公开(公告)号：DE102021107019A1

公开(公告)日：2022-09-22

申请号：DE102021107019

申请日：2021-03-22

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HERTKORN JOACHIM ,  TAUTZ MARKUS

IPC: H01L33/32 ,  H01L21/20

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterschichtenfolge mit den folgenden Schritten angegeben:- Aufbringen eines ersten Bereichs (2a) einer ersten Halbleiterschicht (2), die auf Gruppe-III-Nitriden basiert, auf ein Aufwachssubstrat (1),- Aufbringen einer Ätzstoppschichtenfolge (6) auf dem ersten Bereich (2a) der ersten Halbleiterschicht (2),- Aufbringen eines zweiten Bereichs (2b) der ersten Halbleiterschicht (2), auf der Ätzstoppschichtenfolge (6), wobei- die Ätzstoppschichtenfolge (6) eine Ätzstoppschicht (61) umfasst, die auf SiN basiert,- die Ätzstoppschichtenfolge (6) eine Aufwachsschicht (62) umfasst, die auf AlGaN basiert, und- die Ätzstoppschicht (61) dem ersten Bereich (2a) der ersten Halbleiterschicht (2) zugewandt ist.

公开(公告)号：DE112020001348A5

公开(公告)日：2021-11-25

申请号：DE112020001348

申请日：2020-03-13

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： TAUTZ MARKUS ,  DAVIES MATTHEW JOHN ,  WELZEL MARTIN

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/26 ,  H01L29/06 ,  H01L33/22