公开(公告)号：DE112012006689T5

公开(公告)日：2015-03-19

申请号：DE112012006689

申请日：2012-07-10

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： TAEGER SEBASTIAN ,  ENGL KARL ,  HUBER MICHAEL ,  WELZEL MARTIN

IPC: H01L33/44

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Verkapselung eines optoelektronischen Bauelements angegeben, wobei das Verfahren die folgenden Schritte aufweist: – Bereitstellen einer Oberfläche (6), die verkapselt werden soll, – Erzeugen von reaktiven Sauerstoffgruppen (8) und/oder reaktiven Hydroxygruppen auf dieser Oberfläche (6), und – Aufbringen einer Passivierungsschicht (9) auf diese Oberfläche (6) mittels Atomlagenabscheidung. Ferner wird ein Leuchtdioden-Chip (1) bereitgestellt.

公开(公告)号：DE112020001348A5

公开(公告)日：2021-11-25

申请号：DE112020001348

申请日：2020-03-13

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： TAUTZ MARKUS ,  DAVIES MATTHEW JOHN ,  WELZEL MARTIN

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/26 ,  H01L29/06 ,  H01L33/22

公开(公告)号：DE102012103394A1

公开(公告)日：2013-10-24

申请号：DE102012103394

申请日：2012-04-18

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： WELZEL MARTIN ,  FISCHER HELMUT

IPC: H01L33/24

Abstract: Es wird ein Herstellungsverfahren angegeben, bei dem ein Aufwachssubstrat (1) aus Silizium bereitgestellt wird, das eine Aufwachsfläche (1a) aufweist. Die Aufwachsfläche (1a) wird mittels eines Ätzverfahrens strukturiert, bei dem eine Base und eine oberflächenaktive Substanz verwendet werden. Auf die strukturierte Aufwachsfläche (1a) wird eine aktive Halbleiterschichtenfolge (4) epitaktisch aufgewachsen. Weiter wird ein derart hergestellter Halbleiterchip (10) angegeben.