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公开(公告)号：FR3000605A1
公开(公告)日：2014-07-04
申请号：FR1262978
申请日：2012-12-31
Inventor： TUBERT CEDRIC , JOUAN SEBASTIEN , ROCHEREAU KRYSTEN
IPC: H01L27/146 , H01L31/00 , H04N5/335
Abstract: L'invention concerne une photodiode pincée comprenant une couche intermédiaire (11) d'un premier type de conductivité entre des couches inférieure (10) et supérieure (12) du deuxième type de conductivité, dans laquelle les couches inférieure et supérieure sont en silicium et la couche intermédiaire est en silicium-germanium.
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公开(公告)号：FR3009889A1
公开(公告)日：2015-02-27
申请号：FR1358138
申请日：2013-08-23
Inventor： MARTY MICHEL , JOUAN SEBASTIEN , FREY LAURENT , BOUTAMI SALIM
IPC: H01L31/0232
Abstract: L'invention concerne une photodiode comprenant au moins un plot central (20) disposé sur la surface photoréceptrice de la photodiode, le plot étant en un premier matériau dont les parois latérales sont entourées d'au moins un espaceur (22) en un deuxième matériau d'indice optique distinct de celui du premier matériau, les dimensions latérales du plot étant inférieures à la longueur d'onde de fonctionnement de la photodiode, les premier et deuxième matériaux étant transparents à la longueur d'onde de fonctionnement.
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公开(公告)号：FR2980302A1
公开(公告)日：2013-03-22
申请号：FR1158341
申请日：2011-09-20
Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 , ST MICROELECTRONICS SA
Inventor： MARTY MICHEL , DUTARTRE DIDIER , JOUAN SEBASTIEN
IPC: H01L21/306 , H01L21/762
Abstract: Dispositif, et procédé de fabrication correspondant, comprenant un empilement vertical comportant une couche intermédiaire (CU) disposée entre une région inférieure et une région supérieure, ladite couche intermédiaire étant prolongée par une couche protectrice, ledit empilement vertical possédant une face libre latérale sur laquelle débouchent la région inférieure, la région supérieure et la couche protectrice.
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公开(公告)号：FR3010829A1
公开(公告)日：2015-03-20
申请号：FR1359026
申请日：2013-09-19
Inventor： MARTY MICHEL , JOUAN SEBASTIEN , FREY LAURENT
IPC: H01L21/70 , G02B5/20 , H01L23/552
Abstract: Procédé de réalisation d'un filtre optique au sein d'un circuit intégré comportant un substrat et une partie d'interconnexion (ITC) au dessus du substrat, et circuit intégré correspondant. La réalisation du filtre comprend une formation au-dessus d'une zone photosensible (ZP) située dans le substrat d'au moins une couche de filtre (CF), le produit entre l'épaisseur de la couche de filtre et la partie imaginaire de l'indice de réfraction de la couche de filtre étant supérieur à 1, ladite au moins une couche de filtre étant située entre le substrat et la partie d'interconnexion (ITC).
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