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公开(公告)号：KR20180055922A
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：KR20187013663
申请日：2012-04-26
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： MAUTE MARKUS , ENGL KARL , TAEGER SEBASTIAN , WALTER ROBERT , STOCKER JOHANNES
CPC classification number: H01L33/46 , H01L33/06 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/382 , H01L33/405 , H01L33/42 , H01L33/60 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 본발명은반도체물질로이루어진반도체바디(1), p-콘택층(21a) 및 n-콘택층(2)을포함하는광전반도체칩(10)에관한것이다. 반도체바디(1)는복사를생성하기위해제공된활성층(1a)을포함한다. 반도체바디는 p-면(1c)과 n-면(1b)을포함하고, 상기면들사이에활성층(1a)이배치된다. p-콘택층(21a)은 p-면(1c)의전기접촉을위해제공된다. n-콘택층(2)은 n-면(1b)의전기접촉을위해제공된다. n-콘택층(2)은 TCO 층(2a)과거울층(2b)을포함하고, 이경우 TCO 층(2a)은반도체바디(1)의 n-면(1b)과거울층(2b) 사이에배치된다.
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公开(公告)号：DE102011102376A1
公开(公告)日：2012-11-29
申请号：DE102011102376
申请日：2011-05-25
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： MAUTE MARKUS , TAEGER SEBASTIAN , ENGL KARL , WALTER ROBERT , STOCKER JOHANNES
IPC: H01L33/40
Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (10) angegeben, der einen Halbleiterkörper (1) aus Halbleitermaterial, eine p-Kontaktschicht (21a) und eine n-Kontaktschicht (2) umfasst. Der Halbleiterkörper (1) weist eine zur Strahlungserzeugung vorgesehene aktive Schicht (1a) auf. Der Halbleiterkörper weist eine p-Seite (1c) und eine n-Seite (1b) auf, zwischen denen die aktive Schicht (1a) angeordnet ist. Die p-Kontaktschicht (21a) ist zur elektrischen Kontaktierung der p-Seite (1c) vorgesehen. Die n-Kontaktschicht (2) ist zur elektrischen Kontaktierung der n-Seite (1b) vorgesehen und enthält eine TCO-Schicht (2a).
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公开(公告)号：WO2012159615A3
公开(公告)日：2013-05-23
申请号：PCT/DE2012100118
申请日：2012-04-26
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , MAUTE MARKUS , ENGL KARL , TAEGER SEBASTIAN , WALTER ROBERT , STOCKER JOHANNES
Inventor： MAUTE MARKUS , ENGL KARL , TAEGER SEBASTIAN , WALTER ROBERT , STOCKER JOHANNES
CPC classification number: H01L33/46 , H01L33/06 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/382 , H01L33/405 , H01L33/42 , H01L33/60 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: The invention relates to an optoelectronic semiconductor chip (10), which comprises a semiconductor body (1) made of semiconductor material, a p-contact layer (21a) and an n-contact layer (2). The semiconductor body (1) comprises an active layer (1a) provided for generating radiation. The semiconductor body has a p-side (1c) and an n-side (1b), between which the active layer (1a) is arranged. The p-contact layer (21a) is provided for electrical contacting of the p-side (1c). The n-contact layer (2) is provided for electrical contacting of the n-side (1b). The n-contact layer (2) contains a TCO layer (2a) and a mirror layer (2b), wherein the TCO layer (2a) is arranged between the n-side (1b) of the semiconductor body (1) and the mirror layer (2b).
Abstract translation: 提供了一种光电子半导体芯片（10），包括半导体材料的半导体主体（1），p型接触层（21a）和一个n型接触层（2）。 半导体本体（1）具有用于产生辐射活性层（LA）中的开口。 该半导体主体包括一p侧（1c）和n侧（1b）中，活性层（LA）被布置在它们之间。 p接触层（21a）的电接触的p侧（1c）中被提供。 提供了一种用于在n侧（1b）的电接触n型接触层（2）。 的n型接触层（2）含有（1b）的（2b）中设置在所述半导体主体（1）和镜层的n侧之间的TCO层（2a）和镜面层（2b）中，其中，所述TCO层（2a）的 是。
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公开(公告)号：DE102011109942A1
公开(公告)日：2013-02-14
申请号：DE102011109942
申请日：2011-08-10
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： MAUTE MARKUS , ENGL KARL , TAEGER SEBASTIAN , WALTER ROBERT , STOCKER JOHANNES
IPC: H01L33/60
Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (10) angegeben, der einen Halbleiterkörper (1) aus Halbleitermaterial, eine p-Kontaktschicht (21a) und eine n-Kontaktschicht (2) umfasst. Der Halbleiterkörper (1) weist eine zur Strahlungserzeugung vorgesehene aktive Schicht (1a) auf. Der Halbleiterkörper weist eine p-Seite (1c) und eine n-Seite (1b) auf, zwischen denen die aktive Schicht (1a) angeordnet ist. Die p-Kontaktschicht (21a) ist zur elektrischen Kontaktierung der p-Seite (1c) vorgesehen. Die n-Kontaktschicht (2) ist zur elektrischen Kontaktierung der n-Seite (1b) vorgesehen und enthält eine TCO-Schicht (2a).
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