公开(公告)号：DE102018133526A1

公开(公告)日：2020-06-25

申请号：DE102018133526

申请日：2018-12-21

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： TOLLABI MAZRAEHNO MOHAMMAD

IPC: H01L33/06 ,  A61L2/10 ,  G01J1/00 ,  H01L21/20 ,  H01L29/15 ,  H01L31/101 ,  H01L33/32

Abstract: Ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (10) umfasst eine erste Halbleiterschicht (110) von einem ersten Leitfähigkeitstyp, wobei die erste Halbleiterschicht (110) die Zusammensetzung AlGaN hat. Das optoelektronische Halbleiterbauelement (10) umfasst weiterhin eine zweite Halbleiterschicht (120) von einem zweiten Leitfähigkeitstyp, eine aktive Zone (115) zwischen der ersten Halbleiterschicht (110) und der zweiten Halbleiterschicht (120), wobei die aktive Zone (115) eine Quantentopfstruktur (114) aufweist, sowie eine Zwischenschicht (125) zwischen der ersten Halbleiterschicht (110) und der aktiven Zone (115). Die Zwischenschicht (125) umfasst ein Halbleitermaterial der Zusammensetzung AlGaN, mit x*1,05 ≤ y ≤ 1.

公开(公告)号：DE102016110041A1

公开(公告)日：2017-11-30

申请号：DE102016110041

申请日：2016-05-31

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： TOLLABI MAZRAEHNO MOHAMMAD ,  STAUSS PETER ,  GOMEZ-IGLESIAS ALVARO

IPC: H01L31/101 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/18

Abstract: Es wird ein Bauelement (100) zum Detektieren von UV-Strahlung mit einem auf AlmGa1-n-mInnN mit 0 ≤ n ≤ 1, 0 ≤ m ≤ 1 und n + m

公开(公告)号：DE102018120490A1

公开(公告)日：2020-02-27

申请号：DE102018120490

申请日：2018-08-22

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： TOLLABI MAZRAEHNO MOHAMMAD ,  JAMA MARIEL GRACE ,  LUGAUER HANS-JÜRGEN ,  PFEUFFER ALEXANDER

IPC: H01L33/40 ,  H01L33/14

Abstract: Ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (10) umfasst eine erste Halbleiterschicht (120) von einem ersten Leitfähigkeitstyp, eine zweite Halbleiterschicht (130) von einem zweiten Leitfähigkeitstyp, wobei ein Halbleitermaterial der ersten und zweiten Halbleiterschicht (120, 130) jeweils ein Verbindungshalbleitermaterial ist, welches ein erstes, ein zweites und ein drittes Zusammensetzungselement enthält, und einen zweiten Kontaktbereich (135) zum elektrischen Kontaktieren der zweiten Halbleiterschicht (130). Der zweite Kontaktbereich (135) weist eine zweite metallische Kontaktschicht (134) sowie eine Halbleiterkontaktschicht (132) zwischen metallischer Kontaktschicht (134) und zweiter Halbleiterschicht (130) auf. Ein Halbleitermaterial der Halbleiterkontaktschicht (132) enthält das erste, zweite und dritte Zusammensetzungselement, wobei sich die Konzentration des ersten und zweiten Zusammensetzungselements von einer Position auf einer Seite der zweiten Halbleiterschicht (130) bis zu einer Position auf der Seite der zweiten metallischen Kontaktschicht (134) ändert.