公开(公告)号：FR2959868A1

公开(公告)日：2011-11-11

申请号：FR1053552

申请日：2010-05-06

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 ,  ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： FIORI VINCENT ,  DELPECH PHILIPPE ,  SABOURET ERIC

IPC: H01L23/50

Abstract: Dispositif semi-conducteur comprenant un circuit intégré et des plots de connexion électrique extérieure, dans lequel les plots (3) présentent des évidements (E) au moins partiellement remplis par une matière différente de celle les constituant, de façon à former des inserts (I).

公开(公告)号：FR2996354A1

公开(公告)日：2014-04-04

申请号：FR1259258

申请日：2012-10-01

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： DELPECH PHILIPPE ,  SABOURET ERIC ,  GALLOIS-GARREIGNOT SEBASTIEN

IPC: H01L23/485

Abstract: La présente invention concerne un dispositif semiconducteur (2) comprenant au moins une plage (25) formée sur ou donnant sur une surface supérieure du dispositif, et une structure d'arrêt de fissure en métal (40) agencée au-dessous de la plage, épousant une enveloppe interne et une enveloppe externe configurées de sorte que la projection verticale du bord (25') de la plage est comprise entre les enveloppes interne et externe de la structure d'arrêt de fissure.

公开(公告)号：FR2885452A1

公开(公告)日：2006-11-10

申请号：FR0504536

申请日：2005-05-04

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： GIRAUDIN JEAN CHRISTOPHE ,  FIORI VINCENT ,  DELPECH PHILIPPE

IPC: H01L27/06 ,  H01L21/02

Abstract: Circuit intégré comprenant au moins un condensateur 6 formé sur une couche 1 munie d'au moins une tranchée 2, ledit condensateur 6, muni d'une couche diélectrique 4 séparant deux électrodes 3,5, épousant la forme de la tranchée 2, le condensateur 6 laissant subsister une partie 2d de la tranchée 2 et en ce qu'un matériau 7,8 susceptible d'absorber les contraintes liées aux déplacements des parois de la tranchée est disposé dans ladite partie 2d de la tranchée 2.