公开(公告)号：FR2989221A1

公开(公告)日：2013-10-11

申请号：FR1253209

申请日：2012-04-06

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： CANDELIER PHILIPPE ,  LEROUX ELISE

IPC: H01L29/94 ,  G11C5/14 ,  H01L23/58 ,  H01L27/11

Abstract: Condensateur sur circuit intégré, comprenant un substrat (10) comprenant une zone (12) intégrant du silicium sur isolant (SOI) (27, 28), caractérisé en ce qu'il comprend au moins un contact (37) reliant la couche (27) conductrice de silicium positionnée sur la couche isolante (28) de la zone (12) du substrat (10) à une bande (17) en matériau conducteur positionnée dans une couche (M1) au-dessus du substrat (10), apte à une liaison à un potentiel (V2), et en ce qu'il comprend au moins un autre contact (36) reliant une couche (26) conductrice positionnée sous la couche isolante (28) à une bande (16) en matériau conducteur positionnée dans une couche (M1) au-dessus du substrat (10), apte à une liaison à un autre potentiel (V1), de sorte à pouvoir former un condensateur par les deux couches conductrices (26, 27) situées de part et d'autre de la couche isolante (28) du substrat (10).

公开(公告)号：FR2990291A1

公开(公告)日：2013-11-08

申请号：FR1254049

申请日：2012-05-03

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： CANDELIER PHILIPPE ,  DAMIENS JOEL ,  LEROUX ELISE

IPC: G11C17/18

Abstract: L'invention concerne un procédé de contrôle du claquage d'un antifusible formé sur un substrat semiconducteur comprenant les étapes suivantes : application d'une tension de programmation (HV) ; détection d'un instant de claquage (T1) ; et interruption de l'application de la tension de programmation à un instant suivant l'instant de claquage d'une durée de post-claquage (T2).

公开(公告)号：FR3011117A1

公开(公告)日：2015-03-27

申请号：FR1359142

申请日：2013-09-24

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： CANDELIER PHILIPPE ,  DIOKH THERESE ANDREE ,  DAMIENS JOEL ,  LEROUX ELISE

IPC: G11C7/00 ,  G11C11/21

Abstract: L'invention concerne un procédé de commande d'une cellule mémoire ReRAM (cell1) comportant un élément de stockage (S) à résistance programmable, comprenant : pendant une période de veille (STDBY), appliquer une tension de veille (VSTDBY) non nulle entre deux électrodes de l'élément de stockage (S).