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    Halbleiterchip für die Optoelektronik
    1.
    发明专利
    Halbleiterchip für die Optoelektronik 未知

    公开(公告)号：DE10291889B4

    公开(公告)日：2013-02-21

    申请号：DE10291889

    申请日：2002-04-26

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： WIRTH RALPH DR

    IPC: H01L33/58 ,  H01L33/20 ,  H01L33/38 ,  H01L33/44

    Abstract: Halbleiterchip für die Optoelektronik mit einem Substrat (2), auf dem eine Halbleiterschichtfolge (3) mit einer Photonen emittierenden aktiven Zone (5) und mit einer nachfolgenden Fensterschicht (6) angeordnet ist, dadurch gekennzeichnet, daß die Fensterschicht (6) in einem Bereich so strukturiert ist, dass – eine imaginäre Linse (7) in Gestalt einer Halbkugel mit einem Mittelpunkt, der auf die aktive Zone (5) zentriert ist, angenommen wird und – der strukturierte Bereich der Fensterschicht sich konstruktiv durch abschnittsweise Zentralprojektion von Oberflächenbereichen der imaginären Linse (7) auf deren Mittelpunkt ergibt.

    Lumineszenzdiodenchip mit Stromaufweitungsschicht und Verfahren zu dessen Herstellung
    2.
    发明专利
    Lumineszenzdiodenchip mit Stromaufweitungsschicht und Verfahren zu dessen Herstellung 未知

    公开(公告)号：DE102005061797B4

    公开(公告)日：2020-07-09

    申请号：DE102005061797

    申请日：2005-12-23

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： STREUBEL KLAUS DR ,  WIRTH RALPH DR ,  HAHN BERTHOLD DR ,  AHLSTEDT MAGNUS ,  ALBRECHT TONY ,  ILLEK STEFAN

    IPC: H01L33/14 ,  H01L33/42

    Abstract: Lumineszenzdiodenchip, der eine zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung geeignete epitaktische Halbleiterschichtenfolge (1), einen elektrischen Anschlusskörper (2), eine mit dem Anschlusskörper elektrisch leitend verbundene strahlungsdurchlässige Stromaufweitungsschicht (3) mit einem TCO, und mindestens eine Strombarriere (4) aufweist, die geeignet ist, die Erzeugung der Strahlung in einem vom Anschlusskörper lateral bedeckten Bereich durch eine verringerte Stromdichte selektiv zu verhindern oder zu verringern,wobei die Strombarriere durch eine Grenzfläche zwischen der Halbleiterschichtenfolge (1) und der Stromaufweitungsschicht (3) gebildet ist,wobei eine Außenfläche der Halbleiterschichtenfolge (1), die durch eine Kontaktschicht (15) gebildet ist, in einem Teilbereich (150) aufgeraut ist mit einer Größe von Strukturelementen und mit einer Strukturtiefe von kleiner als 200 nm, sodass in dem Teilbereich (150) kein elektrisch leitfähiger Kontakt oder ein elektrisch leitfähiger Kontakt mit einer Leitfähigkeit von weniger als einem Zehntel der elektrischen Leitfähigkeit des Kontaktes in verbleibenden Bereichen der Stromaufweitungsschicht (3) und der Halbleiterschichtenfolge (1) ausgebildet ist.

    Strahlung emittierendes Bauelement und Verfahren zur Herstellung des Strahlung emittierenden Bauelements
    4.
    发明专利
    Strahlung emittierendes Bauelement und Verfahren zur Herstellung des Strahlung emittierenden Bauelements 未知

    公开(公告)号：DE102010034913A1

    公开(公告)日：2012-02-23

    申请号：DE102010034913

    申请日：2010-08-20

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： KRAEUTER GERTRUD DR ,  WIRTH RALPH DR

    IPC: H01L33/50 ,  H01S5/02

    Abstract: Eine Ausführungsform der Erfindung beschreibt ein Strahlung emittierendes Bauelement (1) umfassend: – eine Halbleitermaterialien enthaltende Strahlungsquelle (10), die im Betrieb eine erste Strahlung erster Wellenlänge emittiert; – einen transparenten Körper (20), der ein Matrixmaterial und einen anorganischen Füllstoff umfasst und der zumindest teilweise im Strahlengang (11) der ersten Strahlung angeordnet ist; und – ein Konvertermaterial (30), das zumindest teilweise im Strahlengang (11) der ersten Strahlung angeordnet ist und die erste Strahlung zumindest teilweise in eine zweite Strahlung mit einer zweiten, längeren Wellenlänge konvertiert. Dabei steht das Konvertermaterial (30) zumindest teilweise in einem thermisch leitenden Kontakt mit zumindest einem Teil des Füllstoffs des transparenten Körpers (20).

    Beleuchtungsmodul
    6.
    发明专利
    Beleuchtungsmodul 未知

    公开(公告)号：DE102010046300A1

    公开(公告)日：2012-04-19

    申请号：DE102010046300

    申请日：2010-09-22

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： BERGENEK KRISTER DR ,  WIRTH RALPH DR ,  SABATHIL MATTHIAS DR

    IPC: H01L25/075 ,  F21K99/00 ,  H01L33/50 ,  H05B44/00

    Abstract: Es wird ein Beleuchtungsmodul angegeben, das ein erstes Licht emittierendes Halbleiterbauelement (1), das im Betrieb rotes Licht (901) abstrahlt, ein zweites Licht emittierendes Halbleiterbauelement (2), das im Betrieb grünes Licht (902) abstrahlt, und ein drittes Licht emittierendes Halbleiterbauelement (3), das im Betrieb blaues oder kaltweißes Licht (903) abstrahlt, aufweist, wobei das zweite Halbleiterbauelement (2) einen blau emittierenden zweiten Halbleiterchip und ein zweites Wellenlängenkonversionselement aufweist, das einen Anteil von größer oder gleich 90% des vom zweiten Halbleiterchip emittierten blauen Lichts in das grüne Licht (902) umwandelt, und wobei eine Überlagerung des vom ersten, zweiten und dritten Halbleiterbauelement (1, 2, 3) jeweils abgestrahlten Lichts (901, 902, 903) warmweißes Licht (904) ergibt.

    Optoelektronischer Halbleiterchip
    9.
    发明专利
    Optoelektronischer Halbleiterchip 未知

    公开(公告)号：DE102008048648B4

    公开(公告)日：2025-05-15

    申请号：DE102008048648

    申请日：2008-09-24

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： WIRTH RALPH DR ,  WINDISCH REINER DR

    IPC: H10H20/841 ,  H10H20/83

    Abstract: Optoelektronischer Halbleiterchip (10) mit- einer Halbleiterschichtenfolge (5) zur Erzeugung einer elektromagnetischen Strahlung und- einem Spiegel (3), wobei- der Spiegel (3) eine Hauptfläche (4) aufweist, an der sich die Halbleiterschichtenfolge (5) befindet,- die Hauptfläche (4) in einer lateralen Richtung (L) in mindestens einen ersten (1) und mindestens einen zweiten Teilbereich (2) strukturiert ist, wobei der von dem mindestens einen ersten Teilbereich (1) gebildete Anteil an der Hauptfläche (4) zwischen einschließlich 30 % und 60 % liegt,- der mindestens eine erste Teilbereich (1) ein transparentes leitfähiges Oxid und der mindestens eine zweite Teilbereich (2) ein transparentes Dielektrikum aufweist, und- sich an dem mindestens einen ersten Teilbereich (1) und an dem mindestens einen zweiten Teilbereich (2) an einer der Halbleiterschichtenfolge (5) abgewandten Seite (6) wenigstens stellenweise eine zum Spiegel (3) gehörige Metallschicht (7) befindet, und- mit einem zumindest teiltransparenten Metallfilm (8), der sich zwischen der Halbleiterschichtenfolge (5) und dem mindestens einen ersten (1) und dem mindestens einen zweiten Teilbereich (2) befindet, wobei der mindestens eine erste (1) und der mindestens eine zweite Teilbereich (2) an der der Halbleiterschichtenfolge (4) abgewandten Seite (6) lateral teilweise überlappen.

    Optoelektronischer Dünnfilmchip mit integrierter Linse und Verfahren zu seiner Herstellung
    10.
    发明专利
    Optoelektronischer Dünnfilmchip mit integrierter Linse und Verfahren zu seiner Herstellung 未知

    公开(公告)号：DE102004046792B4

    公开(公告)日：2023-01-19

    申请号：DE102004046792

    申请日：2004-09-27

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： STREUBEL KLAUS DR ,  WIRTH RALPH DR

    IPC: H01L33/00 ,  H01L33/08 ,  H01L33/14 ,  H01L33/20 ,  H01L33/38

    Abstract: Optoelektronischer Dünnfilmchip, aufweisend- wenigstens einen strahlungsemittierenden Bereich (8) in einer aktiven Zone (7) einer Dünnfilmschicht (2), und- eine dem strahlungsemittierenden Bereich (8) nachgeordnete Linse (10, 12), die durch zumindest einen Teilbereich der Dünnfilmschicht (2) gebildet ist,- einen Träger (1), auf den die Dünnfilmschicht (2) aufgebracht ist,- zumindest einen Stromeinkoppelbereich (6), der zwischen Träger (1) und Dünnfilmschicht (2) angeordnet ist,- wenigstens eine Vertiefung (13) in einer Grenzfläche der Dünnfilmschicht (2), die dem Träger (1) zugewandt ist, wobei- die laterale Ausdehnung (Φ) der Linse (10, 12) größer ist als die laterale Ausdehnung des strahlungsemittierenden Bereichs und- die laterale Ausdehnung (Φ) der Linse (10, 12) größer ist als die laterale Ausdehnung (δ) des Stromeinkoppelbereichs (6),- die Vertiefung (13) den Stromeinkoppelbereich (6) zumindest teilweise umgibt,- die Vertiefung (13) die aktive Zone (7) nicht durchtrennt.

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