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    Dimming detection mosfet, and manufacturing method thereof
    1.
    发明专利
    Dimming detection mosfet, and manufacturing method thereof 审中-公开
    调光检测MOSFET及其制造方法

    公开(公告)号：JP2009044127A

    公开(公告)日：2009-02-26

    申请号：JP2008120484

    申请日：2008-05-02

    Applicant: St Microelectronics Sa ,  エスティ マイクロエレクトロニクス エス.エイ.ST Microelectronics S.A.

    Inventor： ABELE NICOLAS

    IPC: H01L31/10 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786

    CPC classification number: H01L31/1136 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To form a structure of a component for attaining function of a photo-sensor and a dimmer while saving its space.
    SOLUTION: A light control detection MOSFET has two source and drain regions separated with a channel 130 extending along a first direction, and a substrate 100 irradiated with light and a gate conductive beam 140 extending along a second direction which is almost perpendicular to the first direction. On at least one supporting region, the beam is fixed at each of two edge portions and located on the channel region 130. The gate beam is almost opaque and flexible so that progressive modulation is applied to light reaching the channel 130 based on a curve which is controlled by a voltage difference between a gate voltage and bulk voltage wherein the voltage difference acts so as to bend the beam to come closer to the channel surface.
    COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

    Abstract translation: 要解决的问题：为了形成用于获得光传感器和调光器的功能的部件的结构，同时节省空间。 光控制检测MOSFET具有沿着第一方向延伸的通道130和由光照射的基板100和沿第二方向延伸的栅极导电梁140分开的两个源极和漏极区域，第二方向几乎垂直于 第一个方向。 在至少一个支撑区域上，光束固定在两个边缘部分中的每一个并且位于通道区域130上。栅极光束几乎是不透明和柔性的，使得逐渐调制被施加到基于如下曲线的到达通道130的光 由栅极电压和体电压之间的电压差控制，其中电压差用于使光束弯曲成靠近通道表面。 版权所有（C）2009，JPO＆INPIT

    MICROCAPTEUR DE PRESSION
    2.
    发明专利
    MICROCAPTEUR DE PRESSION 未知

    公开(公告)号：FR2918747A1

    公开(公告)日：2009-01-16

    申请号：FR0705068

    申请日：2007-07-12

    Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

    Inventor： ABELE NICOLAS

    IPC: G01L9/06 ,  B81B3/00 ,  G06K9/00

    Abstract: Un Microcapteur de pression et son procédé de fabrication.Le microcapteur comporte un transistor MOS FET à grille mobile (2) , une cavité (6) entre la grille mobile (2) disposés sur un substrat (1), des moyens pour mesurer la position de ladite grille et des moyens pour déplacer la dite grille mobile sous l'effet d'une pression.L'invention décrit plus spécifiquement un système de reconnaissance d'empreinte digitale.

    MICRO SYSTEME COMPRENANT UNE POUTRE DEFORMABLE PAR FLEXION ET PROCEDE DE FABRICATION
    3.
    发明专利
    MICRO SYSTEME COMPRENANT UNE POUTRE DEFORMABLE PAR FLEXION ET PROCEDE DE FABRICATION 未知

    公开(公告)号：FR2920754A1

    公开(公告)日：2009-03-13

    申请号：FR0706269

    申请日：2007-09-07

    Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

    Inventor： ABELE NICOLAS

    IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  H03H9/24

    Abstract: Un micro système mécanique comportant une poutre (140) s'étendant suivant une direction longitudinale (O-y) déformable par flexion, et au moins un élément magnétique (201, 202) créant un champ magnétique. La poutre flexible comporte :- une premier circuit (10) comportant une première géométrie générant, lorsqu'il est parcouru par un courant, une force agissant sur ladite poutre en un endroit spécifique de manière à provoquer un premier mode vibratoire ;- un second circuit (20) comportant une seconde géométrie distincte de la première, et générant, lorsqu'il est parcouru par un courant, une force agissant sur ladite poutre en un second endroit provoquant un second mode vibratoire.

    5.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE602005001245D1

    公开(公告)日：2007-07-12

    申请号：DE602005001245

    申请日：2005-09-15

    Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

    Inventor： ANCEY PASCAL ,  ABELE NICOLAS ,  CASSET FABRICE

    IPC: B81B7/02 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00

    Abstract: A MOS transistor with a deformable gate formed in a semiconductor substrate (10), comprises : (A) some source and drain zones (11, 12) separated by a channel zone (13) extending in a first direction from the source to the drain and in a second direction perpendicular to the first direction; (B) a conducting gate beam (16) placed at least above the channel zone extending in the second direction between some support points placed on the substrate at each side of the channel zone. The surface of the channel zone is hollow and has a form similar to that of the gate beam when it is in maximum deflection towards the channel zone. Independent claims are also included for : (A) a circuit oscillator incorporating this transistor; (B) the fabrication of this transistor with a deformable gate.

    CIRCUIT ELECTRONIQUE PERMETTANT LA MESURE DE MASSE DE MATERIAU BIOLOGIQUE ET PROCEDE DE FABRICATION
    8.
    发明专利
    CIRCUIT ELECTRONIQUE PERMETTANT LA MESURE DE MASSE DE MATERIAU BIOLOGIQUE ET PROCEDE DE FABRICATION 未知

    公开(公告)号：FR2916271A1

    公开(公告)日：2008-11-21

    申请号：FR0703449

    申请日：2007-05-14

    Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

    Inventor： ABELE NICOLAS

    IPC: G01G3/16 ,  G01N27/00 ,  G01N33/483

    Abstract: Micro circuit de mesure d'un poids comportant :- un substrat (100) comportant une première zone constituant une première électrode (110) ;- une poutre conductrice vibrante (140) fixée à ses deux extrémités sur deux points d'appui (150) sur ledit substrat, ladite poutre conductrice constituant une seconde électrode, caractérisé en ce que ladite poutre conductrice est réalisée au moyen d'un gel polymère comportant des microparticules métalliques en quantité suffisamment faibles pour ne pas contaminer un milieu biologique à traiter mais suffisamment dense pour assurer la conductivité électrique de ladite seconde électrode.L'invention réalise également un procédé de fabrication d'un tel micro-circuit.

    9.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE602005001245T2

    公开(公告)日：2008-01-24

    申请号：DE602005001245

    申请日：2005-09-15

    Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

    Inventor： ANCEY PASCAL ,  ABELE NICOLAS ,  CASSET FABRICE

    IPC: B81B7/02 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00

    Abstract: A MOS transistor with a deformable gate formed in a semiconductor substrate (10), comprises : (A) some source and drain zones (11, 12) separated by a channel zone (13) extending in a first direction from the source to the drain and in a second direction perpendicular to the first direction; (B) a conducting gate beam (16) placed at least above the channel zone extending in the second direction between some support points placed on the substrate at each side of the channel zone. The surface of the channel zone is hollow and has a form similar to that of the gate beam when it is in maximum deflection towards the channel zone. Independent claims are also included for : (A) a circuit oscillator incorporating this transistor; (B) the fabrication of this transistor with a deformable gate.

    10.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：FR2875339B1

    公开(公告)日：2006-12-08

    申请号：FR0452070

    申请日：2004-09-16

    Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

    Inventor： ANCEY PASCAL ,  ABELE NICOLAS ,  CASSET FABRICE

    IPC: H01L29/94 ,  B81B3/00 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  H01L29/84

    Abstract: A MOS transistor with a deformable gate formed in a semiconductor substrate (10), comprises : (A) some source and drain zones (11, 12) separated by a channel zone (13) extending in a first direction from the source to the drain and in a second direction perpendicular to the first direction; (B) a conducting gate beam (16) placed at least above the channel zone extending in the second direction between some support points placed on the substrate at each side of the channel zone. The surface of the channel zone is hollow and has a form similar to that of the gate beam when it is in maximum deflection towards the channel zone. Independent claims are also included for : (A) a circuit oscillator incorporating this transistor; (B) the fabrication of this transistor with a deformable gate.

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