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公开(公告)号：FR2985372A1
公开(公告)日：2013-07-05
申请号：FR1250062
申请日：2012-01-04
Applicant: ST MICROELECTRONICS SA
Inventor： TROUSSIER GHISLAIN , GUITARD NICOLAS , DRAY ALEXANDRE , GALY PHILIPPE
Abstract: Circuit électronique comportant un transistor MOS (100, 300), formé à partir d'une fraction (111, 311) de la couche mince (103) située sur la couche d'oxyde enfouie (102) d'un substrat de type FDSOI, ledit transistor (100, 300) comprenant une structure de grille (115, 116) reposant sur ladite couche mince (111, 311), et deux zone source (113, 313) et drain (112, 312) disposés de part et d'autre de ladite fraction (111, 311), comprenant également un dispositif complémentaire (150, 250, 350) connecté d'une part à ladite grille (116, 316) et d'autre part à la source (113, 313), ledit dispositif étant adapté pour être conducteur lorsque le potentiel de la source (113, 313) est supérieur au potentiel du drain (112, 312), et être non-conducteur lorsque le potentiel de la source (113, 313) est inférieur au potentiel du drain.
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2.发明专利
公开(公告)号：FR3028351B1
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：FR1460877
申请日：2014-11-12
Applicant: ST MICROELECTRONICS SA , STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS
Inventor： DRAY ALEXANDRE , JOSSE EMMANUEL
IPC: H01L27/02 , H01L27/088
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3.发明专利
公开(公告)号：FR3028351A1
公开(公告)日：2016-05-13
申请号：FR1460877
申请日：2014-11-12
Applicant: ST MICROELECTRONICS SA , STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS
Inventor： DRAY ALEXANDRE , JOSSE EMMANUEL
IPC: H01L27/02 , H01L27/088
Abstract: Le circuit intégré comprend au moins une cellule intégrée (CEL) disposée à un emplacement (EMP) du circuit intégré, ladite au moins une cellule comportant deux premiers dispositifs intégrés (DV1, DV2) connectés à au moins un endroit (A) de la cellule par l'intermédiaire d'un multiplexeur (MUX) et respectivement orientés selon deux directions d'orientation différentes (D1, D2), seul le premier dispositif orienté selon l'une de ces directions d'orientation étant utilisable, et des moyens de commande (1) configurés pour détecter celle des directions d'orientation qui, compte tenu de la disposition de la cellule audit emplacement, permet au premier dispositif correspondant d'être utilisable et pour commander le multiplexeur (MUX) de façon à effectivement connecter électriquement audit au moins un endroit ledit premier dispositif utilisable.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：FR2934710A1
公开(公告)日：2010-02-05
申请号：FR0855383
申请日：2008-08-04
Applicant: ST MICROELECTRONICS SA
Inventor： GALY PHILIPPE , ENTRINGER CHRISTOPHE , DRAY ALEXANDRE
Abstract: Le circuit intégré comprend au moins un moyen de protection électronique contre au moins une décharge électrostatique apte à évacuer le courant de surtension généré par la décharge électrostatique. Le moyen de protection électronique comprend un commutateur commandé de court-circuit réalisé en technologie CMOS comportant un triac de technologie CMOS ou un thyristor de technologie CMOS monté anti-parallèlement à une diode de technologie CMOS, et des moyens de déclenchement pour commander le commutateur de court-circuit.
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公开(公告)号：FR2974685A1
公开(公告)日：2012-11-02
申请号：FR1153589
申请日：2011-04-27
Applicant: ST MICROELECTRONICS SA
Inventor： DRAY ALEXANDRE , GALY PHILIPPE , BOURGEAT JOHAN
Abstract: Dispositif semiconducteur pour une protection d'au moins un noeud d'un circuit intégré contre des décharges électrostatiques, comprenant un doublet de thyristors à gâchettes flottantes (THil, THi2) connectés en parallèle et tête-bêche, les deux thyristors ayant respectivement deux gâchettes distinctes (CSil, CSi2) et une gâchette commune (SB) formée par une couche semiconductrice commune (SB), l'anode d'un premier thyristor du doublet et la cathode du deuxième thyristor du doublet formant une première borne (BDil) du doublet destinée à être connectée à un point froid et la cathode du premier thyristor du doublet et l'anode du deuxième thyristor du doublet formant une deuxième borne (BDi2) du doublet destinée à être connectée audit nœud à protéger.
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公开(公告)号：FR2974668A1
公开(公告)日：2012-11-02
申请号：FR1253262
申请日：2012-04-10
Applicant: ST MICROELECTRONICS SA
Inventor： DRAY ALEXANDRE , GALY PHILIPPE , BOURGEAT JOHAN
IPC: H01L23/60
Abstract: Dispositif semiconducteur pour une protection d'au moins un noeud d'un circuit intégré contre des décharges électrostatiques, comprenant un doublet de thyristors à gâchettes flottantes (THi1, THi2) connectés en parallèle et tête-bêche, les deux thyristors ayant respectivement deux gâchettes distinctes (CSil, CSi2) et une gâchette commune (SB) formée par une couche semiconductrice commune (SB), l'anode d'un premier thyristor du doublet et la cathode du deuxième thyristor du doublet formant une première borne (BDil) du doublet destinée à être connectée à un point froid et la cathode du premier thyristor du doublet et l'anode du deuxième thyristor du doublet formant une deuxième borne (BDi2) du doublet destinée à être connectée audit nœud à protéger.
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公开(公告)号：FR2969818A1
公开(公告)日：2012-06-29
申请号：FR1061054
申请日：2010-12-22
Applicant: ST MICROELECTRONICS SA
Inventor： LOTITO SEBASTIEN , FOURTOU CHRISTOPHE , DRAY ALEXANDRE
IPC: H01L23/522
Abstract: Structure tridimensionnelle intégrée comprenant au moins un premier (1) et un deuxième (2) circuits intégrés mutuellement connectés par des éléments de connexion (4) électriquement conducteurs, le premier circuits intégré (1) comportant des composants et des circuits tampons (MB1 à MBn) réalisés au moins partiellement au sein d'un substrat (SUB) semi-conducteur et un réseau d'interconnexion (MS) connecté audits composants et circuits tampons (MB1 à MBn), chaque circuit tampon (MB1 à MBn) étant électriquement connecté audit réseau d'interconnexion (MS) et audits éléments de connexion (4) électriquement conducteurs.
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公开(公告)号：FR2934710B1
公开(公告)日：2010-09-10
申请号：FR0855383
申请日：2008-08-04
Applicant: ST MICROELECTRONICS SA
Inventor： GALY PHILIPPE , ENTRINGER CHRISTOPHE , DRAY ALEXANDRE
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