公开(公告)号：KR20180056739A

公开(公告)日：2018-05-29

申请号：KR20187011322

申请日：2016-07-29

Applicant: QUALCOMM INC

Inventor： GU SHIQUN ,  KIM DAEIK DANIEL ,  NOWAK MATTHEW MICHAEL ,  KIM JONGHAE ,  YUN CHANGHAN HOBIE ,  LAN JE HSIUNG JEFFREY ,  BERDY DAVID FRANCIS

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306 ,  H01L21/762 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L23/49894 ,  H01L21/304 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/76251 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/84 ,  H01L23/528 ,  H01L23/66 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1266 ,  H01L29/1087 ,  H01L29/66772 ,  H05K999/99

Abstract: 집적회로(IC)는유리기판상에제1 반도체디바이스를포함한다. 제1 반도체디바이스는벌크실리콘웨이퍼의제1 반도체지역을포함한다. IC는유리기판상에제2 반도체디바이스를포함한다. 제2 반도체디바이스는벌크실리콘웨이퍼의제2 반도체지역을포함한다. IC는제1 반도체지역과제2 반도체지역사이에기판관통트렌치(trench)를포함한다. 기판관통트렌치는벌크실리콘웨이퍼의표면을넘어배치된부분을포함한다.

公开(公告)号：ES2718487T3

公开(公告)日：2019-07-02

申请号：ES11752672

申请日：2011-08-03

Applicant: QUALCOMM INC

Inventor： RAO HARI M ,  KIM JUNG PILL ,  KANG SEUNG H ,  ZHU XIAOCHUN ,  KIM TAE HYUN ,  LEE KANGHO ,  LI XIA ,  HSU WAH NAM ,  HAO WUYANG ,  SUH JUNGWON ,  YU NICHOLAS K ,  NOWAK MATTHEW MICHAEL ,  MILLENDORF STEVEN M ,  ASHKENAZI ASAF

IPC: G11C17/16 ,  G11C11/16 ,  G11C17/02

公开(公告)号：SG187688A1

公开(公告)日：2013-03-28

申请号：SG2013008131

申请日：2011-08-03

Applicant: QUALCOMM INC

Inventor： RAO HARI M ,  KIM JUNG PILL ,  KANG SEUNG H ,  ZHU XIAOCHUN ,  KIM TAE HYUN ,  LEE KANGHO ,  LI XIA ,  HSU WAH NAM ,  HAO WUYANG ,  SUH JUNGWON ,  YU NICHOLAS K ,  NOWAK MATTHEW MICHAEL ,  MILLENDORF STEVEN M ,  ASHKENAZI ASAF

Abstract: A method of generating a non-reversible state at a bitcell having a first magnetic tunnel junction (MTJ) and a second MTJ includes applying a program voltage to the first MTJ of the bitcell without applying the program voltage to the second MTJ of the bitcell. A memory device includes a bitcell having a first MTJ and a second MTJ and programming circuitry configured to generate a non-reversible state at the bitcell by applying a program signal to a selected one of the first MTJ and the second MTJ of the bitcell.

公开(公告)号：CA2736272A1

公开(公告)日：2010-04-08

申请号：CA2736272

申请日：2009-09-18

Applicant: QUALCOMM INC

Inventor： NOWAK MATTHEW MICHAEL ,  CHUA-EOAN LEW ,  KANG SEUNG H

IPC: G06F1/32

Abstract: A computing system includes at least one functional unit and a magnetic random access memory (MRAM) block coupled to the at least one functional unit. The MRAM block is configured to store a functional state of the at least one functional unit during a power down state of the at least one functional unit.

公开(公告)号：CA2952504A1

公开(公告)日：2016-01-14

申请号：CA2952504

申请日：2015-06-04

Applicant: QUALCOMM INC

Inventor： KASKOUN KENNETH ,  ZHANG RONGTIAN ,  NOWAK MATTHEW MICHAEL ,  GU SHIQUN

IPC: H01L21/48 ,  A61B5/00 ,  A61M37/00 ,  H01L23/50

Abstract: An integrated circuit (IC) module with a lead frame micro-needle for a medical device, and methods of forming the IC module are described. The methods include forming a lead frame blank including a micro-needle integrally formed therein. The micro-needle may be bent beyond an initial lower side of the lead frame blank. The initial lower side may be joined with a protection layer such that the bent micro-needle is embedded in the protection layer, which may be removably attached to the initial lower side and the bent micro-needle. An IC component may be affixed to an upper side of the lead frame blank. The IC component and an upper surface of a core of the lead frame blank may be encapsulated with a molding compound forming a packaging of the IC module. Removal of the protection layer may expose the bent micro-needle projecting away from the packaging.

公开(公告)号：ES2391428T3

公开(公告)日：2012-11-26

申请号：ES08744798

申请日：2008-03-31

Applicant: QUALCOMM INC

Inventor： CHUA-EOAN LEW G ,  NOWAK MATTHEW MICHAEL ,  KANG SEUNG H

IPC: H03K19/177 ,  G11C11/16

Abstract: Una matriz lógica programable, que comprendeuna pluralidad de dispositivos de unión de túnel magnético de par de transferencia por rotación, MTJ, (210)dispuestos en una matriz; yuna pluralidad de fuentes programables (512, 514) acopladas a los correspondientes dispositivos MTJ (210)para cambiar la polaridad de una capa libre de cada dispositivo MTJ (210),en la cual un primer grupo de dispositivos MTJ (210) están dispuestos en columnas y filas de un plano deentrada (220),en la cual un segundo grupo de los dispositivos MTJ (210) están dispuestos en al menos una columna deun plano de salida (240), y una salida de cada fila del plano de entrada (220) está acoplada a un dispositivoMTJ de la al menos una columna del planos de salida (240), yen el cual el plano de entrada (220) y el plano salida (240) están combinados para formar una funciónlógica basada en las polaridades relativas de la capa libre de los dispositivos MTJ (210) de diferentescolumnas dentro de una fila en el plano de entrada (220) y los dispositivos MTJ (210) de la al menos unacolumna en el plano de salida (240).

公开(公告)号：MX2011002703A

公开(公告)日：2011-04-21

申请号：MX2011002703

申请日：2009-09-18

Applicant: QUALCOMM INC

Inventor： KANG SEUNG H ,  NOWAK MATTHEW MICHAEL ,  CHUA-EOAN LEW

IPC: G06F1/32

Abstract: Un sistema de cómputo incluye al menos una unidad funcional y un bloque de memoria de acceso aleatorio magnética (MRAM - magnetic random access memory) acoplada al menos a una unidad funcional. El bloque de MRAM se configura para almacenar un estado funcional de al menos una unidad funcional durante un estado de apagado de al menos una unidad funcional.

公开(公告)号：AU2017216313A1

公开(公告)日：2018-07-19

申请号：AU2017216313

申请日：2017-01-06

Applicant: QUALCOMM INC

Inventor： MACHKAOUTSAN VLADIMIR ,  SONG STANLEY SEUNGCHUL ,  BADAROGLU MUSTAFA ,  ZHU JOHN JIANHONG ,  BAO JUNJING ,  XU JEFFREY JUNHAO ,  YANG DA ,  NOWAK MATTHEW MICHAEL ,  YEAP CHOH FEI

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/06 ,  H01L29/423

Abstract: A device includes a substrate, a first nanowire field effect transistor (FET), and a second nanowire FET positioned between the substrate and the first nanowire FET. The device also includes a first nanowire electrically coupled to the first nanowire FET and to the second nanowire FET.

公开(公告)号：BRPI0809447A2

公开(公告)日：2014-09-09

申请号：BRPI0809447

申请日：2008-03-31

Applicant: QUALCOMM INC

Inventor： CHUA-EOAN LEW G ,  NOWAK MATTHEW MICHAEL ,  KANG SEUNG H

IPC: H03K19/177 ,  G11C11/16

Abstract: Systems, circuits and methods for software programmable logic using Spin Transfer Torque Magnetoresistive Random Access Memory (STT-MRAM) technology are disclosed. Magnetic tunnel junction (MTJ) storage elements can be formed into input planes and output planes. The input planes and output planes can be coupled together to form complex arrays that allow for the realization of logic functions.

公开(公告)号：AR082475A1

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：ARP110102812

申请日：2011-08-03

Applicant: QUALCOMM INC

Inventor： RAO HARI M ,  KIM JUNG PILL ,  KANG SEUNG H ,  ZHU XIAOCHUN ,  KIM TAE HYUN ,  LEE KANGHO ,  LI XIA ,  HSU WAH NAM ,  HAO WUYANG ,  SUH JUNGWON ,  YU NICHOLAS K ,  NOWAK MATTHEW MICHAEL ,  MILLENDORF STEVEN M ,  ASHKENAZI ASAF

IPC: G11C11/16 ,  G11C17/02 ,  G11C17/16

Abstract: Un método para generar un estado no reversible en una celda de bits con un primer empalme de túnel magnético (MTJ) y un segundo MTJ incluye aplicar un voltaje programado al primer MTJ de la celda de bits sin aplicar el voltaje programado al segundo MTJ de la celda de bits. Un dispositivo de memoria incluye una celda de bits con un primer MTJ y un segundo MTJ y sistemas de circuitos de programación configurados para generar un estado no reversible en la celda de bits al aplicar una señal programada a uno seleccionado del primer MTJ o del segundo MTJ de la celda de bits.