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公开(公告)号：FR3059152A1
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：FR1661261
申请日：2016-11-21
Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE , ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS , ST MICROELECTRONICS SA
IPC: H01L23/34
Abstract: Dispositif de transfert thermique comprenant un empilement qui comprend : au moins une couche conductrice de la chaleur (3), présentant au moins une portion de récupération de chaleur (5), apte à être placée en regard d'une source de chaleur, et une portion d'évacuation de chaleur (6), apte à être placée en regard d'un puits thermique, et au moins une couche d'absorption de la chaleur (4), incluant une matière à changement de phase, dont une face est accolée à au moins une partie d'au moins une face de ladite couche conductrice de la chaleur. Dispositif électronique comprenant un tel dispositif de transfert thermique.
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公开(公告)号：FR2964789A1
公开(公告)日：2012-03-16
申请号：FR1003633
申请日：2010-09-10
Inventor： CASSET FABRICE , CADIX LIONEL , COUDRAIN PERCEVAL , FARCY ALEXIS , CHAPELON LAURENT LUC , FELK YACINE , ANCEY PASCAL
IPC: H01L23/495 , H01L21/027 , H01L21/441
Abstract: Le circuit intégré comporte un substrat de support (1) ayant des première et seconde faces principales (2a, 2b) opposées. Une cavité traverse le substrat de support (1) et relie les première et seconde faces principales (2a, 2b). Le circuit intégré comporte un dispositif à élément mobile (5) dont l'élément mobile (6) et un couple d'électrodes (7) associées sont inclus dans une cavité. Un nœud d'ancrage de l'élément mobile (6) est localisé au niveau de la première face principale (2a). Le circuit intégré comprend une première puce (3) élémentaire disposée au niveau de la première face principale (2a) et connectée électriquement au dispositif à élément mobile (5).
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公开(公告)号：FR2946457B1
公开(公告)日：2012-03-09
申请号：FR0953766
申请日：2009-06-05
Inventor： COUDRAIN PERCEVAL , CORONEL PHILIPPE , BUFFET NICOLAS
IPC: H01L21/762 , H01L23/535
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公开(公告)号：FR3049764B1
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：FR1652720
申请日：2016-03-30
Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE , ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS , ST MICROELECTRONICS SA
Inventor： PRIETO HERRERA RAFAEL , COLONNA JEAN-PHILIPPE , COUDRAIN PERCEVAL
IPC: H01L23/367 , H01L23/373
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公开(公告)号：FR2946457A1
公开(公告)日：2010-12-10
申请号：FR0953766
申请日：2009-06-05
Inventor： COUDRAIN PERCEVAL , CORONEL PHILIPPE , BUFFET NICOLAS
IPC: H01L21/762 , H01L23/535
Abstract: L'invention concerne un procédé de formation d'un niveau d'une structure tridimensionnelle sur un premier support (30, 34) dans lequel sont formés des composants, comprenant les étapes suivantes : former, sur un deuxième support semiconducteur, un substrat semiconducteur monocristallin (36) avec interposition d'une couche d'oxyde thermique ; apposer la face libre du substrat semiconducteur monocristallin sur la surface supérieure du premier support ; éliminer le deuxième support semiconducteur ; et amincir la couche d'oxyde thermique jusqu'à une épaisseur propre à constituer un isolant de grille.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：FR3025051A1
公开(公告)日：2016-02-26
申请号：FR1457942
申请日：2014-08-22
Inventor： DI CIOCCIO LEA , BEILLIARD YANN , COUDRAIN PERCEVAL
IPC: H01L21/50 , H01L23/532 , H01L23/538
Abstract: Procédé de réalisation d'un circuit intégré par collage direct d'un premier (201) et d'un second (301) substrats, comprenant les étapes suivantes consistant à a) former un premier et un second substrats munis chacun d'une surface comportant au moins une portion d'un premier matériau (205, 305) et des portions d'au moins un deuxième matériau (203, 303), une région de barrière (209, 309) en un troisième matériau étant disposée en surface entre chaque portion du premier matériau et le deuxième matériau; et b) mettre en contact la surface du premier substrat avec la surface du second substrat avec un désalignement maximum donné, la largeur de la région de barrière formée à l'étape a) étant choisie de sorte qu'elle soit supérieure au désalignement maximum.
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公开(公告)号：FR2918795B1
公开(公告)日：2009-10-02
申请号：FR0756447
申请日：2007-07-12
Applicant: ST MICROELECTRONICS SA , ST MICROELECTRONICS CROLLES 2
Inventor： COUDRAIN PERCEVAL , CORONEL PHILIPPE , BELREDON XAVIER
IPC: H01L27/146 , H01L31/02 , H01L31/18
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公开(公告)号：FR3059152B1
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：FR1661261
申请日：2016-11-21
Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE , ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS , ST MICROELECTRONICS SA
IPC: H01L23/34
Abstract: Dispositif de transfert thermique comprenant un empilement qui comprend : au moins une couche conductrice de la chaleur (3), présentant au moins une portion de récupération de chaleur (5), apte à être placée en regard d'une source de chaleur, et une portion d'évacuation de chaleur (6), apte à être placée en regard d'un puits thermique, et au moins une couche d'absorption de la chaleur (4), incluant une matière à changement de phase, dont une face est accolée à au moins une partie d'au moins une face de ladite couche conductrice de la chaleur. Dispositif électronique comprenant un tel dispositif de transfert thermique.
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公开(公告)号：FR2918795A1
公开(公告)日：2009-01-16
申请号：FR0756447
申请日：2007-07-12
Applicant: ST MICROELECTRONICS SA , ST MICROELECTRONICS CROLLES 2
Inventor： COUDRAIN PERCEVAL , CORONEL PHILIPPE , BELREDON XAVIER
IPC: H01L27/146 , H01L31/02 , H01L31/18
Abstract: L'invention concerne un capteur d'images (1) comprenant des cellules photosensibles (B, G, R), chaque cellule photosensible comportant au moins un moyen de stockage de charges (11R, 11G, 11B) formé au moins en partie dans un substrat (9) d'un matériau semiconducteur. Le substrat comprend, pour au moins une première cellule photosensible (B), une portion (10B) d'un premier alliage de silicium et de germanium ayant une première concentration de germanium (XB), éventuellement nulle, et pour au moins une deuxième cellule photosensible (G, R), une portion (10G, 10R) d'un deuxième alliage de silicium et de germanium ayant une deuxième concentration de germanium (XG, XR), non nulle, strictement supérieure à la première concentration de germanium.
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公开(公告)号：AT527754T
公开(公告)日：2011-10-15
申请号：AT10158033
申请日：2010-03-26
Applicant: ST MICROELECTRONICS SA
Inventor： COUDRAIN PERCEVAL , PETIT DAVID
Abstract: The device has a resonant stack (32) comprising metallic conductive layers (34, 38) and a piezoelectric layer (36), where one of the metallic layers is formed on a silicon substrate (30). A buried cavity (40) is formed deeply in the substrate. Thickness of the silicon substrate above the cavity has a first value in a first region (42) situated opposite to center of the stack, a second value in a second region (44) situated under the periphery of the stack and a third value in a third region (46) enclosing the second region, where the second value is greater than first and third values. An independent claim is also included for a method for forming a resonant device.
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