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    Method of programming memory device of one-time programmable type, and integrated circuit incorporating the memory device
    1.
    发明专利
    Method of programming memory device of one-time programmable type, and integrated circuit incorporating the memory device 审中-公开
    编程一次性可编程类型的存储器件的方法和包含存储器件的集成电路

    公开(公告)号：JP2009266362A

    公开(公告)日：2009-11-12

    申请号：JP2009088817

    申请日：2009-04-01

    Applicant: St Microelectronics Sa ,  エスティマイクロエレクトロニクス エスエー

    Inventor： DAMIENS JOEL

    IPC: G11C17/14 ,  H01L27/10

    CPC classification number: G11C17/16

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of programming a memory device of a one-time programmable type and an integrated circuit incorporating the memory device. SOLUTION: The integrated circuit includes a memory device DM of an irreversibly electrically programmable type provided with at least a memory cell CEL having a dielectric zone C disposed between a first electrode EC1 and a second electrode EC2 electrically coupled to an access circuit including at least one access transistor TR. The memory device further includes an auxiliary transistor (TRX) electrically coupled between the first electrode and a first power supply terminal, wherein an auxiliary control electrode of the auxiliary transistor is controlled in such a way as to be enabled when the access transistor is enabled, and the auxiliary transistor is arranged in such a way as to exhibit a lower saturation current than the saturation current of the access circuit. COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

    Abstract translation: 要解决的问题：提供一种编程一次性可编程类型的存储器件和结合存储器件的集成电路的方法。 解决方案：集成电路包括具有不可逆电可编程类型的存储器件DM，其具有至少一个存储单元CEL，该存储单元CEL具有电介质区域C，该电介质区域C设置在电耦合到存取电路的第一电极EC1和第二电极EC2之间， 至少一个存取晶体管TR。 存储器件还包括电耦合在第一电极和第一电源端子之间的辅助晶体管（TRX），其中辅助晶体管的辅助控制电极被控制为当存取晶体管被使能时被使能， 辅助晶体管的布置方式使得比饱和电流比饱和电流低的饱和电流。 版权所有（C）2010，JPO＆INPIT

    MÉMOIRES OTP A BASE DE DISPOSITIFS MOSFET
    3.
    发明专利
    MÉMOIRES OTP A BASE DE DISPOSITIFS MOSFET 未知

    公开(公告)号：FR2970106A1

    公开(公告)日：2012-07-06

    申请号：FR1005155

    申请日：2010-12-29

    Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

    Inventor： GALY PHILIPPE ,  GAMET STEPHANE ,  JIMENEZ JEAN ,  HUARD VINCENT ,  DAMIENS JOEL

    IPC: G11C17/14 ,  H01L29/772

    Abstract: L'invention concerne une cellule mémoire OTP (30) comportant un point mémoire (T ) comprenant un transistor à effet de champ (1). Le dispositif (1) comporte une électrode de source (2) et une électrode de drain (3) dopées par une première impureté dopante et séparées par un canal (4). L'électrode de source (2) est réalisée de manière à ce qu'elle soit plus dopée que l'électrode de drain (3) et que le gradient de concentration en première impureté dopante depuis le canal (4) vers l'électrode de drain (3) est supérieur au gradient de concentration en première impureté dopante depuis le canal (4) vers l'électrode de source (2).

    PROCEDE DE CONTROLE DU CLAQUAGE D'UN ANTIFUSIBLE
    4.
    发明专利
    PROCEDE DE CONTROLE DU CLAQUAGE D'UN ANTIFUSIBLE 未知

    公开(公告)号：FR2990291A1

    公开(公告)日：2013-11-08

    申请号：FR1254049

    申请日：2012-05-03

    Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

    Inventor： CANDELIER PHILIPPE ,  DAMIENS JOEL ,  LEROUX ELISE

    IPC: G11C17/18

    Abstract: L'invention concerne un procédé de contrôle du claquage d'un antifusible formé sur un substrat semiconducteur comprenant les étapes suivantes : application d'une tension de programmation (HV) ; détection d'un instant de claquage (T1) ; et interruption de l'application de la tension de programmation à un instant suivant l'instant de claquage d'une durée de post-claquage (T2).

    PROCEDE DE PROGRAMMATION D'UN DISPOSITIF DE MEMOIRE DU TYPE PROGRAMMABLE UNE FOIS ET CIRCUIT INTEGRE INCORPORANT UN TEL DISPOSITIF DE MEMOIRE
    6.
    发明专利
    PROCEDE DE PROGRAMMATION D'UN DISPOSITIF DE MEMOIRE DU TYPE PROGRAMMABLE UNE FOIS ET CIRCUIT INTEGRE INCORPORANT UN TEL DISPOSITIF DE MEMOIRE 未知

    公开(公告)号：FR2929751A1

    公开(公告)日：2009-10-09

    申请号：FR0852354

    申请日：2008-04-08

    Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

    Inventor： DAMIENS JOEL

    IPC: G11C17/18 ,  G06F12/00 ,  G11C17/16

    Abstract: Le circuit intégré comprend un dispositif de mémoire du type électriquement programmable de façon irréversible comportant au moins une cellule-mémoire (CEL) comportant une zone diélectrique (C) disposée entre une première électrode (EC1) électriquement couplée à une première borne (BA) d'alimentation et une deuxième électrode (EC2) électriquement couplée à un circuit d'accès incluant au moins un transistor d'accès (TR). Le dispositif de mémoire (DM) comprend en outre un circuit auxiliaire (CAX) comportant un transistor auxiliaire (TRX) électriquement couplé entre ladite première électrode et ladite première borne d'alimentation, apte à être commandé sur son électrode de commande auxiliaire de façon à être passant lorsque le circuit d'accès (TR) est passant, et agencé de façon à présenter un courant de saturation inférieur au courant de saturation du circuit d'accès.

    DISPOSITIF SECURISE DE MEMOIRE DU TYPE PROGRAMMABLE UNE FOIS
    7.
    发明专利
    DISPOSITIF SECURISE DE MEMOIRE DU TYPE PROGRAMMABLE UNE FOIS 未知

    公开(公告)号：FR2929750A1

    公开(公告)日：2009-10-09

    申请号：FR0852353

    申请日：2008-04-08

    Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

    Inventor： CANDELIER PHILIPPE ,  GENDRIER PHILIPPE ,  DAMIENS JOEL ,  LE ROUX ELISE

    IPC: G11C17/12 ,  G11C17/16

    Abstract: Le circuit intégré comprend un dispositif de mémoire du type électriquement programmable de façon irréversible comportant plusieurs cellules-mémoires, chaque cellule-mémoire (CL) comportant une zone diélectrique (DX) disposée entre une première électrode et une deuxième électrode électriquement couplée à un transistor. Le dispositif de mémoire comporte en outre au moins un premier moyen de liaison électriquement conducteur (PML1), électriquement couplé aux premières électrodes (E1) d'au moins deux cellules-mémoires, ces deux premières électrodes (E1) étant destinées à être couplées à une même tension de polarisation (HV), le premier moyen de liaison (PML1) étant disposé sensiblement dans le même plan que les premières électrodes (E1) de ces deux cellules-mémoires.

    PROGRAMMATION DE CELLULES ANTI-FUSIBLES
    10.
    发明专利
    PROGRAMMATION DE CELLULES ANTI-FUSIBLES 未知

    公开(公告)号：FR3025927A1

    公开(公告)日：2016-03-18

    申请号：FR1458589

    申请日：2014-09-12

    Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

    Inventor： LACOUTURE STEPHANE ,  DAMIENS JOEL

    IPC: G11C17/16 ,  G11C17/18

    Abstract: L'invention concerne un procédé de programmation d'une mémoire anti-fusible, comportant, pour chaque cellule à programmer, les étapes suivantes : évaluer (65) la consommation de la mémoire en mode programmation ; comparer (66) cette consommation à un seuil (TH) ; et arrêter (67) la programmation d'une cellule quand le seuil est atteint.

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