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    Photodiode SPAD
    2.
    发明专利
    Photodiode SPAD 未知

    公开(公告)号：FR3121282A1

    公开(公告)日：2022-09-30

    申请号：FR2103040

    申请日：2021-03-25

    Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

    Inventor： ZIMMER ANTONIN ,  GOLANSKI DOMINIQUE ,  BIANCHI RAUL ANDRES

    IPC: H01L31/107 ,  H01L31/18

    Abstract: Photodiode SPAD La présente description concerne une photodiode comportant, dans un substrat semi-conducteur (11) d'un premier type de conductivité : - une première région (13) enterrée sensiblement hémisphérique du premier type de conductivité ; et - à l'intérieur de la première région, un coeur (15) sensiblement hémisphérique d'un deuxième type de conductivité, différent du premier type de conductivité. Figure pour l'abrégé : Fig. 2

    Pixel à efficacité quantique améliorée
    3.
    发明专利
    Pixel à efficacité quantique améliorée 未知

    公开(公告)号：FR3114190A1

    公开(公告)日：2022-03-18

    申请号：FR2010469

    申请日：2020-10-13

    Applicant: ST MICROELECTRONICS RES & DEV LTD ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

    Inventor： BIANCHI RAUL ANDRES ,  BARLAS MARIOS ,  LOPEZ ALEXANDRE ,  MAMDY BASTIEN ,  RAE BRUCE ,  NICHOLSON ISOBEL

    IPC: H01L31/107 ,  H01L27/146

    Abstract: Pixel à efficacité quantique améliorée La présente description concerne un pixel (1) comprenant : une photodiode (PD) comprenant une partie (100) d’un substrat (102) en un matériau semi-conducteur, s’étendant verticalement à partir d’une première face (104) du substrat (102) jusqu’à une deuxième face (106) du substrat (102) configurée pour recevoir de la lumière ; une couche (108) en un premier matériau recouvrant chacune des surfaces latérales de ladite partie (100) ; une couche (110) en un deuxième matériau recouvrant ladite partie (100) du côté de la première face (104), les premier et deuxième matériaux ayant des indices de réfraction inférieurs à celui du matériau semiconducteur ; et une structure de diffraction (125) disposée sur une face de la photodiode (PD) du côté de la deuxième face (106). Figure pour l'abrégé : Fig. 1

    Extinction d'une SPAD
    4.
    发明专利
    Extinction d'une SPAD 未知

    公开(公告)号：FR3101729A1

    公开(公告)日：2021-04-09

    申请号：FR1911063

    申请日：2019-10-07

    Applicant: ST MICROELECTRONICS RES & DEV LTD ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

    Inventor： BIANCHI RAUL ANDRES ,  VIGNETTI MATTEO MARIA ,  RAE BRUCE

    IPC: H01L31/107 ,  G01J11/00 ,  H01L27/146

    Abstract: Extinction d'une SPAD La présente description concerne un dispositif (1) comprenant : une photodiode (100) dont une première borne est reliée par une résistance (R) à un premier noeud (104) configuré pour recevoir un potentiel haut d'alimentation (VH) et dont une deuxième borne est reliée par un interrupteur (102) à un deuxième noeud (106) configuré pour recevoir un potentiel de référence (GND) ; un circuit de lecture (110) configuré pour fournir une impulsion (OUT) lorsque la diode (100) entre en avalanche ; et un circuit de commande (126) configuré pour commander une ouverture de l'interrupteur (102) en réponse au début de ladite impulsion (OUT) et pour commander une fermeture de l'interrupteur en réponse à la fin de ladite impulsion (OUT). Figure pour l'abrégé : Fig. 1

    Pixel à efficacité quantique améliorée
    7.
    发明专利
    Pixel à efficacité quantique améliorée 未知

    公开(公告)号：FR3114190B1

    公开(公告)日：2022-10-14

    申请号：FR2010469

    申请日：2020-10-13

    Applicant: ST MICROELECTRONICS RES & DEV LTD ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

    Inventor： BIANCHI RAUL ANDRES ,  BARLAS MARIOS ,  LOPEZ ALEXANDRE ,  MAMDY BASTIEN ,  RAE BRUCE ,  NICHOLSON ISOBEL

    IPC: H01L31/107 ,  H01L27/146

    Abstract: Pixel à efficacité quantique améliorée La présente description concerne un pixel (1) comprenant : une photodiode (PD) comprenant une partie (100) d’un substrat (102) en un matériau semi-conducteur, s’étendant verticalement à partir d’une première face (104) du substrat (102) jusqu’à une deuxième face (106) du substrat (102) configurée pour recevoir de la lumière ; une couche (108) en un premier matériau recouvrant chacune des surfaces latérales de ladite partie (100) ; une couche (110) en un deuxième matériau recouvrant ladite partie (100) du côté de la première face (104), les premier et deuxième matériaux ayant des indices de réfraction inférieurs à celui du matériau semiconducteur ; et une structure de diffraction (125) disposée sur une face de la photodiode (PD) du côté de la deuxième face (106). Figure pour l'abrégé : Fig. 1

    DISPOSITIF INTEGRE DE FONCTION PHYSIQUEMENT NON CLONABLE, ET PROCEDE DE REALISATION
    8.
    发明专利
    DISPOSITIF INTEGRE DE FONCTION PHYSIQUEMENT NON CLONABLE, ET PROCEDE DE REALISATION 未知

    公开(公告)号：FR3064435A1

    公开(公告)日：2018-09-28

    申请号：FR1752336

    申请日：2017-03-22

    Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS ,  ST MICROELECTRONICS ROUSSET

    Inventor： LISART MATHIEU ,  BIANCHI RAUL ANDRES ,  FROMENT BENOIT

    IPC: H04L9/10

    Abstract: Le dispositif intégré de fonctions physiquement non clonables est basé sur un ensemble de transistors MOS (TR1i, TR2j) présentant une distribution aléatoire de tensions de seuil obtenues par des implantations latérales de dopants présentant des caractéristiques non prédictibles, résultant par exemple d'implantations à travers une couche de polysilicium. Un certain nombre de ces transistors forme un groupe de transistors « témoins » (TR1i) qui vont permettre de définir une tension grille-source moyenne permettant de polariser les grilles de certains autres de ces transistors (TR2j) (qui vont être utilisés pour définir les différents bits du code unique généré par la fonction). Tous ces transistors présentent par conséquent une distribution aléatoire de courants drain-source et la comparaison de chaque courant drain-source (ITRj) d'un transistor (TR2j) associé à un bit du code numérique avec un courant de référence (IRj) correspondant à la moyenne de cette distribution, va permettre de définir la valeur logique 0 ou 1 de ce bit.

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