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公开(公告)号：FR2984654A1
公开(公告)日：2013-06-21
申请号：FR1161855
申请日：2011-12-16
Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 , ST MICROELECTRONICS SA
Inventor： URARD PASCAL , REGNIER CHRISTOPHE , GLORIA DANIEL , HINSINGER OLIVIER , CAVENEL PHILIPPE , BALME LIONEL
Abstract: L'invention concerne un module sans fil comprenant : un premier dispositif sensible au mouvement (206A) ; un circuit de communication pour communiquer sans fil avec un autre module sans fil (204) ; et un dispositif de traitement agencé pour comparer au moins un premier vecteur de mouvement reçu du premier dispositif sensible au mouvement avec au moins un deuxième vecteur de mouvement reçu d'un deuxième dispositif sensible au mouvement (206B) de l'autre module sans fil.
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公开(公告)号：FR2963704A1
公开(公告)日：2012-02-10
申请号：FR1056456
申请日：2010-08-05
Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 , ST MICROELECTRONICS SA
Inventor： REGNIER CHRISTOPHE , HINSINGER OLIVIER , GLORIA DANIEL , URARD PASCAL
IPC: H01L31/048 , H01L31/05
Abstract: L'invention concerne un dispositif autonome comprenant une plaquette de silicium (1) dont la face avant comporte une première couche d'un premier type de conductivité (2) et une deuxième couche d'un deuxième type de conductivité (3) formant une cellule photovoltaïque ; des premiers vias (4) traversant la plaquette à partir de la face arrière de la première couche (2) et des seconds vias (5) traversant la plaquette à partir de la face arrière de la deuxième couche (3) ; des niveaux de métallisation (9, 10) sur la face arrière de la plaquette, le niveau externe de ces niveaux de métallisation définissant des plots de contact (14) ; une antenne (13) formée dans l'un des niveaux de métallisation ; et une ou plusieurs puces montées sur lesdits plots ; les niveaux de métallisation étant conformés pour assurer des interconnexions choisies entre les différents éléments du dispositif.
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Patent Agency Ranking3.发明专利
公开(公告)号：FR3074609A1
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：FR1761685
申请日：2017-12-06
Inventor： SABOURET ERIC , ROCHEREAU KRYSTEN , HINSINGER OLIVIER , PERSIN-CRELEROT FLORE
Abstract: Le circuit intégré comporte au moins un plot de soudure (2) comprenant, dans une superposition de niveaux de métallisation (Ma, Mb, Mc), une structure sous-jacente (ST) comportant un réseau de premières pistes métalliques (PMa, PMb, PMc) régulières et agencées pour renforcer la résistance mécanique de ladite structure sous-jacente (ST), et pour établir une connexion électrique entre le niveau supérieur (Mc) et un niveau inférieur (Mb, Ma) desdits niveaux de métallisation de la structure sous-jacente (ST). La structure (ST) comporte en outre un chemin de détection (Rcrk) comprenant, dans lesdits niveaux de métallisation (Ma, Mb, Mc), des deuxièmes pistes métalliques (Ra, Rb, Rc) passant entre les premières pistes métalliques (PMa, PMb, PMc), le chemin de détection (Rcrk) ayant une borne d'entrée (I) et une borne de sortie (S) destinées à fournir une mesure représentative d'une présence de fissures dans ladite structure (ST).
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公开(公告)号：FR3073318A1
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：FR1760542
申请日：2017-11-09
Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS
Inventor： HINSINGER OLIVIER
IPC: G11C13/02
Abstract: L'invention concerne un point mémoire comprenant un élément de chauffage (116) surmonté d'un matériau à changement de phase, deux premières régions d'oxyde de silicium (302, 114D) qui encadrent latéralement l'élément de chauffage selon une première direction, et deux deuxièmes régions (352) d'oxyde de silicium qui encadrent latéralement l'élément de chauffage selon une deuxième direction orthogonale à la première direction.
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公开(公告)号：FR3073319A1
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：FR1760543
申请日：2017-11-09
Applicant: ST MICROELECTRONICS GRENOBLE 2 , ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS , ST MICROELECTRONICS ROUSSET
Inventor： ARNAUD FRANCK , GALPIN DAVID , ZOLL STEPHANE , HINSINGER OLIVIER , FAVENNEC LAURENT , ODDOU JEAN-PIERRE , BROUSSOUS LUCILE , BOIVIN PHILIPPE , WEBER OLIVIER , BRUN PHILIPPE , MORIN PIERRE
IPC: H01L21/822 , G11C13/02
Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication d'une puce électronique comportant des points mémoire à matériau à changement de phase (134) et des transistors (110, 112), comprenant : a) former les transistors et des premiers et deuxièmes vias (120B, 120A) s'étendant depuis des bornes (122A, 122B) des transistors et atteignant une même hauteur ; b) former un premier niveau de métal comprenant des premières pistes d'interconnexion (202) en contact avec les premiers vias (120B) ; c) former des éléments de chauffage (132) des matériaux à changement de phase sur les deuxièmes vias (120A) ; d) former les matériaux à changement de phase (134) sur les éléments de chauffage (132) ; et e) former un deuxième niveau de métal comprenant des deuxièmes pistes d'interconnexion et situé au-dessus des matériaux à changement de phase, et former des troisièmes vias (204) s'étendant des matériaux à changement de phase jusqu'aux deuxièmes pistes.
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6.发明专利
公开(公告)号：FR3074609B1
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：FR1761685
申请日：2017-12-06
Inventor： SABOURET ERIC , ROCHEREAU KRYSTEN , HINSINGER OLIVIER , PERSIN-CRELEROT FLORE
Abstract: Le circuit intégré comporte au moins un plot de soudure (2) comprenant, dans une superposition de niveaux de métallisation (Ma, Mb, Mc), une structure sous-jacente (ST) comportant un réseau de premières pistes métalliques (PMa, PMb, PMc) régulières et agencées pour renforcer la résistance mécanique de ladite structure sous-jacente (ST), et pour établir une connexion électrique entre le niveau supérieur (Mc) et un niveau inférieur (Mb, Ma) desdits niveaux de métallisation de la structure sous-jacente (ST). La structure (ST) comporte en outre un chemin de détection (Rcrk) comprenant, dans lesdits niveaux de métallisation (Ma, Mb, Mc), des deuxièmes pistes métalliques (Ra, Rb, Rc) passant entre les premières pistes métalliques (PMa, PMb, PMc), le chemin de détection (Rcrk) ayant une borne d'entrée (I) et une borne de sortie (S) destinées à fournir une mesure représentative d'une présence de fissures dans ladite structure (ST).
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公开(公告)号：FR3057395A1
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：FR1659700
申请日：2016-10-07
Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS
Inventor： BENOIT DANIEL , HINSINGER OLIVIER , GOURVEST EMMANUEL
IPC: H01L27/146
Abstract: L'invention concerne un capteur d'image à éclairement par la face arrière, comprenant des régions mémoire formées dans une plaquette semiconductrice, chaque région mémoire (9) étant située entre deux murs opaques (80) qui s'étendent dans la plaquette et sont en contact avec un écran opaque (96) disposé en face arrière de la région mémoire.
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