公开(公告)号：FR3009889A1

公开(公告)日：2015-02-27

申请号：FR1358138

申请日：2013-08-23

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 ,  ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： MARTY MICHEL ,  JOUAN SEBASTIEN ,  FREY LAURENT ,  BOUTAMI SALIM

IPC: H01L31/0232

Abstract: L'invention concerne une photodiode comprenant au moins un plot central (20) disposé sur la surface photoréceptrice de la photodiode, le plot étant en un premier matériau dont les parois latérales sont entourées d'au moins un espaceur (22) en un deuxième matériau d'indice optique distinct de celui du premier matériau, les dimensions latérales du plot étant inférieures à la longueur d'onde de fonctionnement de la photodiode, les premier et deuxième matériaux étant transparents à la longueur d'onde de fonctionnement.

公开(公告)号：FR2980302A1

公开(公告)日：2013-03-22

申请号：FR1158341

申请日：2011-09-20

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 ,  ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： MARTY MICHEL ,  DUTARTRE DIDIER ,  JOUAN SEBASTIEN

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/762

Abstract: Dispositif, et procédé de fabrication correspondant, comprenant un empilement vertical comportant une couche intermédiaire (CU) disposée entre une région inférieure et une région supérieure, ladite couche intermédiaire étant prolongée par une couche protectrice, ledit empilement vertical possédant une face libre latérale sur laquelle débouchent la région inférieure, la région supérieure et la couche protectrice.

公开(公告)号：FR3010829A1

公开(公告)日：2015-03-20

申请号：FR1359026

申请日：2013-09-19

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 ,  COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： MARTY MICHEL ,  JOUAN SEBASTIEN ,  FREY LAURENT

IPC: H01L21/70 ,  G02B5/20 ,  H01L23/552

Abstract: Procédé de réalisation d'un filtre optique au sein d'un circuit intégré comportant un substrat et une partie d'interconnexion (ITC) au dessus du substrat, et circuit intégré correspondant. La réalisation du filtre comprend une formation au-dessus d'une zone photosensible (ZP) située dans le substrat d'au moins une couche de filtre (CF), le produit entre l'épaisseur de la couche de filtre et la partie imaginaire de l'indice de réfraction de la couche de filtre étant supérieur à 1, ladite au moins une couche de filtre étant située entre le substrat et la partie d'interconnexion (ITC).

公开(公告)号：FR3000605A1

公开(公告)日：2014-07-04

申请号：FR1262978

申请日：2012-12-31

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 ,  ST MICROELECTRONICS GRENOBLE 2

Inventor： TUBERT CEDRIC ,  JOUAN SEBASTIEN ,  ROCHEREAU KRYSTEN

IPC: H01L27/146 ,  H01L31/00 ,  H04N5/335

Abstract: L'invention concerne une photodiode pincée comprenant une couche intermédiaire (11) d'un premier type de conductivité entre des couches inférieure (10) et supérieure (12) du deuxième type de conductivité, dans laquelle les couches inférieure et supérieure sont en silicium et la couche intermédiaire est en silicium-germanium.

公开(公告)号：JP2001196385A

公开(公告)日：2001-07-19

申请号：JP2000353964

申请日：2000-11-21

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： MARTY MICHEL ,  DUTARTRE DIDIER ,  CHANTRE ALAIN ,  JOUAN SEBASTIEN ,  LLINARES PIERRE

IPC: H01L29/73 ,  H01L21/331 ,  H01L21/8249 ,  H01L27/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/165 ,  H01L29/737

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To propose a vertical bipolar transistor which has a reduced low-frequency noise and allowable static parameters. SOLUTION: This vertical bipolar transistor includes an intrinsic collector 4 on an extrinsic collector layer 2 buried in a semiconductor substrate, a side separation area 5 surrounding the upper part of the intrinsic collector 4, an offset extrinsic collector well 60, a base 8 which is arranged on the intrinsic collector 4 and side separation area 5 and is composed of a semiconductor area including at least one silicon layer, and two doped emitters 11 surrounded with the base 8. The emitters 11 include a first part 110 which is made of single crystal and is directly in contact with the upper surface in the predetermined window 800, and a second part 111 formed of polycrystal. These two parts are isolated by an isolated oxide layer 112 arranged at an optional distance apart from an emitter base joint part.

公开(公告)号：FR2813707A1

公开(公告)日：2002-03-08

申请号：FR0011419

申请日：2000-09-07

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： DUTARTRE DIDIER ,  CHANTRE ALAIN ,  MARTY MICHEL ,  JOUAN SEBASTIEN

IPC: H01L21/331 ,  H01L29/10 ,  H01L21/28

Abstract: Fabrication of a bipolar transistor on a monocrystalline silicon substrate (1) with a first type of conductivity incorporates a stage of carbon implantation at the surface of the substrate followed by annealing, before epitaxial formation of the base of the transistor in the form of a multi-layer (T) semiconductor incorporating at least one lower layer (4), a median heavily doped layer (5) with a second type of conductivity and a upper layer (6) which contacts a heavily doped emitter (9) with the first type of conductivity. An Independent claim is included for a hetero-junction bipolar transistor produced.

公开(公告)号：FR3009889B1

公开(公告)日：2016-12-23

申请号：FR1358138

申请日：2013-08-23

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS ,  ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： MARTY MICHEL ,  JOUAN SEBASTIEN ,  FREY LAURENT ,  BOUTAMI SALIM

IPC: H01L31/0232

公开(公告)号：FR2801420A1

公开(公告)日：2001-05-25

申请号：FR9914746

申请日：1999-11-23

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： MARTY MICHEL ,  DUTARTRE DIDIER ,  CHANTRE ALAIN ,  JOUAN SEBASTIEN ,  LLINARES PIERRE

IPC: H01L21/331 ,  H01L21/8249 ,  H01L29/73 ,  H01L27/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/165 ,  H01L29/737 ,  H01L29/732

Abstract: Preparation of a bipolar vertical transistor comprises: (a) making an intrinsic collector on a layer of extrinsic collector in a semiconductor substrate; (b) making a lateral isolating region; (c) making a base next to he intrinsic collector and the lateral isolating region; and (d) making a bipartite dope emitter in situ. Preparation of a bipolar vertical transistor comprises: (a) making an intrinsic collector (4) on a layer of extrinsic collector (2) in a semiconductor substrate (1); (b) making a lateral isolating region (5) surrounding the upper part of the intrinsic collector and of wells of the imprisoned extrinsic collector (60); (c) making a base (8) next to he intrinsic collector and the lateral isolating region and comprising a non-selective epitaxy of a semiconductor region (8) comprising at least one layer of silicon; (d) making a bipartite dope emitter (11) in situ comprising: (i) making a first layer (110) of the emitter formed from microcrystalline silicon and directly in contact with a part (800) of the upper surface of the semiconductor region situated on top of the intrinsic collector; and (ii) making a second part (111) of emitter from polycrystalline silicon; the two parts (110, 111) being separated by an oxide layer (112).

公开(公告)号：FR3009888A1

公开(公告)日：2015-02-27

申请号：FR1358139

申请日：2013-08-23

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： MARTY MICHEL ,  FREY LAURENT ,  JOUAN SEBASTIEN ,  BOUTAMI SALIM

IPC: H01L31/02

Abstract: L'invention concerne une photodiode de type SPAD dont la surface photoréceptrice est recouverte de bandes entrecroisées (30) formant un treillis en un premier matériau dont les parois latérales sont entourées d'au moins un espaceur (33) en un deuxième matériau d'indice optique distinct de celui du premier matériau, le pas du treillis étant de l'ordre de grandeur de la longueur d'onde de fonctionnement de la photodiode, les premier et deuxième matériaux étant transparents à la longueur d'onde de fonctionnement, le premier matériau étant conducteur et étant couplé à un nœud de connexion (36).

公开(公告)号：FR3040536A1

公开(公告)日：2017-03-03

申请号：FR1557884

申请日：2015-08-24

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS

Inventor： CROCHERIE AXEL ,  MARTY MICHEL ,  HUGUENIN JEAN-LUC ,  JOUAN SEBASTIEN

IPC: H01L27/146

Abstract: Capteur d'image intégré comprenant des pixels adjacents, chaque pixel (5) comportant une région active semi-conductrice (7) contenant une photodiode (8), une couche antireflet (13) au dessus de la photodiode (8), une région diélectrique (14,15) au dessus de la couche antireflet et un filtre optique (19) destiné à laisser passer un rayonnement lumineux incident (25) ayant une longueur d'onde donnée. La couche antireflet (13) comprend un réseau de plots (24) mutuellement séparés par un matériau diélectrique (14) de ladite région diélectrique, ledit réseau étant configuré pour permettre à la fois une transmission dudit rayonnement lumineux incident et une diffraction du rayonnement lumineux incident (25) produisant des rayonnements diffractés ayant des longueurs d'ondes inférieures à celle du rayonnement incident et atténués par rapport au rayonnement incident.