公开(公告)号：DE102008050643B4

公开(公告)日：2022-11-03

申请号：DE102008050643

申请日：2008-10-07

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： STAUSS PETER DR ,  BAUMANN FRANK DR ,  WINDISCH REINER DR ,  PETER MATTHIAS DR

IPC: H01L33/50 ,  H01S5/40

Abstract: Leuchtmittel (1) mit- mindestens einem optoelektronischen Halbleiterbauteil (2), das im Betrieb bei mindestens einer ersten Wellenlänge (L1) und mindesten einer zweiten Wellenlänge (L2) elektromagnetische Strahlung emittiert, wobei die erste Wellenlänge (L1) um 430 nm und die zweite Wellenlänge (L2) um 470 nm liegt, mit einer Toleranz von jeweils 10 nm, und- mindestens einem Konversionsmittel (3), das die erste Wellenlänge (L1) mindestens teilweise in Strahlung einer anderen Frequenz konvertiert, so dass ein vom Leuchtmittel (1) im Betrieb emittiertes Strahlungsspektrum metamer zu einem Schwarzkörperspektrum ist, wobei- das Konversionsmittel (3) die elektromagnetische Strahlung der ersten Wellenlänge (L1) wenigstens zu 50 % und die elektromagnetische Strahlung der zweiten Wellenlänge (L2) höchstens zu 90 % in die Strahlung der anderen Frequenz konvertiert, wobei ein Unterschied in der Konversion von erster Wellenlänge (L1) und zweiter Wellenlänge (L2) durch das Konversionsmittel (3) mindestens 5 Prozentpunkte beträgt und die zweite Wellenlänge (L2) zu einem geringeren Anteil konvertiert wird.

公开(公告)号：DE102008030253B4

公开(公告)日：2020-02-20

申请号：DE102008030253

申请日：2008-06-25

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BAUMANN FRANK DR ,  PETERSEN KIRSTIN DR ,  TAUTZ SÖNKE DR ,  LELL ALFRED ,  STRAUSS UWE DR

IPC: H01L33/50 ,  F21K9/64 ,  F21Y115/10 ,  F21Y115/30 ,  H01L33/64 ,  H01S5/02

Abstract: Konversionselement (1) mit einem lichtdurchlässigen Matrixmaterial (2), in dem Wärmeleitpartikel (4) und mindestens ein Konversionsmittel (3), das dazu ausgestaltet ist, Licht einer Wellenlänge mindestens zum Teil in Licht einer anderen Wellenlänge umzuwandeln, eingebettet sind,bei dem durch Konversionsmittel (3) und Wärmeleitpartikel (4) Wärmeleitpfade (P) gebildet sind, wobei das Konversionselement (1) mindestens zwei Kammern (7) aufweist, die mindestens stellenweise über wärmeleitfähige Zwischenwände (8) verbunden sind, wobei die Zwischenwände (8) reflektierend sowohl für zu konvertierende als auch für konvertierte Strahlung ausgestaltet sind, undwobei ein Volumenanteil der Wärmeleitpartikel (4) ein Prozent über einer Perkolationsschwelle der Wärmeleitpartikel (4) liegt, mit einer Toleranz von höchstens einem Volumenprozent.

公开(公告)号：DE102010053362A1

公开(公告)日：2012-06-06

申请号：DE102010053362

申请日：2010-12-03

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PETERSEN KIRSTIN ,  BAUMANN FRANK DR ,  EISERT DOMINIK DR ,  CUI HAILING DR

IPC: H01L33/50

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips angegeben, bei dem eine erste wellenlängenkonvertierende Schicht (8) über der Strahlungsaustrittsfläche (2) eines Halbleiterkörpers (1) aufgebracht wird, wobei das Aufbringungsverfahren aus der folgenden Gruppe gewählt ist: Sedimentation, Elektrophorese. Über der Strahlungsaustrittsfläche (2) des Halbleiterkörpers (1) wird weiterhin eine zweite wellenlängenkonvertierende Schicht (4) aufgebracht, wobei die zweite wellenlängenkonvertierende Schicht (4) entweder in einem separaten Verfahrensschritt hergestellt und nachfolgend aufgebracht wird oder das Aufbringungsverfahren aus der folgenden Gruppe gewählt ist: Sedimentation, Elektrophorese, Drucken. Weiterhin werden ein strahlungsemittierender Halbleiterchip sowie ein strahlungsemittierendes Bauelement angegeben.