-
公开(公告)号：WO2016156312A1
公开(公告)日：2016-10-06
申请号：PCT/EP2016056794
申请日：2016-03-29
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： HIRAI ASAKO , MEYER TOBIAS , DRECHSEL PHILIPP , STAUSS PETER , NIRSCHL ANNA , GOMEZ-IGLESIAS ALVARO , NIEBLING TOBIAS , GALLER BASTIAN
IPC: H01L33/06
CPC classification number: H01L33/06
Abstract: In one embodiment the optoelectronic semiconductor chip (1) comprises an active zone with a multiple quantum well structure (3) containing a number of quantum well layers (31) and barrier layers (32) disposed sequentially in an alternating manner in a growth direction (G), each layer extending continuously over the entire multiple quantum well structure (3). When viewed in cross-section parallel to the growth direction (G), the multiple quantum well structure (3) has at least one emission region (41) and a number of transport regions (42) disposed sequentially in an alternating manner in a direction perpendicular to the growth region (G). The quantum well layers (31) and/or the barrier layers (32) in the transport regions (42) are thinner than and/or have a different material composition from those in the emission regions (41).
Abstract translation: 在光电子半导体芯片的实施例（1）包括一个具有多量子阱结构（3），其包括沿着生长方向（G）设置在多个量子阱层（31）和阻挡层（32）的有源区彼此跟随交替和其中的每一个连续延伸超过 整个多量子阱结构（3）延伸。 看到的截面中，以生长方向（G）平行，所述多量子阱结构（3）的至少一个发射区（41）和多个输送区域（42），其交替地跟随在一个方向上相互垂直于生长方向（G）的。 在传送区域（42）的量子阱层（31）和/或所述阻挡层（32）被制造得更薄和/或具有不同的材料组成比在发射区（41）。
-
公开(公告)号：WO2011032841A3
公开(公告)日：2012-03-08
申请号：PCT/EP2010062812
申请日：2010-09-01
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , GOMEZ-IGLESIAS ALVARO , GROENNINGER GUENTHER , LAUER CHRISTIAN , KOENIG HARALD
Inventor： GOMEZ-IGLESIAS ALVARO , GROENNINGER GUENTHER , LAUER CHRISTIAN , KOENIG HARALD
CPC classification number: H01S5/20 , B82Y20/00 , H01S5/2031 , H01S5/34313 , H01S2301/16 , H01S2301/166
Abstract: The invention relates to an edge-emitting semiconductor laser comprising an active, radiation-generating zone (1) and a full waveguide (8) that is suitable for guiding the radiation generated in the active zone (1) inside the semiconductor laser. The full waveguide (8) comprises a first n-doped layer (4) and a second n-doped layer (5) arranged between the first n-doped layer (4) and the active zone (1). The refractive index n2 of the second n-doped layer (5) is higher than the refractive index n1 of the first n-doped layer (4) by the amount dn.
Abstract translation: 有一个边发射半导体激光器具有活性，产生辐射的区域（1），并且公开了一种总波导（8），其适于引导在半导体激光器内的活性区（1）所产生的辐射。 总波导（8）包括（4）和第二n型掺杂的层设置在所述第一n掺杂层（4）和所述有源区（1），其中，所述折射率（5）之间的第一n掺杂层 所述第二n型掺杂层（5）的n2是更大的量的dn比第一n掺杂层（4）的折射率n1。
-
公开(公告)号：DE102021104343A1
公开(公告)日：2022-08-25
申请号：DE102021104343
申请日：2021-02-24
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： JENTZSCH BRUNO , HALBRITTER HUBERT , BEHRES ALEXANDER , GOMEZ-IGLESIAS ALVARO , LAUER CHRISTIAN , BAUMANN SIMON
Abstract: In mindestens einer Ausführungsform umfasst der Halbleiteremitter (1) eine Halbleiterschichtenfolge (2), die aufweist:- mehrere aktive Zonen (31, 32, 33) mit je mindestens einer Quantentopfschicht (22) zur Erzeugung von Laserstrahlung,- mindestens eine Tunneldiode (41, 42), die sich entlang einer Wachstumsrichtung (G) der Halbleiterschichtenfolge (2) zwischen benachbarten aktiven Zonen (31, 32, 33) befindet, wobei- eine Dicke der mindestens einen Tunneldiode (41, 42) höchstens 40 nm beträgt, und- im bestimmungsgemäßen Betrieb eine lokale Intensität (IL) einer optischen Grundmode bei der mindestens einen Tunneldiode (41, 42) mindestens 50 % einer Maximalintensität (IM) beträgt.
-
公开(公告)号：DE102015104700A1
公开(公告)日：2016-09-29
申请号：DE102015104700
申请日：2015-03-27
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： HIRAI ASAKO , MEYER TOBIAS , DRECHSEL PHILIPP , STAUSS PETER , NIRSCHL ANNA , GOMEZ-IGLESIAS ALVARO , NIEBLING TOBIAS , GALLER BASTIAN
Abstract: In einer Ausführungsform umfasst der optoelektronische Halbleiterchip (1) eine aktive Zone mit einer Multi-Quantentopfstruktur (3), die mehrere Quantentopfschichten (31) und Barriereschichten (32) beinhaltet, die entlang einer Wachstumsrichtung (G) abwechselnd aufeinanderfolgen und die sich jeweils durchgehend über die gesamte Multi-Quantentopfstruktur (3) erstrecken. In einem Querschnitt parallel zur Wachstumsrichtung (G) gesehen weist die Multi-Quantentopfstruktur (3) zumindest einen Emissionsbereich (41) und mehrere Transportbereiche (42) auf, die in einer Richtung senkrecht zur Wachstumsrichtung (G) abwechselnd aufeinanderfolgen. Die Quantentopfschichten (31) und/oder die Barriereschichten (32) in den Transportbereichen (42) sind dünner gestaltet und/oder weisen eine andere Materialzusammensetzung auf als in den Emissionsbereichen (41).
-
公开(公告)号：DE102013211851A1
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：DE102013211851
申请日：2013-06-21
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： GOMEZ-IGLESIAS ALVARO , KÖNIG HARALD , LAUER CHRISTIAN
IPC: H01S5/20
Abstract: Ein kantenemittierender Halbleiterlaser umfasst eine Halbleiterstruktur, die eine Wellenleiterschicht mit einer eingebetteten aktiven Schicht aufweist. Die Wellenleiterschicht erstreckt sich in eine longitudinale Richtung zwischen einer ersten Seitenfacette und einer zweiten Seitenfacette der Halbleiterstruktur. Die Halbleiterstruktur weist einen an die erste Seitenfacette angrenzenden Verjüngungsbereich auf. Im Verjüngungsbereich steigt eine senkrecht zur longitudinalen Richtung bemessene Dicke der Wellenleiterschicht entlang der longitudinalen Richtung an.
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：DE102021132559A1
公开(公告)日：2023-06-15
申请号：DE102021132559
申请日：2021-12-09
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： MALM NORWIN VON , GOMEZ-IGLESIAS ALVARO , KOENIG HARALD
Abstract: Ein optoelektronisches Bauelement mit einer epitaktischen Schichtenfolge umfasst einen funktionellen Innenbereich aufweisend einen ersten elektrischen Kontakt (30) und einem den ersten elektrischen Kontakt (30) gegenüberliegenden zweiten elektrischen Kontakt, sowie einen zwischen dem ersten elektrischen Kontakt (30) und dem zweiten elektrischen Kontakt (35) angeordneten und zur Lichterzeugung konfigurierte Halbleiterschichten (4). Die zur Lichterzeugung konfigurierten Halbleiterschichten (4) weist eine sich zum zweiten elektrischen Kontakt hin vergrößernde Grundfläche auf. Auf den Seitenwänden der zur Lichterzeugung konfigurierten Halbleiterschichten ist eine dielektrische Passivierungsschicht (5) aufgebracht. Verner umgibt eine Spiegelschicht (6) unter Bildung eines Zwischenraumes (7) die Passivierungsschicht (5) beabstandet. Der zweite elektrische Kontakt (35) und die den zweiten elektrischen Kontakt umgebende Ebene () des gebildeten Zwischenraums bilden eine gemeinsame Lichtaustrittsfläche ().
-
公开(公告)号：DE102021108200A1
公开(公告)日：2022-10-06
申请号：DE102021108200
申请日：2021-03-31
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： HALBRITTER HUBERT , JENTZSCH BRUNO , GOMEZ-IGLESIAS ALVARO
Abstract: In mindestens einer Ausführungsform umfasst der optoelektronische Halbleiterchip (1)- eine Halbleiterschichtenfolge (2), in der sich mindestens eine aktive Zone (22) zur Erzeugung von Strahlung (R) befindet, und- eine erste Elektrode (31) und eine zweite Elektrode (32), mit denen die Halbleiterschichtenfolge (2) elektrisch kontaktiert ist, wobei- die Halbleiterschichtenfolge (2) im Bereich der aktiven Zone (22) mindestens eine schräg verlaufende Facette (41, 42) aufweist, die für eine Strahlumlenkung der Strahlung (R) eingerichtet ist, und- sich die erste Elektrode (31) und die zweite Elektrode (32) an derselben Montageseite (20) der Halbleiterschichtenfolge (2) wie die mindestens eine schräg verlaufende Facette (41, 42) befinden und die Montageseite (20) eine Hauptseite der Halbleiterschichtenfolge (2) ist, und- eine Auskopplung der Strahlung (R) an einer der Montageseite (20) gegenüberliegenden Abstrahlseite (21) der Halbleiterschichtenfolge (2) erfolgt.
-
公开(公告)号：DE102014113380B4
公开(公告)日：2017-05-04
申请号：DE102014113380
申请日：2014-09-17
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： GOMEZ-IGLESIAS ALVARO , HIRMER MARIKA , FREY ALEXANDER , ZINI LORENZO , LAUX HARALD
IPC: H01S5/34 , H01L21/268 , H01L33/12 , H01L33/32
Abstract: Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterchips mit den Schritten: A) Bereitstellen eines Trägersubstrats (1), B) Aufbringen einer Halbleiterschichtenfolge (2) auf das Trägersubstrat (1), und C) Ablösen der fertig hergestellten Halbleiterschichtenfolge (2) von dem Trägersubstrat (1) mittels Laserstrahlung (R) mit einer Wellenlänge (L) durch das Trägersubstrat (1) hindurch, wobei – die Halbleiterschichtenfolge (2), in Richtung weg von dem Trägersubstrat (1), einen Pufferschichtenstapel (20) und einen Funktionsstapel (22) aufweist, – der Funktionsstapel (22) mindestens eine aktive Schicht (21) zur Erzeugung von Licht aufweist, – sich innerhalb des Pufferschichtenstapels (20) mindestens eine Absorberschicht (23) befindet, – die Absorberschicht (23) aus einem Material zur Absorption der Laserstrahlung (R) gebildet wird und alle verbleibenden Schichten (24, 25) des Pufferschichtenstapels (20) für die Laserstrahlung (R) durchlässig sind, und – im Schritt C) ein Ablösen der Halbleiterschichtenfolge (2) vom Trägersubstrat (1) im Bereich der Absorberschicht (23) erfolgt, wobei sich die Absorberschicht (23) im Schritt C) in einem Maximum einer Strahlungsstärke (S) der Laserstrahlung (R) in der Halbleiterschichtenfolge befindet, und wobei durch eine Struktur des Pufferschichtenstapels (20) eine Leistungsdichte der eingestrahlten Laserstrahlung (R) in der Absorberschicht (23) interferometrisch erhöht wird.
-
公开(公告)号：DE102009041934A1
公开(公告)日：2011-03-24
申请号：DE102009041934
申请日：2009-09-17
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： GOMEZ-IGLESIAS ALVARO , LAUER CHRISTIAN , GROENNINGER GUENTHER , KOENIG HARALD
Abstract: Es wird ein kantenemittierender Halbleiterlaser mit einer aktiven, strahlungserzeugenden Zone (1), und einem Gesamtwellenleiter (8) offenbart, der dazu geeignet ist, die in der aktiven Zone (1) erzeugte Strahlung innerhalb des Halbleiterlasers zu führen. Der Gesamtwellenleiter (8) umfasst eine erste n-dotierte Schicht (4) und eine zweite n-dotierte Schicht (5), die zwischen der ersten n-dotierten Schicht (4) und der aktiven Zone (1) angeordnet ist, wobei der Brechungsindex nder zweiten n-dotierten Schicht (5) um einen Betrag dn größer ist als der Brechungsindex nder ersten n-dotierten Schicht (4).
-
10.发明专利
公开(公告)号：DE102009056387B9
公开(公告)日：2020-05-07
申请号：DE102009056387
申请日：2009-11-30
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： LAUER CHRISTIAN , GOMEZ-IGLESIAS ALVARO
Abstract: Kantenemittierender Halbleiterlaser mit einem Halbleiterkörper (10), der einen Wellenleiterbereich (4) aufweist, wobei- der Wellenleiterbereich (4) eine erste Wellenleiterschicht (2A), eine zweite Wellenleiterschicht (2B) und eine zwischen der ersten Wellenleiterschicht (2A) und der zweiten Wellenleiterschicht (2B) angeordnete aktive Schicht (3) zur Erzeugung von Laserstrahlung aufweist,- der Wellenleiterbereich (4) zwischen einer ersten Mantelschicht (1A) und einer dem Wellenleiterbereich (4) in Wachstumsrichtung des Halbleiterkörpers (10) nachfolgenden zweiten Mantelschicht (1B) angeordnet ist,- in dem Halbleiterkörper (10) eine Phasenstruktur (6) zur Selektion lateraler Moden der von der aktiven Schicht (3) emittierten Laserstrahlung ausgebildet ist, wobei die Phasenstruktur (6) mindestens eine Ausnehmung (7) umfasst, die sich von einer Oberseite (5) des Halbleiterkörpers (10) in die zweite Mantelschicht (1B) hinein erstreckt,- der Halbleiterlaser einen durch Seitenfacetten (16) ausgebildeten Laserresonator aufweist, wobei die Laserstrahlung beim Umlauf in dem Laserresonator von einem Hauptbereich in einen Phasenstrukturbereich des Halbleiterkörpers (10) übertritt und durch die Phasenstruktur (6) Umlaufverluste erfährt,- in die zweite Mantelschicht (1B) mindestens eine erste Zwischenschicht (11) aus einem von dem Halbleitermaterial der zweiten Mantelschicht (1B) verschiedenen Halbleitermaterial eingebettet ist, und- sich die Ausnehmung (7) von der Oberseite (5) des Halbleiterkörpers (10) zumindest teilweise bis in die erste Zwischenschicht (11) erstreckt,- die zweite Mantelschicht (1B) eine erste Teilschicht (1C), die an den Wellenleiterbereich (4) angrenzt, und eine zweite Teilschicht (1D), die an die erste Teilschicht (1C) angrenzt, enthält, wobei die erste Teilschicht (1C) einen größeren Brechungsindex als die zweite Teilschicht (1D) aufweist,- die mindestens eine Zwischenschicht (11, 12) in die erste Teilschicht (1C) der zweiten Mantelschicht (1B) eingebettet ist,- auf den Halbleiterkörper (10) mindestens ein Kontaktstreifen (8) aufgebracht ist,- die Phasenstruktur (6) zwischen dem Kontaktstreifen (8) und der Seitenfacette (16) angeordnet ist, und- die Zwischenschicht (11) zwischen 20 nm und 50 nm dick ist.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
21
records
(took 0.028 seconds)
