公开(公告)号：FR2971362A1

公开(公告)日：2012-08-10

申请号：FR1150922

申请日：2011-02-04

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： GROS-JEAN MICKAEL

IPC: H01L21/285 ,  H01G4/33 ,  H01L21/324 ,  H01L29/51

Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication d'un condensateur TiN/Ta O /TiN consistant à déposer sur une couche de TiN une couche de Ta O par un procédé de dépôt de couche atomique assisté par plasma (PEALD), dans une plage de température de 200 à 250°C, en répétant les étapes successives suivantes : dépôt d'une couche de tantale à partir d'un précurseur à une pression partielle comprise entre 0,05 et 10 Pa ; et application d'un plasma d'oxygène à une pression d'oxygène comprise entre 1 et 2000 Pa.

公开(公告)号：FR2971362B1

公开(公告)日：2013-09-06

申请号：FR1150922

申请日：2011-02-04

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： GROS-JEAN MICKAEL

IPC: H01L21/285 ,  H01G4/33 ,  H01L21/324 ,  H01L29/51

公开(公告)号：FR2971363B1

公开(公告)日：2013-09-06

申请号：FR1150923

申请日：2011-02-04

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： GROS-JEAN MICKAEL

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/66

公开(公告)号：FR2970110B1

公开(公告)日：2013-09-06

申请号：FR1061348

申请日：2010-12-29

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： GROS-JEAN MICKAEL

IPC: H01G4/10

公开(公告)号：FR2981793A1

公开(公告)日：2013-04-26

申请号：FR1159660

申请日：2011-10-25

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： GROS-JEAN MICKAEL ,  GAUMER CLEMENT ,  PERRIN EMMANUEL

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: L'invention concerne un procédé de définition d'au moins une zone isolante dans un substrat semiconducteur (30), comprenant une étape de formation d'une tranchée dans le substrat (30) et une étape de formation d'un matériau isolant (36') dans la tranchée dont la surface supérieure surplombe la surface du substrat (30). Le procédé comprend une étape de formation, dans une portion du matériau isolant (36) situé au-dessus de la surface du substrat semiconducteur (30), d'une couche barrière à la diffusion (38).

公开(公告)号：FR2971363A1

公开(公告)日：2012-08-10

申请号：FR1150923

申请日：2011-02-04

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： GROS-JEAN MICKAEL

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/66

Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication d'un condensateur TiN/Ta O /TiN comprenant les étapes suivantes : former une couche de Ta O sur un support de TiN par un processus de dépôt de couches atomiques assisté par plasma, PEALD ; et soumettre la structure obtenue à un plasma de N O pendant une durée suffisante pour oxyder la couche de Ta O sans oxyder le support de TiN.

公开(公告)号：FR2965660A1

公开(公告)日：2012-04-06

申请号：FR1058020

申请日：2010-10-04

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： GROS-JEAN MICKAEL ,  GOURHANT OLIVIER ,  ZOLL STEPHANE

IPC: H01L21/8249 ,  H01L21/78

Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication d'au moins trois transistors 13, 14, 15 dans et au-dessus d'un substrat semiconducteur 2, au moins un premier transistor 13 étant disposé dans et au-dessus d'une première région 4 du substrat 2 et présentant une première tension de seuil, au moins un deuxième transistor 14 étant disposé dans et au-dessus d'une deuxième région 5 du substrat 2 et présentant une deuxième tension de seuil inférieure à la première tension de seuil et au moins un troisième transistor 15 étant disposé dans et au-dessus d'une troisième région 6 du substrat 2 et présentant une troisième tension de seuil inférieure à la deuxième tension de seuil. Le procédé comprend les étapes suivantes : a) la formation, au-dessus des trois régions 4, 5, 6 du substrat 2, d'une première couche d'oxyde 3 présentant une première épaisseur, b) le retrait, au-dessus de la troisième région 6, de la première couche d'oxyde, c) la formation, au-dessus de la troisième région 6, d'une première couche d'oxyde nitruré présentant une épaisseur inférieure à la première épaisseur, d) le retrait, au-dessus de la deuxième région, de la première couche d'oxyde, e) la formation, au-dessus de la deuxième région 5, d'une deuxième couche d'oxyde, et f) la nitruration de la deuxième couche d'oxyde et de la première couche d'oxyde nitruré de manière à former respectivement une deuxième couche d'oxyde nitruré 9 et une première couche d'oxyde nitruré enrichie 10 présentant une proportion en azote supérieure à celle de la deuxième couche d'oxyde nitruré 9.

公开(公告)号：FR3082658A1

公开(公告)日：2019-12-20

申请号：FR1870707

申请日：2018-06-15

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： GROS-JEAN MICKAEL ,  FERRAND JULIEN

IPC: H01L21/8232 ,  H01L29/772

公开(公告)号：FR2974446A1

公开(公告)日：2012-10-26

申请号：FR1153388

申请日：2011-04-19

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： GOURHANT OLIVIER ,  BARGE DAVID ,  GAUMER CLEMENT ,  GROS-JEAN MICKAEL

IPC: H01L21/762

Abstract: L'invention concerne un procédé de réalisation de l'isolant de grille d'un transistor MOS, comprenant les étapes suivantes : a) former une mince couche en oxyde de silicium à la surface d'un substrat semiconducteur (41) ; b) incorporer des atomes d'azote dans la couche d'oxyde de silicium par nitruration plasma à une température inférieure à 200 °C, de façon à transformer cette couche en une couche (44) d'oxynitrure de silicium ; et c) revêtir la couche (44) d'oxynitrure de silicium d'une couche (48) en un matériau à forte constante diélectrique, dans lequel les étapes b) et c) se suivent sans étape intermédiaire de recuit.

公开(公告)号：FR2970110A1

公开(公告)日：2012-07-06

申请号：FR1061348

申请日：2010-12-29

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： GROS-JEAN MICKAEL

IPC: H01G4/10

Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication d'un condensateur comprenant une couche diélectrique polycristalline intercalée entre deux électrodes métalliques, la couche diélectrique étant formée par une croissance polycristalline d'un oxyde métallique diélectrique prédéterminé sur une des électrodes métalliques. Au moins une condition de croissance polycristalline de l'oxyde diélectrique est modifiée au cours de la formation de la couche diélectrique polycristalline de manière à obtenir une variation des propriétés polycristallines de l'oxyde diélectrique dans l'épaisseur de ladite couche.