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公开(公告)号：FR3025056A1
公开(公告)日：2016-02-26
申请号：FR1457937
申请日：2014-08-22
Inventor： FERROTTI THOMAS , BEN BAKIR BADHISE , CHANTRE ALAIN , CREMER SEBASTIEN , DUPREZ HELENE
IPC: H01S5/026
Abstract: L'invention concerne un dispositif laser (1) disposé dans et/ou sur silicium et à hétéro structure III-V comprenant ○ un milieu amplificateur (3) à hétérostructure III-V, et ○ un guide d'onde optique en arête (11), disposé en regard du milieu amplificateur (3) et comprenant un guide d'onde en ruban (15) doté d'une arête longitudinale (17), le guide d'onde optique en arête (11) étant disposé dans du silicium. Le guide d'onde optique en arête (11) est orienté de manière à ce qu'au moins un réseau de Bragg (19, 19a, 19b) est disposée sur la face (21) du guide d'onde en ruban (15) qui est proximale par rapport au milieu amplificateur (3) et en ce que l'arête (17) est disposée sur la face (23) du guide d'onde en ruban (15) qui est distale par rapport au milieu amplificateur (3).
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公开(公告)号：FR3007589A1
公开(公告)日：2014-12-26
申请号：FR1355991
申请日：2013-06-24
Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 , ST MICROELECTRONICS SA
Inventor： CHANTRE ALAIN , CREMER SEBASTIEN
IPC: H01S5/026
Abstract: Circuit intégré photonique, comprenant une couche de silicium contenant un guide d'ondes (GO) et au moins un autre composant photonique, une première région isolante (4) disposée au dessus d'une première face (F1) de la couche de silicium et encapsulant un ou plusieurs niveaux de métallisation (M1-M4), une deuxième région isolante (9) disposée au dessus d'une deuxième face (F2) de la couche de silicium et encapsulant au moins le milieu amplificateur (800) d'une source laser (SL) optiquement couplée avec le guide d'ondes (GO).
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公开(公告)号：FR3024910A1
公开(公告)日：2016-02-19
申请号：FR1457861
申请日：2014-08-18
Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2
Inventor： CHANTRE ALAIN , CREMER SEBASTIEN
Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication d'un circuit intégré comprenant des composants photoniques (19, 21, 23, 25) sur silicium et un laser (59) en un matériau III-V, le procédé comprenant les étapes successives suivantes : a) prévoir une couche de silicium (3) reposant sur une première couche isolante reposant sur un support ; b) graver des premières tranchées (1, 1') à travers la couche de silicium (3) en s'arrêtant sur la première couche isolante et recouvrir les premières tranchées d'une couche de nitrure de silicium (13) ; c) graver des deuxièmes tranchées (15) à travers une partie seulement de l'épaisseur de la couche de silicium (3) ; d) remplir les premières et deuxièmes tranchées d'oxyde de silicium (17) et aplanir ; e) éliminer le support et la première couche isolante ; et f) coller, du côté de la face arrière (F1), une plaque comportant une hétérostructure III-V.
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公开(公告)号：FR3007589B1
公开(公告)日：2015-07-24
申请号：FR1355991
申请日：2013-06-24
Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 , ST MICROELECTRONICS SA
Inventor： CHANTRE ALAIN , CREMER SEBASTIEN
IPC: H01S5/026
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