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    Verfahren zum Herstellen eines elektrischen Kontaktbereiches auf einer Halbleiterschicht und Bauelement mit derartigem Kontaktbereich
    2.
    发明专利
    Verfahren zum Herstellen eines elektrischen Kontaktbereiches auf einer Halbleiterschicht und Bauelement mit derartigem Kontaktbereich 未知

    公开(公告)号：DE10308322B4

    公开(公告)日：2014-11-06

    申请号：DE10308322

    申请日：2003-02-26

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： PLÖSSL ANDREAS DR ,  ILLEK STEFAN DR ,  STAUSS PETER DR ,  WEGLEITER WALTER ,  WIRTH RALPH DR ,  STEIN WILHELM DR ,  PIETZONKA INES DR ,  DIEPOLD GUDRUN

    IPC: H01L33/00 ,  H01L21/283 ,  H01L33/30 ,  H01L33/40

    Abstract: Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterschichtenfolge für eine Leuchtdiode mit einer n-leitenden AlGaInP-basierten Schicht und einem elektrischen Kontaktbereich auf der n-leitenden AlGaInP-basierten Schicht, mit den Schritten: – Epitaktisches Aufwachsen der Halbleiterschichtenfolge auf ein Aufwachssubstrat, beginnend mit der n-leitenden AlGaInP-basierten Schicht, – Aufbringen der Halbleiterschichtenfolge auf einem Trägersubstrat mit der vom Aufwachssubstrat abgewandten Vorderseite der Halbleiterschichtenfolge, wobei eine Lotschicht zwischen dem Trägersubstrat und der epitaktischen Halbleiterschichtenfolge ausgebildet wird, – anschließendes Freilegen der n-leitenden AlGaInP-basierten Schicht durch zumindest teilweises Entfernen des Aufwachssubstrates sowie etwaiger Zwischenschichten zwischen dem Aufwachssubstrat und der epitaktisch gewachsenen Halbleiterschichtenfolge, – Aufbringen einer Schicht unmittelbar auf die freigelegte n-leitende AlGaInP-basierte Schicht, die mindestens einen der Stoffe Ti, Cr, V aufweist und die eine Dicke zwischen 1 nm und 20 nm aufweist, wobei die Grenzen jeweils eingeschlossen sind, – Aufbringen von elektrischem Kontaktmaterial, welches Au und mindestens einen Dotierstoff aufweist, unmittelbar auf die Schicht, die mindestens einen der Stoffe Ti, Cr, V aufweist, wobei der Dotierstoff mindestens ein Element aus der Gruppe Ge, Si, Sn und Te enthält, – Aufbringen eines elektrischen Rückseitenkontakts auf der von der epitaktischen Halbleiterschichtenfolge abgewandten Oberfläche des Trägersubstrats, – nachfolgendes Tempern der n-leitenden AlGaInP-basierten Schicht, des elektrischen Kontaktmaterials, der Schicht, mit der das elektrische Kontaktmaterial unterlegt ist, und des Rückseitenkontakts bei einer Temperatur, bei der die Lotschicht im Wesentlichen nicht aufschmilzt, wobei das elektrische Kontaktmaterial und der Rückseitenkontakt gleichzeitig getempert werden.

    Leuchtmittel
    3.
    发明专利
    Leuchtmittel 未知

    公开(公告)号：DE102008050643B4

    公开(公告)日：2022-11-03

    申请号：DE102008050643

    申请日：2008-10-07

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： STAUSS PETER DR ,  BAUMANN FRANK DR ,  WINDISCH REINER DR ,  PETER MATTHIAS DR

    IPC: H01L33/50 ,  H01S5/40

    Abstract: Leuchtmittel (1) mit- mindestens einem optoelektronischen Halbleiterbauteil (2), das im Betrieb bei mindestens einer ersten Wellenlänge (L1) und mindesten einer zweiten Wellenlänge (L2) elektromagnetische Strahlung emittiert, wobei die erste Wellenlänge (L1) um 430 nm und die zweite Wellenlänge (L2) um 470 nm liegt, mit einer Toleranz von jeweils 10 nm, und- mindestens einem Konversionsmittel (3), das die erste Wellenlänge (L1) mindestens teilweise in Strahlung einer anderen Frequenz konvertiert, so dass ein vom Leuchtmittel (1) im Betrieb emittiertes Strahlungsspektrum metamer zu einem Schwarzkörperspektrum ist, wobei- das Konversionsmittel (3) die elektromagnetische Strahlung der ersten Wellenlänge (L1) wenigstens zu 50 % und die elektromagnetische Strahlung der zweiten Wellenlänge (L2) höchstens zu 90 % in die Strahlung der anderen Frequenz konvertiert, wobei ein Unterschied in der Konversion von erster Wellenlänge (L1) und zweiter Wellenlänge (L2) durch das Konversionsmittel (3) mindestens 5 Prozentpunkte beträgt und die zweite Wellenlänge (L2) zu einem geringeren Anteil konvertiert wird.

    Detektoranordnung und Verfahren zur Bestimmung spektraler Anteile in einer auf eine Detektoranordnung einfallenden Strahlung
    4.
    发明专利
    Detektoranordnung und Verfahren zur Bestimmung spektraler Anteile in einer auf eine Detektoranordnung einfallenden Strahlung 未知

    公开(公告)号：DE102005043918B4

    公开(公告)日：2014-12-04

    申请号：DE102005043918

    申请日：2005-09-14

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： STAUSS PETER DR ,  JAEGER ARNDT DR

    IPC: H01L27/144 ,  G01J1/04 ,  G01J1/42

    Abstract: Detektoranordnung mit einer Mehrzahl von diskreten Strahlungsdetektoren (1, 2, 3), wobei – ein erster Strahlungsdetektor (1, 2, 3) und ein zweiter Strahlungsdetektor (1, 2, 3) der Detektoranordnung (10) jeweils einen Halbleiterkörper (11, 21, 31) mit einem zum Strahlungsempfang und zur Signalerzeugung vorgesehenen aktiven Bereich (12, 22, 32) und jeweils einen, dem jeweiligen Strahlungsdetektor zugeordneten Detektionsbereich aufweisen, – der Halbleiterkörper mindestens eines Strahlungsdetektors ein III-V-Halbleitermaterial enthält; – der aktive Bereich (12, 22, 32) des ersten Strahlungsdetektors (1, 2, 3) und der aktive Bereich (12, 22, 32) des zweiten Strahlungsdetektors (1, 2, 3) jeweils eine Funktionsschicht aufweisen, wobei eine Bandlücke der Funktionsschicht des aktiven Bereichs (12, 22, 32) des ersten Strahlungsdetektors (1, 2, 3) von einer Bandlücke der Funktionsschicht des aktiven Bereichs (12, 22, 32) des zweiten Strahlungsdetektors (1, 2, 3) verschieden ist und/oder eine Dicke der Funktionsschicht des aktiven Bereichs (12, 22, 32) des ersten Strahlungsdetektors (1, 2, 3) von einer Dicke der Funktionsschicht des aktiven Bereichs (12, 22, 32) des zweiten Strahlungsdetektors (1, 2, 3) verschieden ist; und – die Detektoranordnung (10) zur Bestimmung von Farbanteilen an den Grundfarben Rot, Grün und Blau in auf die Detektoranordnung einfallender Strahlung (40) vorgesehen und/oder ausgebildet ist.

    Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Halbleiterchips und derartiger Halbleiterchip
    6.
    发明专利
    Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Halbleiterchips und derartiger Halbleiterchip 未知

    公开(公告)号：DE102010052727B4

    公开(公告)日：2019-01-31

    申请号：DE102010052727

    申请日：2010-11-26

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： STAUSS PETER DR ,  BEHRES ALEXANDER DR

    IPC: H01L33/12

    Abstract: Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Halbleiterchips (10) mit einem Halbleiterschichtenstapel (1) basierend auf dem Materialsystem AlInGaP mit folgenden Verfahrensschritten:- Bereitstellen eines Aufwachssubstrats (2), das eine Siliziumoberfläche aufweist,- Aufbringen einer Nukleationsschicht (5) auf die Siliziumoberfläche, wobei die Nukleationsschicht (5) eine GaP-Schicht, eine AlGaP-Schicht oder eine AlP-Schicht ist,- Aufbringen einer zu Silizium pseudomorphen Zwischenschicht (4) aus AlInGaAsP, aufweisend Al, In, Ga, As und P, auf die Nukleationsschicht (5),- Anordnen eines kompressiv relaxierten Bufferschichtenstapels (3) aus AlInGaAsP, aufweisend Al, In, Ga, As und P, auf der Zwischenschicht (4), wobei eine Gitterkonstante des Bufferschichtenstapels (3) in Richtung Halbleiterschichtenstapel (1) graduell zunehmend ausgebildet wird,- Metamorphes, epitaktisches Aufwachsen des Halbleiterschichtenstapels (1) auf dem Bufferschichtenstapel (3), wobei der Halbleiterschichtenstapel (1) eine zur Strahlungserzeugung vorgesehene aktive Schicht aufweist.

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