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    CELLULE PHOTOVOLTAÏQUE ET CAPTEUR AUTONOME
    4.
    发明专利
    CELLULE PHOTOVOLTAÏQUE ET CAPTEUR AUTONOME 未知

    公开(公告)号：FR2963704A1

    公开(公告)日：2012-02-10

    申请号：FR1056456

    申请日：2010-08-05

    Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 ,  ST MICROELECTRONICS SA

    Inventor： REGNIER CHRISTOPHE ,  HINSINGER OLIVIER ,  GLORIA DANIEL ,  URARD PASCAL

    IPC: H01L31/048 ,  H01L31/05

    Abstract: L'invention concerne un dispositif autonome comprenant une plaquette de silicium (1) dont la face avant comporte une première couche d'un premier type de conductivité (2) et une deuxième couche d'un deuxième type de conductivité (3) formant une cellule photovoltaïque ; des premiers vias (4) traversant la plaquette à partir de la face arrière de la première couche (2) et des seconds vias (5) traversant la plaquette à partir de la face arrière de la deuxième couche (3) ; des niveaux de métallisation (9, 10) sur la face arrière de la plaquette, le niveau externe de ces niveaux de métallisation définissant des plots de contact (14) ; une antenne (13) formée dans l'un des niveaux de métallisation ; et une ou plusieurs puces montées sur lesdits plots ; les niveaux de métallisation étant conformés pour assurer des interconnexions choisies entre les différents éléments du dispositif.

    6.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：FR2851078A1

    公开(公告)日：2004-08-13

    申请号：FR0301467

    申请日：2003-02-07

    Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

    Inventor： VAN HAAREN BART ,  CLEMENT CECILE ,  GLORIA DANIEL

    IPC: H01L21/02 ,  H01L27/08 ,  H01F17/00

    Abstract: The inductance has a conductor track (2) with a shape defining a determined number of concentric spirals (4, 5) and a pair of access points (6, 6) corresponding to respective ends of the track. Another pair of access points (7, 7) distinct from the points (6, 6) is arranged on a level of two respective zones (14, 15) of the track. Inductance value L1 between the points (6, 6) is higher than between the points (7, 7). An independent claim is also included for an integrated electronic circuit having an integrated plane inductance.

    DISPOSITIF ELECTRONIQUE COMPRENANT UN COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR INTEGRANT UNE ANTENNE
    9.
    发明专利
    DISPOSITIF ELECTRONIQUE COMPRENANT UN COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR INTEGRANT UNE ANTENNE 未知

    公开(公告)号：FR2952457A1

    公开(公告)日：2011-05-13

    申请号：FR0957941

    申请日：2009-11-10

    Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

    Inventor： PILARD ROMAIN ,  GLORIA DANIEL ,  GIANESELLO FREDERIC ,  DURAND CEDRIC

    IPC: H01L23/48 ,  G06K19/077 ,  H04B1/38

    Abstract: Dispositif électronique comprenant un composant semi-conducteur (2) comprenant un substrat de base (3) en forme de plaquette et, sur un côté de ce substrat, des circuits intégrés comprenant un circuit RF (6) et une antenne (8) reliée à ce circuit RF en vue d'émettre/recevoir des signaux radio fréquence, et comprenant en outre une couche métallique (13) située d'un autre côté du substrat, en vis-à-vis de ladite antenne, et au moins un via métallique (15) ménagé dans un trou traversant du substrat, ce via étant relié d'une part à ladite couche métallique et d'autre part au circuit RF, au même potentiel de référence que ladite antenne.

    DISPOSITIF ELECTRONIQUE SEMI-CONDUCTEUR COMPRENANT AU MOINS UNE INDUCTANCE
    10.
    发明专利
    DISPOSITIF ELECTRONIQUE SEMI-CONDUCTEUR COMPRENANT AU MOINS UNE INDUCTANCE 未知

    公开(公告)号：FR2960702A1

    公开(公告)日：2011-12-02

    申请号：FR0957902

    申请日：2009-11-09

    Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

    Inventor： PILARD ROMAIN ,  GLORIA DANIEL ,  GIANESELLO FREDERIC ,  DURAND CEDRIC

    IPC: H01L23/535

    Abstract: Un composant semi-conducteur peut comprendre un substrat (3) sur une face avant (4) duquel sont formés des circuits intégrés (6) et une couche d'interconnexion (7) incluant un réseau d'interconnexion (10), et peut comprendre en outre au moins une inductance (11) formée sur une face arrière (5) du substrat (3) et des vias de connexion électrique (14, 15) aménagés dans des trous (12, 13) au travers du substrat (3) et connectés d'une part audit réseau d'interconnexion (10) et d'autre part à ladite inductance (11). Un autre substrat (19) peut présenter une face avant (20) en vis-à-vis et à distance de la face arrière (5) dudit substrat (3) et sur laquelle est formée une autre inductance (21) couplée électromagnétiquement à l'inductance dudit composant semi-conducteur .

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