公开(公告)号：FR2981793A1

公开(公告)日：2013-04-26

申请号：FR1159660

申请日：2011-10-25

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： GROS-JEAN MICKAEL ,  GAUMER CLEMENT ,  PERRIN EMMANUEL

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: L'invention concerne un procédé de définition d'au moins une zone isolante dans un substrat semiconducteur (30), comprenant une étape de formation d'une tranchée dans le substrat (30) et une étape de formation d'un matériau isolant (36') dans la tranchée dont la surface supérieure surplombe la surface du substrat (30). Le procédé comprend une étape de formation, dans une portion du matériau isolant (36) situé au-dessus de la surface du substrat semiconducteur (30), d'une couche barrière à la diffusion (38).

公开(公告)号：FR2974446A1

公开(公告)日：2012-10-26

申请号：FR1153388

申请日：2011-04-19

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： GOURHANT OLIVIER ,  BARGE DAVID ,  GAUMER CLEMENT ,  GROS-JEAN MICKAEL

IPC: H01L21/762

Abstract: L'invention concerne un procédé de réalisation de l'isolant de grille d'un transistor MOS, comprenant les étapes suivantes : a) former une mince couche en oxyde de silicium à la surface d'un substrat semiconducteur (41) ; b) incorporer des atomes d'azote dans la couche d'oxyde de silicium par nitruration plasma à une température inférieure à 200 °C, de façon à transformer cette couche en une couche (44) d'oxynitrure de silicium ; et c) revêtir la couche (44) d'oxynitrure de silicium d'une couche (48) en un matériau à forte constante diélectrique, dans lequel les étapes b) et c) se suivent sans étape intermédiaire de recuit.