfläche (22) eines Trägerelements (20) angeordnet sind, wobei jedes der Strahlungserzeugungselemente in einer Richtung senkrecht zur Oberfläche des Trägerelements einen Durchmesser von weniger als 10 µm aufweist und im Bereich jeweils einer Verbindungsstelle (26) an der Oberfläche des Trägerelements haftet und wobei das optoelektronische Halbleiterbauelement frei von einem Aufwachssubstrat (2) ist.

Abstract translation: 它是一个承载元件（20）的表面（22）上彼此间隔开的多个辐射产生元件（14）中指定的光电子半导体器件被布置中，每个垂直于所述支撑构件的表面的方向上的辐射产生元件具有一个直径小于10 具有微米和在每种情况下的范围中的支撑元件的表面上的连接点（26）附着，并且其中来自生长衬底自由的光电子半导体器件（2）。

公开(公告)号：WO2015091754A1

公开(公告)日：2015-06-25

申请号：PCT/EP2014/078404

申请日：2014-12-18

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  OSRAM GMBH

Inventor： STRASSBURG, Martin ,  MANDL, Martin ,  SCHIMPKE, Tilman ,  STOLL, Ion ,  HUCKENBECK, Barbara ,  ZWASCHKA, Franz ,  BICHLER, Daniel

IPC: H01L33/08 ,  H01L33/50 ,  H01L33/24 ,  H01L27/15

CPC classification number: H01L33/502 ,  H01L27/156 ,  H01L33/08 ,  H01L33/24 ,  H01L33/32 ,  H01L33/504 ,  H01L33/505 ,  H01L33/56 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2933/005 ,  H01L2933/0091

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauteil mit einer Vielzahl aktiver Bereiche (1) angegeben, die zur Erzeugung von Primärstrahlung eingerichtet sind, wobei LeuchtstoffPartikel (6, 6a, 6b) zwischen den aktiven Bereichen (1) angeordnet sind.

Abstract translation: 它是具有多个（1）所示的有效区域被布置为产生初级辐射的光电子半导体器件，所述磷光体颗粒（6，6A，6B）设置在所述有源区域（1）之间。

公开(公告)号：WO2014173820A1

公开(公告)日：2014-10-30

申请号：PCT/EP2014/057933

申请日：2014-04-17

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： RISTIC, Jelena ,  STRASSBURG, Martin ,  MANDL, Martin ,  LELL, Alfred

IPC: H01L33/24 ,  H01L27/15

CPC classification number: H01S5/2077 ,  H01L25/0753 ,  H01L27/156 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/06 ,  H01L33/14 ,  H01L33/18 ,  H01L33/24 ,  H01L33/32 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0033 ,  H01S5/18 ,  H01S5/183 ,  H01S5/4025 ,  H01S5/405 ,  H01S5/42 ,  H01L2924/00

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Anordnung, ein Array von Anordnungen und eine Anordnung (1) mit einer säulenartigen Struktur (5), die mit einem Ende auf einem Substrat (2) angeordnet ist, wobei die Struktur (5) mit einer Halbleiterschichtstruktur (6) mit einer aktiven Zone (7) zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung bedeckt ist, wobei die aktive Zone (7) eine Bandlücke für eine strahlende Rekombination aufweist, wobei die aktive Zone (7) in der Weise ausgebildet ist, dass die Bandlücke in Richtung eines freien Endes (25) der Struktur (5) abnimmt, so dass eine Diffusion von Ladungsträgern in Richtung des freien Endes (25) der Struktur (5) und eine strahlende Rekombination von Ladungsträgerpaaren im Bereich des freien Endes (25) der Struktur (5) unterstützt wird.

Abstract translation: 本发明涉及一种制造具有被布置成与一个端部的基板上的柱状结构（5）的设备，组件的阵列和装置（1）的方法，（2），所述结构（5）与半导体层结构 （6）用活性区（7）覆盖，用于产生电磁辐射，其中具有用于辐射复合，其中，所述有源区（7）被设计为这样的方式的带隙的有源区（7），其带隙在 朝向所述结构（5）的自由端（25）减小，从而使电荷载流子在结构（5）和电荷载体对在该结构的自由端（25）的区域中的辐射复合的自由端（25）的方向（扩散 支持5）。

公开(公告)号：WO2014053445A1

公开(公告)日：2014-04-10

申请号：PCT/EP2013/070352

申请日：2013-09-30

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： VON MALM, Norwin ,  MANDL, Martin ,  PFEUFFER, Alexander F. ,  GÖÖTZ, Britta

IPC: H01L27/15 ,  H01L25/075

CPC classification number: H01L27/156 ,  H01L25/0753 ,  H01L29/66568 ,  H01L29/78 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12 ,  H01L33/507 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2933/0091 ,  H01L2924/00

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform ist das Verfahren zur Herstellung eines Leuchtdioden-Displays (1) eingerichtet. Das Verfahren umfasst die folgenden Schritte: • A) Bereitstellen eines Aufwachssubstrats (2), • B) Aufbringen einer Pufferschicht (4) mittelbar oder unmittelbar auf eine Substratoberseite (20), • C) Erzeugen einer Vielzahl von separaten Anwachspunkten (45) auf oder an der Pufferschicht (4), • D) Erzeugen von einzelnen, strahlungsaktiven Inseln (5), ausgehend von den Anwachspunkten (45), wobei die Inseln (5) jeweils eine anorganische Halbleiterschichtenfolge (50) mit mindestens einer aktiven Zone (55) umfassen und ein mittlerer Durchmesser der Inseln (5), in Draufsicht auf die Substratoberseite (20) gesehen, zwischen einschließlich 50 nm und 20 μm liegt, und • E) Verschalten der Inseln (5) mit Transistoren (6) zu einer elektrischen Ansteuerung der Inseln (5).

Abstract translation: 在至少一个实施例中，建立一种用于制造发光二极管显示器（1）的方法。 该方法包括以下步骤：•A）提供生长衬底（2），•B）施加的缓冲层（4）直接或间接地（上生成多个单独的Anwachspunkten（45一上基板侧20），•C））或 缓冲层（4）上，•D）生成单辐射有源岛（5）中，从Anwachspunkten（45）开始，所述岛屿（5）各自包括无机半导体层序列（50）与至少一个有源区（55） 看到和岛屿（5）的平均直径，在基板上侧（20）的俯视图，50纳米和20微米之间，并且•E）岛（5）与晶体管（6）互连到所述岛的电激活 （5）。