公开(公告)号：DE102008048648B4

公开(公告)日：2025-05-15

申请号：DE102008048648

申请日：2008-09-24

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： WIRTH RALPH DR ,  WINDISCH REINER DR

IPC: H10H20/841 ,  H10H20/83

Abstract: Optoelektronischer Halbleiterchip (10) mit- einer Halbleiterschichtenfolge (5) zur Erzeugung einer elektromagnetischen Strahlung und- einem Spiegel (3), wobei- der Spiegel (3) eine Hauptfläche (4) aufweist, an der sich die Halbleiterschichtenfolge (5) befindet,- die Hauptfläche (4) in einer lateralen Richtung (L) in mindestens einen ersten (1) und mindestens einen zweiten Teilbereich (2) strukturiert ist, wobei der von dem mindestens einen ersten Teilbereich (1) gebildete Anteil an der Hauptfläche (4) zwischen einschließlich 30 % und 60 % liegt,- der mindestens eine erste Teilbereich (1) ein transparentes leitfähiges Oxid und der mindestens eine zweite Teilbereich (2) ein transparentes Dielektrikum aufweist, und- sich an dem mindestens einen ersten Teilbereich (1) und an dem mindestens einen zweiten Teilbereich (2) an einer der Halbleiterschichtenfolge (5) abgewandten Seite (6) wenigstens stellenweise eine zum Spiegel (3) gehörige Metallschicht (7) befindet, und- mit einem zumindest teiltransparenten Metallfilm (8), der sich zwischen der Halbleiterschichtenfolge (5) und dem mindestens einen ersten (1) und dem mindestens einen zweiten Teilbereich (2) befindet, wobei der mindestens eine erste (1) und der mindestens eine zweite Teilbereich (2) an der der Halbleiterschichtenfolge (4) abgewandten Seite (6) lateral teilweise überlappen.

公开(公告)号：DE102008050643B4

公开(公告)日：2022-11-03

申请号：DE102008050643

申请日：2008-10-07

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： STAUSS PETER DR ,  BAUMANN FRANK DR ,  WINDISCH REINER DR ,  PETER MATTHIAS DR

IPC: H01L33/50 ,  H01S5/40

Abstract: Leuchtmittel (1) mit- mindestens einem optoelektronischen Halbleiterbauteil (2), das im Betrieb bei mindestens einer ersten Wellenlänge (L1) und mindesten einer zweiten Wellenlänge (L2) elektromagnetische Strahlung emittiert, wobei die erste Wellenlänge (L1) um 430 nm und die zweite Wellenlänge (L2) um 470 nm liegt, mit einer Toleranz von jeweils 10 nm, und- mindestens einem Konversionsmittel (3), das die erste Wellenlänge (L1) mindestens teilweise in Strahlung einer anderen Frequenz konvertiert, so dass ein vom Leuchtmittel (1) im Betrieb emittiertes Strahlungsspektrum metamer zu einem Schwarzkörperspektrum ist, wobei- das Konversionsmittel (3) die elektromagnetische Strahlung der ersten Wellenlänge (L1) wenigstens zu 50 % und die elektromagnetische Strahlung der zweiten Wellenlänge (L2) höchstens zu 90 % in die Strahlung der anderen Frequenz konvertiert, wobei ein Unterschied in der Konversion von erster Wellenlänge (L1) und zweiter Wellenlänge (L2) durch das Konversionsmittel (3) mindestens 5 Prozentpunkte beträgt und die zweite Wellenlänge (L2) zu einem geringeren Anteil konvertiert wird.

公开(公告)号：DE102010012040A1

公开(公告)日：2011-09-22

申请号：DE102010012040

申请日：2010-03-19

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： CUI HAILING DR ,  WINDISCH REINER DR

IPC: H01L33/50 ,  H01L31/055

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils (10) weist dieses einen optoelektronischen Halbleiterchip (6) und ein Konversionselement (K) auf. Das Konversionselement (K) umfasst einen ersten Leuchtstoff (1), der eine erste Emissionswellenlänge zwischen einschließlich 515 nm und 545 nm aufweist sowie einen zweiten Leuchtstoff (2), der eine zweite Emissionswellenlänge zwischen einschließlich 605 nm und 630 nm aufweist. Der Halbleiterchip (6) ist ferner dazu eingerichtet, eine Primärstrahlung mit einer dominanten Wellenlänge (λD) zwischen einschließlich 440 nm und 465 nm zu emittieren.