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公开(公告)号：FR3011117A1
公开(公告)日：2015-03-27
申请号：FR1359142
申请日：2013-09-24
Applicant: ST MICROELECTRONICS SA
Inventor： CANDELIER PHILIPPE , DIOKH THERESE ANDREE , DAMIENS JOEL , LEROUX ELISE
Abstract: L'invention concerne un procédé de commande d'une cellule mémoire ReRAM (cell1) comportant un élément de stockage (S) à résistance programmable, comprenant : pendant une période de veille (STDBY), appliquer une tension de veille (VSTDBY) non nulle entre deux électrodes de l'élément de stockage (S).
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