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    OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP
    4.
    发明申请
    OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP 审中-公开
    光电子半导体芯片

    公开(公告)号：WO2012159615A3

    公开(公告)日：2013-05-23

    申请号：PCT/DE2012100118

    申请日：2012-04-26

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  MAUTE MARKUS ,  ENGL KARL ,  TAEGER SEBASTIAN ,  WALTER ROBERT ,  STOCKER JOHANNES

    Inventor： MAUTE MARKUS ,  ENGL KARL ,  TAEGER SEBASTIAN ,  WALTER ROBERT ,  STOCKER JOHANNES

    IPC: H01L33/38 ,  H01L33/40 ,  H01L33/42

    CPC classification number: H01L33/46 ,  H01L33/06 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  H01L33/382 ,  H01L33/405 ,  H01L33/42 ,  H01L33/60 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    Abstract: The invention relates to an optoelectronic semiconductor chip (10), which comprises a semiconductor body (1) made of semiconductor material, a p-contact layer (21a) and an n-contact layer (2). The semiconductor body (1) comprises an active layer (1a) provided for generating radiation. The semiconductor body has a p-side (1c) and an n-side (1b), between which the active layer (1a) is arranged. The p-contact layer (21a) is provided for electrical contacting of the p-side (1c). The n-contact layer (2) is provided for electrical contacting of the n-side (1b). The n-contact layer (2) contains a TCO layer (2a) and a mirror layer (2b), wherein the TCO layer (2a) is arranged between the n-side (1b) of the semiconductor body (1) and the mirror layer (2b).

    Abstract translation: 提供了一种光电子半导体芯片（10），包括半导体材料的半导体主体（1），p型接触层（21a）和一个n型接触层（2）。 半导体本体（1）具有用于产生辐射活性层（LA）中的开口。 该半导体主体包括一p侧（1c）和n侧（1b）中，活性层（LA）被布置在它们之间。 p接触层（21a）的电接触的p侧（1c）中被提供。 提供了一种用于在n侧（1b）的电接触n型接触层（2）。 的n型接触层（2）含有（1b）的（2b）中设置在所述半导体主体（1）和镜层的n侧之间的TCO层（2a）和镜面层（2b）中，其中，所述TCO层（2a）的 是。

    RADIATION-EMITTING COMPONENTS FOR PRODUCING LINEARLY POLARIZED LIGHT
    5.
    发明申请
    RADIATION-EMITTING COMPONENTS FOR PRODUCING LINEARLY POLARIZED LIGHT 审中-公开
    辐射发射元件FOR GENERATING直线偏振光

    公开(公告)号：WO2009039804A2

    公开(公告)日：2009-04-02

    申请号：PCT/DE2008001301

    申请日：2008-08-04

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  WINDISCH REINER ,  ENGL KARL ,  WIESMANN CHRISTOPHER

    Inventor： WINDISCH REINER ,  ENGL KARL ,  WIESMANN CHRISTOPHER

    IPC: H01L33/38 ,  H01L33/44

    CPC classification number: H01L33/44 ,  H01L33/38

    Abstract: A radiation-emitting component is provided, comprising a layer stack based on a semiconductor material, said layer stack having an active layer sequence (A, C1, C2) for producing electromagnetic radiation, characterized in that - on a last layer (C2) of the layer stack in the radiation direction (e) a plurality of metal surfaces (M) are applied, - the metal surfaces (M) have different dimensions (a1, a2) in a first direction (d1) and in a second direction (d2) different from the first, and - the metal surfaces (M) are disposed periodically in the first direction (d1) and periodically in the second direction (d2).

    Abstract translation: 它是基于半导体材料层堆叠，用于产生电磁辐射的有源层序列（A，C1，C2），其特征在于，上一个因子所指示的发射辐射的器件 - 层堆叠中的最后层（C2）上（在照射e方向 在第一方向（D1）的金属表面（M），以及它们中的一个是不同的尺寸（A1，A2）的不同的第二方向（D2），以及 - - ）的多个金属表面（M）被施加，金属表面（M） 周期性地在所述第一方向（D1），和定期在第二方向（D2）被布置。

    MODULARES MODUL
    7.
    发明专利
    MODULARES MODUL 未知

    公开(公告)号：DE102016112104A1

    公开(公告)日：2018-01-04

    申请号：DE102016112104

    申请日：2016-07-01

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： SCHWARZ THOMAS ,  SINGER FRANK ,  MOOSBURGER JÜRGEN ,  ENGL KARL ,  MARTIN ALEXANDER

    IPC: G09F9/30 ,  G09F9/33 ,  H01L25/075 ,  H01L33/62

    Abstract: Die Erfindung betrifft ein Modul für eine Videowand mit lichtemittierenden Bauelementen, die auf einem Substrat angeordnet sind, wobei für jedes Bauelement eine Ansteuerschaltung zur selektiven Ansteuerung des Bauelementes auf dem Substrat vorgesehen ist, wobei Zeilenleitungen und Spaltenleitungen vorgesehen sind, wobei jede Ansteuerschaltung mit einer Zeilenleitung und mit einer Spaltenleitung verbunden ist, wobei jede Ansteuerschaltung mit Stromversorgungsleitungen verbunden ist, wobei das Substrat Durchkontaktierungen aufweist, um die Zeilenleitungen und die Spaltenleitungen auf eine Rückseite des Substrates zu führen. Die Erfindung betrifft des Weiteren eine Anordnung mit wenigstens zwei Modulen und Verfahren zum Herstellen einer Anordnung mit wenigstens zwei Modulen.

    Optoelektronischer Halbleiterchip und optoelektronisches Bauelement
    9.
    发明专利
    Optoelektronischer Halbleiterchip und optoelektronisches Bauelement 未知

    公开(公告)号：DE102013110041A1

    公开(公告)日：2015-03-12

    申请号：DE102013110041

    申请日：2013-09-12

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： LEIRER CHRISTIAN ,  HAHN BERTHOLD ,  ZEISEL ROLAND ,  BAUR JOHANNES ,  ENGL KARL

    IPC: H01L33/02 ,  H01L23/60 ,  H01L33/14

    Abstract: Es wird eine optoelektronischer Halbleiterchip (1) mit einer Halbleiterschichtenfolge (2, 2') angegeben, die einen ersten Halbleiterbereich (3) eines ersten Leitfähigkeitstyps und einen zweiten Halbleiterbereich (4) eines zweiten Leitfähigkeitstyps und eine aktive Zone mit einem pn-Übergang (5) aufweist, die zwischen dem ersten Halbleiterbereich (3) und dem zweiten Halbleiterbereich (4) ausgebildet ist. Die Halbleiterschichtenfolge (2) ist auf einem Träger (8) angeordnet ist. Der Halbleiterchip (1) weist weiterhin einen ersten Kontakt auf, der zum elektrischen Anschließen des ersten Halbleiterbereichs (3) vorgesehen ist, und einen von dem ersten Kontakt verschiedenen zweiten Kontakt, der zum elektrischen Anschließen des zweiten Halbleiterbereichs (4) vorgesehen ist. Außerdem umfasst der Halbleiterchip (1) ein parallel zu dem pn-Übergang (5) geschaltetes erstes kapazitives elektrisches Element mit einem ersten dielektrischen Element, das dazu geeignet ist, bei Überspannung in Sperrrichtung des pn-Übergangs (5) zumindest einen Teil der Ladung aufzunehmen.

    Optoelektronischer Halbleiterchip
    10.
    发明专利
    Optoelektronischer Halbleiterchip 未知

    公开(公告)号：DE102011102376A1

    公开(公告)日：2012-11-29

    申请号：DE102011102376

    申请日：2011-05-25

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： MAUTE MARKUS ,  TAEGER SEBASTIAN ,  ENGL KARL ,  WALTER ROBERT ,  STOCKER JOHANNES

    IPC: H01L33/40

    Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (10) angegeben, der einen Halbleiterkörper (1) aus Halbleitermaterial, eine p-Kontaktschicht (21a) und eine n-Kontaktschicht (2) umfasst. Der Halbleiterkörper (1) weist eine zur Strahlungserzeugung vorgesehene aktive Schicht (1a) auf. Der Halbleiterkörper weist eine p-Seite (1c) und eine n-Seite (1b) auf, zwischen denen die aktive Schicht (1a) angeordnet ist. Die p-Kontaktschicht (21a) ist zur elektrischen Kontaktierung der p-Seite (1c) vorgesehen. Die n-Kontaktschicht (2) ist zur elektrischen Kontaktierung der n-Seite (1b) vorgesehen und enthält eine TCO-Schicht (2a).

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