Abstract:
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines oberflächenmontierbaren Multichip-Bauelements (101; 102; 103; 104; 105). Das Verfahren umfasst ein Bereitstellen einer Chipanordnung. Die Chipanordnung weist eine an einer Rückseite freiliegende metallische Leiterstruktur (110), mehrere Halbleiterchips (150) und ein Gehäusematerial (160) auf. Das Verfahren umfasst ferner ein Ausbilden einer Lötstoppbeschichtung (170) auf der Rückseite der bereitgestellten Chipanordnung. Die Lötstoppbeschichtung (170) trennt Anschlussbereiche (121) der Leiterstruktur (110). Die Erfindung betrifft des Weiteren ein oberflächenmontierbares Multichip-Bauelement (101; 102; 103; 104; 105).
Abstract:
Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauelements mit einem Trägerelement (100) angegeben mit den Schritten: - Herstellung des Trägerelements (100), aufweisend die Schritte : A) Bereitstellen einer ersten Metallschicht (1) mit einem ersten Metallmaterial, wobei die erste Metallschicht (1) eine erste und eine zweite Hauptoberfläche (10, 11) aufweist, die voneinander abgewandt sind, B) Aufbringen einer zweiten Metallschicht (2) mit einem zweiten Metallmaterial auf zumindest einer der Hauptoberflächen (10, 11), C) Umwandeln eines Teils der zweiten Metallschicht (2) in eine dielektrische Keramikschicht (3), wobei das zweite Metallmaterial einen Bestandteil der Keramikschicht (3) bildet und die Keramikschicht (3) eine der ersten Metallschicht (1) abgewandte Oberfläche (30) über der zweiten Metallschicht (2) bildet; - Anordnung zumindest eines elektronischen Halbleiterchips (21) auf dem Trägerelement (100). Weiterhin wird ein elektronisches Bauelement mit einem Trägerelement (100) angegeben.
Abstract:
Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils sowie optoelektronisches Halbleiterbauteil und optoelektronische Anordnung Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauteil angegeben, mit: • - zumindest einem optoelektronischen Halbleiterbauelement (2), umfassend zumindest einen optoelektronischen Halbleiterchip (21) und ein Gehäuse (22), und • - zumindest einem optisch inaktiven Bauelement (4, 5), wobei • - das zumindest eine optoelektronische Halbleiterbauelement (2) und das zu mindest eine optisch inaktive Bauelement (4, 5) an ihren lateral liegenden Seitenflächen (2c, 4c, 5c) über einen Strahlung um durchlässigen Formkörper (6) miteinander verbunden sind. Es wird auch ein mittels dieses Verfahrens hergestelltes Bauteil angegeben.
Abstract:
In mindestens einer Ausführungsform des Verfahrens dient dieses zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen (1) und umfasst die Schritte: Bereitstellen eines Leiterrahmenverbunds (2) mit einer Vielzahl von Leiterrahmen (3), wobei die Leiterrahmen (3) je mindestens zwei Leiterrahmenteile (34, 38) umfassen und die Leiterrahmen (3) in dem Leiterrahmenverbund (2) durch Verbindungsstege (6) elektrisch miteinander verbunden sind, Anbringen des Leiterrahmenverbunds (2) auf einem Zwischenträger (12), Entfernen und/oder Unterbrechen mindestens eines Teils der Verbindungsstege (6), Anbringen von zusätzlichen elektrischen Verbindungsmitteln (4) zwischen benachbarten Leiterrahmen (3) und/oder Leiterrahmenteilen (34, 38), Erstellen eines Vergusskörpers (50), wobei der Vergusskörper (50) die Leiterrahmenteile (34, 38) der einzelnen Leiterrahmen (3) mechanisch miteinander verbindet, und Vereinzeln zu den Halbleiterbauteilen (1).
Abstract:
Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement angegeben, mit einem Träger (1) der eine Oberseite (12) und eine der Oberseite (12) gegenüberliegende Unterseite (11) aufweist, wobei der Träger (1) mit einem elektrisch leitenden Montagebereich (1A), einem elektrisch leitenden Anschlussbereich (1C) sowie einem elektrisch isolierenden Oxidationsbereich (1B) gebildet ist; zumindest einem an der Oberseite des Trägers (1) im Bereich des Montagebereichs (1A) angeordnetes optoelektronisches Bauteil (2), wobei der Oxidationsbereich (1B) den Montagebereich (1A) von dem Anschlussbereich (1C) elektrisch isoliert, der Oxidationsbereich (1B) sich unterbrechungsfrei von der Oberseite (12) des Trägers (1) hin zur Unterseite (11) des Trägers (1) erstreckt, der Montagebereich (1A) und der Anschlussbereich (1B) mit Aluminium (10) gebildet sind, der Oxidationsbereich (1B) mit einem Oxid (15) des Aluminiums (10) gebildet ist, und der Montagebereich (1A), der Oxidationsbereich (1B) und der Anschlussbereich (1C) zusammenhängend ausgebildet sind und eine Einheit bilden.
Abstract:
Es wird ein Leuchtdiodenbauteil (10) mit einer ersten Leuchtdiode (1), einer zweiten Leuchtdioden (2) und einer Linse (3) angegeben. Die Linse weist eine Lichteintrittsfläche (31) und eine Lichtaustrittsfläche (32) auf. Zumindest die Lichtaustrittsfläche (32) ist derart gewölbt, dass die Linse (3) einen Strichfokus (300) aufweist. Die erste Leuchtdiode (1), die zweite Leuchtdiode (2) und die Linse (3) sind derart angeordnet, dass die Lichteintrittsfläche (31) der ersten und zweiten Leuchtdiode (1, 2) zugewandt ist und der Strichfokus (300) in Draufsicht auf die Lichtaustrittsfläche (32) zwischen der ersten Leuchtdiode (1) und der zweiten Leuchtdiode (2) angeordnet ist.
Abstract:
In mindestens einer Ausführungsform des oberflächenmontierbaren, optoelektronischen Halbleiterbauteils (1) umfasst dieses eine Montagefläche (10) an einer Bauteilunterseite, einen um eine Ausnehmung (9) umlaufenden Gehäusegrundkörper (4), der einen Teil der Montagefläche (10) bildet, und mindestens zwei elektrische Anschlussstücke (2), die ebenfalls einen Teil der Montagefläche (10) bilden und die den Gehäusegrundkörper (4) lateral nicht überragen. Die Ausnehmung (9) reicht hierbei bis zu den Anschlussstücken (2). Des Weiteren umfasst das Halbleiterbauteil (1) mindestens einen strahlungsemittierenden, optoelektronischen Halbleiterchip (3), der sich in der Ausnehmung (9) befindet und über die Anschlussstücke (2) elektrisch kontaktiert und auf mindestens einem Anschlussstück (2) aufgebracht ist. Außerdem weist das Halbleiterbauteil (1) mindestens einen Abschirmkörper (5) auf, der sich zwischen dem Halbleiterchip (3) und dem Gehäusegrundkörper (4) befindet, wobei der Abschirmkörper (5) eine vom Halbleiterchip (3) emittierte Strahlung vom Gehäusegrundkörper (4) abschirmt.
Abstract:
Eine Anordnung mit mindestens einem optoelektronischen Halbleiterbauelement (101) weist eine zum Tragen des mindestens einen optoelektronischen Halbleiterbauelements geeignete Trägerelementanordnung (108) auf. Die Anordnung weist einen aus einem Licht absorbierenden Kunststoff gebildeten Gehäusekörper (103) auf, der an der Trägerelementanordnung angeordnet ist. Der Gehäusekörper umfasst einen erhöhten Bereich (104) und einen zurückgesetzten Bereich (105). Zwischen dem erhöhten und dem zurückgesetzten Bereich ist eine schräge Flanke (115) gebildet. Der zurückgesetzte Bereich reicht bis an das optoelektronische Halbleiterbauelement, um Reflexionen zu verringern.
Abstract:
Die Erfindung betrifft ein Licht emittierendes Bauelement (1) mit zumindest einem Licht emittierenden Halbleiterelement (4), das an einem Träger (3) angeordnet und zumindest teilweise von einer Kappe (9) mit einer Lichtaustrittsfläche (10) umgeben ist, wobei die Kappe (9) durch ein Vacuum Injection Molding Verfahren hergestellt ist
Abstract:
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von Licht emittierenden Bauelementen (1) jeweils mit zumindest einem Licht emittierenden Halbleiterelement (2), umfassend die Schritte eines Anordnens, Befestigens und Verdrahtens mehrerer Halbleiterelemente (2) jeweils auf einem Substrat (3); Einbringens eines Füllstoffs (8) in Zwischenräume zwischen den Halbleiterelementen (2); Einbringens des Substrats (3) mit den daran befestigten Halbleiterelementen (2) und dem Füllstoff (8) in einen Hohlraum (12) eines Formwerkzeugs (9); Erzeugens eines Unterdrucks in dem Hohlraum (12) des Formwerkzeugs (9); Einbringens eines Matrixmaterials (14) in den Füllstoff (8); Aushärtens des Matrixmaterials (14); Ausformens des Substrats (3) mit den Licht emittierenden Bauelementen (1); und Vereinzelns der Bauelemente (1).