公开(公告)号：FR2977978A1

公开(公告)日：2013-01-18

申请号：FR1156322

申请日：2011-07-12

Applicant: ST MICROELECTRONICS GRENOBLE 2 ,  ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： TUBERT CEDRIC ,  ROY FRANCOIS ,  MELLOT PASCAL

IPC: H01L31/0352 ,  H01L27/146 ,  H04N5/335

Abstract: L'invention concerne un procédé de transfert de charges photogénérées dans une portion (Ch1, Ch2, Ch3, Ch4) d'une couche semiconductrice délimitée par au moins deux tranchées parallèles (32A, 32B, 32C, 32D, 32E), chaque tranchée comprenant, dans sa longueur, au moins une première et une deuxième régions conductrices isolées entre elles et de la couche semiconductrice, comprenant la répétition d'une première étape de polarisation des premières régions conductrices à une première tension de façon à former une accumulation volumique de trous dans la partie de la portion située entre les premières régions, tandis que les deuxièmes régions conductrices sont polarisées à une deuxième tension supérieure à la première tension, et d'une deuxième étape de polarisation des premières régions à la deuxième tension et des deuxièmes régions à la première tension.

公开(公告)号：FR2995725A1

公开(公告)日：2014-03-21

申请号：FR1258768

申请日：2012-09-19

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： ROY FRANCOIS ,  HERAULT DIDIER

IPC: H01L27/146

Abstract: L'invention concerne un procédé de commande d'un pixel (100) comportant au moins une photodiode (101) reliée à un point de lecture (SENSE) par l'intermédiaire d'un transistor MOS (103), dans lequel une information représentative du potentiel du point de lecture (SENSE) est lue pendant une première période de fermeture du transistor.

公开(公告)号：FR2984607A1

公开(公告)日：2013-06-21

申请号：FR1161775

申请日：2011-12-16

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 ,  ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： ROY FRANCOIS ,  PLACE SEBASTIEN

IPC: H01L27/146

Abstract: L'invention concerne un capteur d'image comprenant une matrice de pixels (310), chaque pixel comprenant, dans un substrat (312) d'un matériau semiconducteur dopé d'un premier type de conductivité, une première région (318) dopée d'un second type de conductivité en surface du substrat ; une tranchée (314) isolante entourant la première région ; une deuxième région (322) dopée du premier type de conductivité, plus fortement dopée que le substrat, en surface du substrat et entourant la tranchée ; une troisième région (327), dopée du second type de conductivité, formant avec le substrat une jonction de photodiode, s'étendant en profondeur dans le substrat sous les première et deuxième régions et étant reliée à la première région ; et une quatrième région (328), plus faiblement dopée que les deuxième et troisième régions, interposée entre les deuxième et troisième régions et au contact de la première région et/ou de la troisième région.

公开(公告)号：FR2979484A1

公开(公告)日：2013-03-01

申请号：FR1157433

申请日：2011-08-22

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 ,  ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： ROY FRANCOIS ,  MICHELOT JULIEN

IPC: H01L27/146 ,  H01L31/0248

Abstract: Photosite comprenant, dans un substrat semi-conducteur, une photodiode confinée dans une direction orthogonale à la surface du substrat comportant une zone semi-conductrice de stockage de charges comprenant dans une région semi-conductrice supérieure ayant un premier type de conductivité (P) un caisson principal (Nw1) d'un second type de conductivité (N) opposé au premier et pincé selon une première direction (X) parallèle à la surface du substrat. La zone de stockage de charges comprend en outre des moyens semi-conducteurs enterrés sous et au contact du caisson principal (Nw1) ayant le second type de conductivité (N).

公开(公告)号：FR2955205A1

公开(公告)日：2011-07-15

申请号：FR0959060

申请日：2009-12-16

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： MARTY MICHEL ,  DUTARTRE DIDIER ,  ROY FRANCOIS ,  BESSON PASCAL ,  PRIMA JENS

IPC: H01L27/14 ,  H01L21/20 ,  H01L21/302 ,  H01L21/768 ,  H01L21/77 ,  H01L23/48

Abstract: Procédé de réalisation d'un dispositif microélectronique comprenant une réalisation d'un premier substrat (1) semiconducteur comportant une formation d'une première couche (5) et d'une deuxième couche (4) entre une première face (7) et une deuxième face (2) du substrat, une réalisation de premiers composants (10) et d'une partie d'interconnexion au niveau et au dessus de la deuxième face (2), un amincissement du substrat comprenant une première gravure sélective du premier substrat depuis la première face (7) avec arrêt sur la première couche (5) suivie d'une deuxième gravure sélective avec arrêt sur la deuxième couche (4).

公开(公告)号：FR2950504A1

公开(公告)日：2011-03-25

申请号：FR0956600

申请日：2009-09-24

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： BARBIER FREDERIC ,  ROY FRANCOIS

IPC: H04N5/335 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

Abstract: L'invention concerne un circuit de pixel d'un capteur d'image comprenant un noeud de détection (106) pour mémoriser une charge transférée à partir d'une ou plusieurs photodiodes (102) ; et un transistor à source suiveuse (210) dont la grille est couplée au noeud de détection et la source est couplée à une ligne de sortie (114) du circuit de pixel par l'intermédiaire d'un transistor de lecture (212), dans lequel le contact de caisson du transistor à source suiveuse est couplé à la ligne de sortie (114).

公开(公告)号：DE602007002018D1

公开(公告)日：2009-10-01

申请号：DE602007002018

申请日：2007-06-05

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： ROY FRANCOIS

IPC: H01L27/146

Abstract: The sensor has a photodiode formed in a surface of a semiconductor substrate (14) and illuminated by a rear surface (44) of the substrate. A stack of insulating layers (34, 36, 38) covers the former surface, and conductive regions are formed on the stack. A transparent and insulating layer (60) covers the latter surface and is covered by a transparent and conductive layer (62). A polarization unit polarizes the conductive layer, where the conductive layer is formed with a base of metal oxide such as tin and indium oxide, and has a thickness lesser than 500 or 200 nanometers. An independent claim is also included for a method of fabrication of image sensors.

公开(公告)号：FR2910709B1

公开(公告)日：2009-06-05

申请号：FR0611097

申请日：2006-12-20

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： ROY FRANCOIS

IPC: H01L27/146

Abstract: A method of manufacturing a photodiode sensor and an associated charge transfer transistor includes forming an insulation region on a substrate, forming the diode on a first side of the insulation region with the diode being self-aligned on the insulation region, and replacing the insulation region by a gate of the charge transfer transistor. The invention has particular utility in the manufacture of CMOS or CCD image sensors.

公开(公告)号：FR2897472A1

公开(公告)日：2007-08-17

申请号：FR0650536

申请日：2006-02-14

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： FELLOUS CYRIL ,  HOTELLIER NICOLAS ,  AUMONT CHRISTOPHE ,  ROY FRANCOIS

IPC: H01L27/146

Abstract: L'invention concerne un photodétecteur comprenant une photodiode (D) formée dans un substrat semiconducteur (1) et un élément de guide d'onde (G) constitué d'un bloc d'un matériau à haut indice (7) s'étendant verticalement à l'aplomb de la photodiode dans une couche épaisse d'un diélectrique (5) superposée au substrat, la couche épaisse étant au moins majoritairement constituée d'oxyde de silicium et le bloc étant constitué d'un polymère siloxane.

公开(公告)号：FR2894072A1

公开(公告)日：2007-06-01

申请号：FR0512155

申请日：2005-11-30

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： ROY FRANCOIS ,  GIRAULT THOMAS

IPC: H01L31/0232 ,  H01L27/146

Abstract: L'invention concerne un circuit intégré comprenant une cellule photosensible pourvue d'une face d'entrée, d'un élément photosensible et d'au moins deux éléments (100, 200) formant guide de lumière. Les deux éléments sont placés entre la face d'entrée et l'élément photosensible, le deuxième élément étant situé entre le premier élément et la face d'entrée. Les deux éléments guident la lumière provenant de la face d'entrée vers l'élément photosensible. Chaque élément formant guide de lumière comprend un volume intérieur comprenant au moins un premier matériau diélectrique et un volume extérieur comprenant au moins un second matériau diélectrique dont l'indice de réfraction optique est inférieur à celui du premier matériau. Le volume intérieur présente une première surface (101, 201) située du côté de l'élément photosensible, une deuxième surface (103, 203) située du côté de la face d'entrée et une surface latérale reliant ladite première surface et ladite deuxième surface et séparant les volumes intérieurs et extérieurs, le volume extérieur entourant le volume intérieur sur une partie au moins de la surface latérale. Les deux éléments du guide de lumière sont réalisés de manière que la première surface (201) du volume intérieur du deuxième élément a une superficie plus petite que celle de la deuxième surface (103) du volume intérieur du premier élément.