公开(公告)号：FR2985372A1

公开(公告)日：2013-07-05

申请号：FR1250062

申请日：2012-01-04

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： TROUSSIER GHISLAIN ,  GUITARD NICOLAS ,  DRAY ALEXANDRE ,  GALY PHILIPPE

IPC: H01L27/04 ,  H01L23/60

Abstract: Circuit électronique comportant un transistor MOS (100, 300), formé à partir d'une fraction (111, 311) de la couche mince (103) située sur la couche d'oxyde enfouie (102) d'un substrat de type FDSOI, ledit transistor (100, 300) comprenant une structure de grille (115, 116) reposant sur ladite couche mince (111, 311), et deux zone source (113, 313) et drain (112, 312) disposés de part et d'autre de ladite fraction (111, 311), comprenant également un dispositif complémentaire (150, 250, 350) connecté d'une part à ladite grille (116, 316) et d'autre part à la source (113, 313), ledit dispositif étant adapté pour être conducteur lorsque le potentiel de la source (113, 313) est supérieur au potentiel du drain (112, 312), et être non-conducteur lorsque le potentiel de la source (113, 313) est inférieur au potentiel du drain.

公开(公告)号：FR2911996A1

公开(公告)日：2008-08-01

申请号：FR0700688

申请日：2007-01-31

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： GALY PHILIPPE ,  MICHELI LAURENT ,  TROUSSIER GHISLAIN ,  RIEN MIKAEL ,  VENIANT JEAN FRANCOIS

IPC: H01L23/60 ,  G01R31/00

Abstract: On identifie des noeuds de circuit qui, en mode non alimenté, peuvent être chargés avec des charges positives ou négatives mais ne peuvent pas être déchargés. On ajoute alors des éléments de protection permettant la décharge de ces noeuds. Ces protections n'affectent pas le fonctionnement du circuit en mode alimenté. On traite la décharge des charges des deux polarités, positive et négative. Le circuit est ainsi plus résistant aux ESD, et passe les tests CDM ("Charged Device Model").

公开(公告)号：FR2987699A1

公开(公告)日：2013-09-06

申请号：FR1251884

申请日：2012-03-01

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： TROUSSIER GHISLAIN ,  GUITARD NICOLAS ,  GOLANSKI DOMINIQUE

IPC: H01L27/06 ,  H01L23/60

Abstract: Composant microélectronique, réalisé à partir d'un substrat de type silicium sur isolant totalement appauvri (FDSOI), comportant une couche d'oxyde (102) séparant deux couches de silicium, à savoir une couche mince (103) et une couche épaisse (101), comportant une première zone active (110), formée par une fraction (104) de la couche mince reliée à au moins deux zones de connexion distinctes (115, 116), et comportant une seconde zone active (150), formée par une fraction (120) de la couche épaisse (101), reliée à au moins deux zones de connexion distinctes (126, 124), ladite fraction (120) de la couche épaisse étant située à l'aplomb de ladite fraction (104) de la couche mince.