Abstract:
The invention relates to a carrier for an optoelectronic semi-conductor chip, comprising a flat top side, a flat underside and a first side surface. The carrier comprises a first lead frame section,which ranges from the top side to the underside of the carrier, embedded within an insulating material. The first lead frame section comprises a first tie bar, extending to the first side surface. At the first side surface, the insulating material is arranged between the top side of the carrier and the first tie bar as well as between the under-side of the carrier and the first tie bar.
Abstract:
Es wird ein optoelektronisches Bauelement (100) umfassend einen Leiterrahmen (110) mit einer auf der Oberfläche des Leiterrahmens (110) angeordneten Reflexionsschicht (130) aus Silber, einen auf dem Leiterrahmen (110) angeordneten optoelektronischen Halbleiterchip (150) und eine auf dem Halbleiterchip (150) und dem Leiterahmen (110) aufgebrachte Vergussmasse (170) aus einem phenylhaltigen Silikonpolymer beschrieben. Dabei ist auf der Reflexionsschicht (130) eine wenigstens ein von Silber abweichendes Metall und/oder ein Halbmetall umfassende Stabilisierungsschicht (140) angeordnet.
Abstract:
Ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements umfasst Schritte zum Bereitstellen eines Trägers, zum Anordnen einer Tinte auf einer Oberseite des Trägers und zum Befestigen eines optoelektronischen Halbleiterchips an der Oberseite des Trägers.