公开(公告)号：FR3007520A1

公开(公告)日：2014-12-26

申请号：FR1356085

申请日：2013-06-25

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 ,  ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： FIORI VINCENT ,  BAR PIERRE ,  GALLOIS-GARREIGNOT SEBASTIEN

IPC: G01L1/20 ,  H01L21/66

Abstract: Système comprenant : - un objet (OBJ) comprenant au moins quatre résistances planes (R1, R2, R3, R4) disposées sur une même surface plane de l'objet, l'une au moins des résistances (R4) ayant une géométrie différente des autres, - des moyens configurés pour mesurer une variation de résistance desdites résistances (MRES), - des moyens configurés pour déterminer un champ de contraintes à partir d'un système d'équations faisant intervenir ledit champ de contraintes, des valeurs de variations de valeurs résistives mesurées et des paramètres de sensibilité des résistances (DCHP). L'invention concerne aussi un procédé de détermination d'un champ de contraintes.

公开(公告)号：FR2959868A1

公开(公告)日：2011-11-11

申请号：FR1053552

申请日：2010-05-06

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 ,  ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： FIORI VINCENT ,  DELPECH PHILIPPE ,  SABOURET ERIC

IPC: H01L23/50

Abstract: Dispositif semi-conducteur comprenant un circuit intégré et des plots de connexion électrique extérieure, dans lequel les plots (3) présentent des évidements (E) au moins partiellement remplis par une matière différente de celle les constituant, de façon à former des inserts (I).

公开(公告)号：FR2956244A1

公开(公告)日：2011-08-12

申请号：FR1050822

申请日：2010-02-05

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 ,  ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： FIORI VINCENT ,  HOTELLIER NICOLAS ,  PRUVOST JULIEN ,  DELOFFRE EMILIE

IPC: H01L21/78

Abstract: L'invention concerne un dispositif comprenant un substrat semiconducteur (30) en surface duquel sont formés des composants électroniques (32) répartis en puces, comprenant en outre au moins une plaquette (36) fixée au-dessus des composants électroniques avec interposition d'une couche intermédiaire (38), caractérisé en ce que, en regard de zones de découpe définies entre les puces, la couche intermédiaire comprend une alternance de premières régions (38A) et d'au moins de secondes régions (38B) en des matériaux présentant des valeurs distinctes d'une caractéristique mécanique.

公开(公告)号：FR3020499A1

公开(公告)日：2015-10-30

申请号：FR1453723

申请日：2014-04-25

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： FIORI VINCENT ,  GALLOIS-GARREIGNOT SEBASTIEN ,  RIDEAU DENIS ,  TAVERNIER CLEMENT

IPC: H01L23/52 ,  H01L29/04

Abstract: Le circuit intégré comprend au sein d'un substrat (SB) contenant du silicium et orienté selon la face cristallographique (100), au moins une région active (ZA) limitée par une région isolante (RIS) et au moins un transistor PMOS (TR) situé dans et sur ladite région active. Le canal (CNL) du transistor PMOS est orienté longitudinalement selon une direction cristallographique de type , et le circuit intégré comprend en outre au moins un motif de base (MTB) en forme de T, électriquement inactif, situé au dessus d'au moins une zone (Z) de la région isolante (RIS) située au voisinage d'au moins une extrémité transversale (ET1) du canal, la branche horizontale (BH) du T étant sensiblement parallèle à la direction longitudinale du canal (DRL).

公开(公告)号：FR2885452A1

公开(公告)日：2006-11-10

申请号：FR0504536

申请日：2005-05-04

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： GIRAUDIN JEAN CHRISTOPHE ,  FIORI VINCENT ,  DELPECH PHILIPPE

IPC: H01L27/06 ,  H01L21/02

Abstract: Circuit intégré comprenant au moins un condensateur 6 formé sur une couche 1 munie d'au moins une tranchée 2, ledit condensateur 6, muni d'une couche diélectrique 4 séparant deux électrodes 3,5, épousant la forme de la tranchée 2, le condensateur 6 laissant subsister une partie 2d de la tranchée 2 et en ce qu'un matériau 7,8 susceptible d'absorber les contraintes liées aux déplacements des parois de la tranchée est disposé dans ladite partie 2d de la tranchée 2.

公开(公告)号：FR2989519A1

公开(公告)日：2013-10-18

申请号：FR1253425

申请日：2012-04-13

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： ROY FRANCOIS ,  FIORI VINCENT

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/302

Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication d'un capteur d'image, comprenant les étapes suivantes : former des structures élémentaires d'un capteur d'image (48) sur la première face d'un substrat semiconducteur (30) ; reporter une poignée (52) sur ladite première face ; définir des tranchées dans la poignée (52), lesdites tranchées formant un motif dans la poignée ; et reporter, sur un support courbe en creux (60) le dispositif obtenu, du côté de la face libre de la poignée (52), ledit motif étant choisi en fonction de la forme de la surface du support (60).

公开(公告)号：FR3037439A1

公开(公告)日：2016-12-16

申请号：FR1555362

申请日：2015-06-12

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS

Inventor： HOTELLIER NICOLAS ,  FOURNEL RICHARD ,  GIANESELLO FREDERIC ,  GUYADER FRANCOIS ,  FIORI VINCENT

IPC: H01L23/18 ,  H01L23/13 ,  H01L23/58

Abstract: Dispositif électronique et procédé de traitement, dans lesquels une plaque arrière (3) comprend une couche arrière de substrat (4), une couche avant de substrat (5) et une couche intermédiaire diélectrique (6), située entre la couche arrière et la couche avant, et comprenant une structure électronique (7) aménagée sur ladite couche avant de substrat (5), incluant des composants électroniques et des moyens de connexion électrique, et dans lesquels ladite couche arrière de substrat (4) présente au moins une région locale pleine (17) et au moins une région locale évidée (18), cette région locale évidée étant aménagée sur toute l'épaisseur de ladite couche arrière, de sorte que ladite couche arrière de substrat ne recouvre pas au moins une zone locale (19) de la face arrière de ladite couche intermédiaire diélectrique (6), correspondant à ladite région locale évidée (18).