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公开(公告)号：FR3120264A1
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：FR2101914
申请日：2021-02-26
Inventor： TUBERT CEDRIC , MALINGE PIERRE , VIGNETTI MATTEO MARIA
IPC: G01S17/894 , H04N13/25
Abstract: Capteur de temps de vol indirect La présente description concerne un capteur. Chaque pixel (100) du capteur comprend des ensembles (E1, E2) comportant chacun une zone mémoire (mem1, mem2) et un dispositif de transfert (1061, 1062) couplant la zone mémoire à une zone de photoconversion (PD), et un dispositif d'initialisation (108) des zones mémoires. Le capteur comprend un premier circuit commandant les dispositifs de transfert (1061, 1062), et un deuxième circuit commandant les dispositifs d'initialisation (108). Lors de chaque phase d'intégration, le deuxième circuit commande la fin d'une phase d'initialisation des zones mémoires (mem1, mem2) de premiers pixels au début de la phase d'intégration, et la fin d'une phase d'initialisation des zones mémoires de deuxièmes pixels à un instant postérieur au début de la phase de d'intégration. Figure pour l'abrégé : Fig. 2
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公开(公告)号：FR3000605A1
公开(公告)日：2014-07-04
申请号：FR1262978
申请日：2012-12-31
Inventor： TUBERT CEDRIC , JOUAN SEBASTIEN , ROCHEREAU KRYSTEN
IPC: H01L27/146 , H01L31/00 , H04N5/335
Abstract: L'invention concerne une photodiode pincée comprenant une couche intermédiaire (11) d'un premier type de conductivité entre des couches inférieure (10) et supérieure (12) du deuxième type de conductivité, dans laquelle les couches inférieure et supérieure sont en silicium et la couche intermédiaire est en silicium-germanium.
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3.发明专利
公开(公告)号：FR2966257A1
公开(公告)日：2012-04-20
申请号：FR1004028
申请日：2010-10-13
Applicant: ST MICROELECTRONICS GRENOBLE 2
Inventor： TUBERT CEDRIC , VAILLANT JEROME
Abstract: L'invention concerne un procédé de reconstruction d'une image en relief d'un objet, comprenant des étapes d'acquisition d'une première image (12) de l'objet éclairé par un flux lumineux ayant dans une région incluant l'objet une intensité lumineuse dépendant de la distance avec une source de lumière émettant le flux lumineux, d'acquisition d'une seconde image (11, 13) de l'objet éclairé par un flux lumineux ayant dans une région incluant l'objet une intensité lumineuse constante, et d'évaluation pour chaque pixel (D(P)) d'une image en relief (ID), d'une distance relative d'un point de l'objet en fonction de l'intensité d'un pixel correspondant au point de l'objet dans chacune images acquises.
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公开(公告)号：FR2992067A1
公开(公告)日：2013-12-20
申请号：FR1201690
申请日：2012-06-13
Applicant: ST MICROELECTRONICS GRENOBLE 2
Inventor： BRUNEL JOHN , TUBERT CEDRIC
IPC: G01R35/00 , H01L31/107
Abstract: L'invention concerne un procédé d'ajustement d'une tension de polarisation d'une photodiode SPAD, comprenant des étapes consistant successivement à : appliquer à la photodiode une première tension de polarisation de test (Vb - Vst1) inférieure à une tension de polarisation normale (Vb) appliquée à la photodiode dans un mode de fonctionnement normal, soumettre la photodiode à des photons, relever un premier signal de déclenchement en avalanche de la photodiode (CNT1), appliquer à la photodiode une seconde tension de polarisation de test (Vb - Vst2), différente de la première tension de polarisation de test, soumettre la photodiode à des photons, relever un second signal de déclenchement en avalanche de la photodiode (CNT2), augmenter la tension de polarisation normale si les premier et second signaux indiquent que la photodiode ne s'est pas déclenchée en avalanche, et diminuer la tension de polarisation normale si les premier et second signaux indiquent que la photodiode s'est déclenchée en avalanche.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：FR3017019A1
公开(公告)日：2015-07-31
申请号：FR1450614
申请日：2014-01-24
Applicant: ST MICROELECTRONICS GRENOBLE 2
Inventor： TUBERT CEDRIC
IPC: H04N5/369 , H01L27/146
Abstract: L'invention concerne un circuit de capteur d'image comprenant : un premier transistor (M1) ayant son nœud de commande couplé à un premier nœud de détection (SN1) , le premier nœud de détection étant couplé à au moins une photodiode (PD1, PD2) ; et un second transistor (M2) ayant son nœud de commande couplé à un second nœud de détection (SN2) , le second nœud de détection étant couplé à au moins une photodiode (PD2) ; dans lequel les premier et second transistors sont couplés en série entre des première et seconde lignes de colonne (Vx1, Vx0) .
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公开(公告)号：FR2996957A1
公开(公告)日：2014-04-18
申请号：FR1259736
申请日：2012-10-12
Applicant: ST MICROELECTRONICS GRENOBLE 2
Inventor： TUBERT CEDRIC
IPC: H01L27/146 , H04N5/335
Abstract: L'invention concerne un procédé de lecture d'un pixel (100), comprenant au moins deux périodes d'intégration, au moins une desdites périodes incluant au moins une sous-période d'intégration, dans lequel une valeur de sortie du pixel est déterminée en tenant compte des quantités de charges photo-générées contenues dans le pixel à la fin de chacune desdites périodes, et de la quantité de charges photogénérées accumulée dans une photodiode du pixel au-delà d'un seuil pendant ladite au moins une sous-période.
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公开(公告)号：FR2977978A1
公开(公告)日：2013-01-18
申请号：FR1156322
申请日：2011-07-12
Applicant: ST MICROELECTRONICS GRENOBLE 2 , ST MICROELECTRONICS SA
Inventor： TUBERT CEDRIC , ROY FRANCOIS , MELLOT PASCAL
IPC: H01L31/0352 , H01L27/146 , H04N5/335
Abstract: L'invention concerne un procédé de transfert de charges photogénérées dans une portion (Ch1, Ch2, Ch3, Ch4) d'une couche semiconductrice délimitée par au moins deux tranchées parallèles (32A, 32B, 32C, 32D, 32E), chaque tranchée comprenant, dans sa longueur, au moins une première et une deuxième régions conductrices isolées entre elles et de la couche semiconductrice, comprenant la répétition d'une première étape de polarisation des premières régions conductrices à une première tension de façon à former une accumulation volumique de trous dans la partie de la portion située entre les premières régions, tandis que les deuxièmes régions conductrices sont polarisées à une deuxième tension supérieure à la première tension, et d'une deuxième étape de polarisation des premières régions à la deuxième tension et des deuxièmes régions à la première tension.
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公开(公告)号：FR3122959A1
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：FR2105114
申请日：2021-05-17
Applicant: ST MICROELECTRONICS GRENOBLE 2
Inventor： MAS ALEXANDRE , MEKKI ABDESSAMED , TUBERT CEDRIC
IPC: H04N5/378
Abstract: Circuit de lecture d'une matrice de pixels La présente description concerne un circuit de lecture (2) comprenant N entrées (1141, 114N) configurées pour être connectées à N sorties respectives d'une matrice de pixels d'un capteur d'images, avec N un nombre entier strictement supérieur à 1 ; et N convertisseurs analogique-numérique (1161, 116N) organisés en K groupes (G1, GK), avec K un nombre entier strictement supérieur à 1 et strictement inférieur à N, et ayant chacun une première entrée (118) couplée à une entrée respective parmi les N entrées (1141, 114N) et une deuxième entrée. Dans chaque groupe (G1, GK), les deuxièmes entrées (120) des convertisseurs analogique-numérique (1161, 116N) du groupe (G1, GK) sont connectées entre elles, découplées électriquement des deuxièmes entrées (120) des convertisseurs analogique-numérique (1161, 116N) des autres groupes (G1, GK), et configurées pour recevoir un premier signal de référence (Vref1, VrefK) identique pour tous les convertisseurs analogique-numérique (1161, 116N) du groupe (G1, GK). Figure pour l'abrégé : Fig. 2
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9.发明专利
公开(公告)号：FR2991083A1
公开(公告)日：2013-11-29
申请号：FR1254759
申请日：2012-05-24
Applicant: ST MICROELECTRONICS GRENOBLE 2
Inventor： MOUGIN STEPHANE , TUBERT CEDRIC
IPC: G06F21/86 , H01L23/552 , H01L31/0352
Abstract: L'invention concerne un procédé de détection d'une attaque par faisceau laser d'un microcircuit électronique (CI1), comprenant des étapes de formation du microcircuit sur un substrat semiconducteur, le microcircuit comprenant un circuit (A3) à protéger contre des attaques, former des photodiodes (PHD) entre des composants du circuit à protéger, comparaison d'un signal fourni par chaque photodiode à une valeur de seuil (Vr1, Vr2), et activation d'un signal de détection (DT) lorsqu'un signal en sortie d'une des photodiodes franchit la valeur de seuil.
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