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公开(公告)号：DE102018120490A1
公开(公告)日：2020-02-27
申请号：DE102018120490
申请日：2018-08-22
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Abstract: Ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (10) umfasst eine erste Halbleiterschicht (120) von einem ersten Leitfähigkeitstyp, eine zweite Halbleiterschicht (130) von einem zweiten Leitfähigkeitstyp, wobei ein Halbleitermaterial der ersten und zweiten Halbleiterschicht (120, 130) jeweils ein Verbindungshalbleitermaterial ist, welches ein erstes, ein zweites und ein drittes Zusammensetzungselement enthält, und einen zweiten Kontaktbereich (135) zum elektrischen Kontaktieren der zweiten Halbleiterschicht (130). Der zweite Kontaktbereich (135) weist eine zweite metallische Kontaktschicht (134) sowie eine Halbleiterkontaktschicht (132) zwischen metallischer Kontaktschicht (134) und zweiter Halbleiterschicht (130) auf. Ein Halbleitermaterial der Halbleiterkontaktschicht (132) enthält das erste, zweite und dritte Zusammensetzungselement, wobei sich die Konzentration des ersten und zweiten Zusammensetzungselements von einer Position auf einer Seite der zweiten Halbleiterschicht (130) bis zu einer Position auf der Seite der zweiten metallischen Kontaktschicht (134) ändert.
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公开(公告)号：DE112015000745A5
公开(公告)日：2017-01-26
申请号：DE112015000745
申请日：2015-02-09
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： PFEUFFER ALEXANDER
IPC: H01L33/10 , H01L31/054 , H01L31/18 , H01L33/46
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公开(公告)号：DE102014202424A1
公开(公告)日：2015-08-13
申请号：DE102014202424
申请日：2014-02-11
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： PFEUFFER ALEXANDER
IPC: H01L33/10 , H01L31/054 , H01L31/18 , H01L33/46
Abstract: Es wird ein optoelektronisches Bauelement (10) mit einer ersten Schichtenfolge (30) und einer zweiten Schichtenfolge (32) beschrieben. Die erste Schichtenfolge (30) ist dazu eingerichtet, elektromagnetische Strahlung zu emittieren oder zu detektieren. Die zweite Schichtenfolge (32) ist an einer ersten Seite der ersten Schichtenfolge (30) angeordnet und ist dazu eingerichtet, die von der ersten Schichtenfolge (30) emittierte oder zu detektierende elektromagnetische Strahlung zu reflektieren. Die zweite Schichtenfolge (32) weist eine erste Reflektorschicht (38) eine zweite Reflektorschicht (40) und eine Haftvermittlungsschicht (42) auf. Die erste Reflektorschicht (38) enthält ein erstes Material und ist an einer der ersten Seite der ersten Schichtenfolge (30) zugewandten ersten Seite der zweiten Schichtenfolge (32) angeordnet. Die Haftvermittlungsschicht (42) enthält ein zweites Material und ist an einer von der ersten Seite der ersten Schichtenfolge (30) abgewandten zweiten Seite der zweiten Schichtenfolge (32) angeordnet. Die zweite Reflektorschicht (40) enthält das erste Material und ist zwischen der ersten Reflektorschicht (38) und der Haftvermittlungsschicht (42) angeordnet.
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公开(公告)号：DE102021108397A1
公开(公告)日：2022-10-06
申请号：DE102021108397
申请日：2021-04-01
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： PFEUFFER ALEXANDER
IPC: H01L21/50 , H01L21/58 , H01L21/677 , H01L21/683 , H01L33/50
Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Transferieren mindestens eines optoelektronischen Halbleiterbauelementes von einem ersten Träger auf einen zweiten Träger umfassend die Schritte: Aufbringen einer strukturierbaren Materialschicht auf mindestens ein auf einem ersten Träger angeordnetes optoelektronisches Halbleiterbauelement; Strukturieren der zumindest einen strukturierbaren Materialschicht derart, dass dem optoelektronischen Halbleiterbauelement ein Teilbereich der strukturierten Materialschicht auf einer Oberseite des optoelektronischen Halbleiterbauelements zugeordnet ist; Aufnehmen des optoelektronischen Halbleiterbauelements mittels einer Transfereinheit umfassend ein Aufsetzen der Transfereinheit auf eine dem optoelektronischen Halbleiterbauelement gegenüberliegende Oberseite des Teilbereichs der strukturierten Materialschicht; Abheben des optoelektronischen Halbleiterbauelements von dem ersten Träger; Anordnen des optoelektronischen Halbleiterbauelements auf einem ersten Bereich eines zweiten Trägers, wobei zumindest ein zum ersten Bereich benachbarter zweiter Bereich die Oberseite des optoelektronischen Halbleiterbauelements überragt; und Fixieren des optoelektronischen Halbleiterbauelements auf dem zweiten Träger.
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公开(公告)号：DE102021202026A1
公开(公告)日：2022-09-08
申请号：DE102021202026
申请日：2021-03-03
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： MOHAJERANI MATIN , PFEUFFER ALEXANDER , SCHOLZ DOMINIK
Abstract: Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (13) angegeben umfassend- einen Schichtenstapel (9) umfassend- eine Seitenfläche oder mehrere Seitenflächen (9A) jeweils umfassend einen ersten Seitenbereich (90A), der einen ersten Halbleiterbereich (4) seitlich begrenzt, und einen zweiten Seitenbereich (90B), der einen zweiten Halbleiterbereich (5) teilweise seitlich begrenzt,- eine erste und zweite Hauptfläche (9B, 9C),- ein erstes, an der ersten Hauptfläche (9B) angeordnetes Kontaktmittel (10), das zur elektrischen Kontaktierung des ersten Halbleiterbereichs (4) vorgesehen ist, und ein zweites, auf der zumindest einen Seitenfläche (9A) angeordnetes Kontaktmittel (11), das zur elektrischen Kontaktierung des zweiten Halbleiterbereichs (5) vorgesehen ist, und- eine zwischen dem zweiten Kontaktmittel (11) und dem Schichtenstapel (9) angeordnete dielektrische Schicht (12), wobei zumindest ein zweiter Seitenbereich (90B) von der dielektrischen Schicht (12) zumindest teilweise unbedeckt ist und das zweite Kontaktmittel (11) den von der dielektrischen Schicht (12) unbedeckten Bereich bedeckt.Ferner wird ein Verfahren zur Herstellung zumindest eines optoelektronischen Halbleiterbauelements angegeben.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：DE112015002379A5
公开(公告)日：2017-02-23
申请号：DE112015002379
申请日：2015-05-19
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： PFEUFFER ALEXANDER
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公开(公告)号：DE102012109594A1
公开(公告)日：2014-04-10
申请号：DE102012109594
申请日：2012-10-09
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： MANDL MARTIN , STRASBURG MARTIN , KOELPER CHRISTOPHER , PFEUFFER ALEXANDER , RODE PATRICK
Abstract: In mindestens einer Ausführungsform des Verfahren umfasst dieses die folgenden Schritte: A) Erzeugen von strahlungsaktiven Inseln (4) mit einer Halbleiterschichtenfolge (3) auf einem Aufwachssubstrat (2), wobei die Inseln (4) je mindestens eine aktive Zone (33) der Halbleiterschichtenfolge (3) aufweisen und ein mittlerer Durchmesser der Inseln (4), in Draufsicht auf das Aufwachssubstrat gesehen, zwischen einschließlich 50 nm und 10 µm beträgt, B) Erzeugen einer Trennschicht (5) an einer dem Aufwachssubstrat (2) zugewandten Seite der Inseln (4), wobei die Trennschicht (5) die Inseln (4) ringsum umgibt, in Draufsicht auf das Aufwachssubstrat (2) gesehen, C) Anbringen eines Trägersubstrats (6) an einer dem Aufwachssubstrat (2) abgewandten Seite der Inseln (4), und D) Ablösen des Aufwachssubstrats (2) von den Inseln (4), wobei bei dem Ablösen mindestens ein Teil der Trennschicht (5) zerstört und/oder mindestens zeitweise erweicht wird.
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公开(公告)号：DE102011056140A1
公开(公告)日：2013-06-13
申请号：DE102011056140
申请日：2011-12-07
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： MANDL MARTIN , STRASBURG MARTIN , KOELPER CHRISTOPHER , PFEUFFER ALEXANDER , RODE PATRICK
Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip angegeben, mit: – einer Vielzahl aktiver Bereiche (1), die beabstandet zueinander angeordnet sind, und – einer reflektierenden Schicht (2), die an einer Unterseite (1a) der Vielzahl aktiver Bereiche (1) angeordnet ist, wobei – zumindest einer der aktiven Bereiche (1) eine Haupterstreckungsrichtung (R) aufweist, – einer der aktiven Bereiche (1) einen Kernbereich (10) aufweist, der mit einem ersten Halbleitermaterial gebildet ist, – der aktive Bereich (1) eine aktive Schicht (11) aufweist, die den Kernbereich (10) zumindest in Richtungen (x, y) quer zur Haupterstreckungsrichtung (R) des aktiven Bereichs (1) bedeckt, – der aktive Bereich (1) eine Deckschicht (12) aufweist, die mit einem zweiten Halbleitermaterial gebildet ist und die aktive Schicht (11) zumindest in Richtungen (x, y) quer zur Haupterstreckungsrichtung (R) des aktiven Bereichs (11) bedeckt, und – die reflektierende Schicht (2) zur Reflexion von im Betrieb in der aktiven Schicht (11) erzeugter elektromagnetischer Strahlung eingerichtet ist.
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公开(公告)号：DE112020002376A5
公开(公告)日：2022-01-27
申请号：DE112020002376
申请日：2020-03-10
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： PFEUFFER ALEXANDER , PERZLMAIER KORBINIAN , NEVELING KERSTIN
IPC: H01L21/687 , H01L21/58 , H01L21/673 , H01L25/075 , H01L33/04 , H01L33/20
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公开(公告)号：DE112013004276B4
公开(公告)日：2019-08-29
申请号：DE112013004276
申请日：2013-08-22
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： PFEUFFER ALEXANDER
Abstract: Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips (1) umfassend die folgenden Schritte- Bereitstellen einer Halbleiterschichtenfolge (10),- Anordnen einer metallischen Spiegelschicht (21) an einer Oberseite der Halbleiterschichtenfolge (10),- Anordnen einer Spiegelschutzschicht (3) zumindest an freiliegenden Seitenflächen (21c) der Spiegelschicht,- teilweise Entfernen der Halbleiterschichtenfolge (10), wobei- die Spiegelschicht (21) Öffnungen (23) zur Halbleiterschichtenfolge (10) hin aufweist, die in lateralen Richtungen (1) von der Spiegelschutzschicht (3) umrandet werden,- das teilweise Entfernen der Halbleiterschichtenfolge (10) im Bereich der Öffnungen (23) der Spiegelschicht (21) erfolgt,- das Anordnen der Spiegelschutzschicht (3) an den freiliegenden Seitenflächen (21c) der Spiegelschicht (21) selbstjustierend erfolgt, wobei zum selbstjustierenden Anordnen der Spiegelschutzschicht (3) an den freiliegenden Seitenflächen (21c) der Spiegelschicht (21) folgender Verfahrensschritt ausgeführt wird:- konformes Abscheiden der Spiegelschutzschicht (3) an der der Halbleiterschichtenfolge (10) abgewandten Oberseite der Spiegelschicht (21) und den freiliegenden Seitenflächen (21c) der Spiegelschicht (21).
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