公开(公告)号：FR2981792A1

公开(公告)日：2013-04-26

申请号：FR1159659

申请日：2011-10-25

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： PERRIN EMMANUEL ,  BIDAL GREGORY ,  BIANCHI RAUL ANDRES

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: L'invention concerne un procédé de définition d'une zone isolante dans un substrat semiconducteur (30), comprenant une étape de formation d'une couche d'accroche (36) sur les parois et le fond d'une tranchée définie dans le substrat (30). Le procédé comprend une étape de passivation de la face apparente de ladite couche d'accroche (36), au moins à proximité de la surface dudit substrat semiconducteur (30).

公开(公告)号：FR2981793A1

公开(公告)日：2013-04-26

申请号：FR1159660

申请日：2011-10-25

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： GROS-JEAN MICKAEL ,  GAUMER CLEMENT ,  PERRIN EMMANUEL

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: L'invention concerne un procédé de définition d'au moins une zone isolante dans un substrat semiconducteur (30), comprenant une étape de formation d'une tranchée dans le substrat (30) et une étape de formation d'un matériau isolant (36') dans la tranchée dont la surface supérieure surplombe la surface du substrat (30). Le procédé comprend une étape de formation, dans une portion du matériau isolant (36) situé au-dessus de la surface du substrat semiconducteur (30), d'une couche barrière à la diffusion (38).

公开(公告)号：FR3036846B1

公开(公告)日：2018-06-15

申请号：FR1554853

申请日：2015-05-29

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： PERRIN EMMANUEL

IPC: H01L21/762