公开(公告)号：FR2975829A1

公开(公告)日：2012-11-30

申请号：FR1154600

申请日：2011-05-26

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： HIRIGOYEN FLAVIEN ,  MARTY MICHEL

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/71 ,  H04N5/345

Abstract: Dispositif imageur et procédé de fabrication correspondant, comprenant au moins deux pixels comprenant chacun une zone photosensible semi-conductrice et un résonateur optique disposé au dessus de la zone photosensible, chaque résonateur optique comprenant une première électrode (EI), une deuxième électrode (ES), et une région diélectrique (DIE) disposée entre les électrodes et, la région diélectrique d'au moins un résonateur a une épaisseur différente de la région diélectrique d'au moins un autre résonateur.

公开(公告)号：FR2969385A1

公开(公告)日：2012-06-22

申请号：FR1005005

申请日：2010-12-21

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 ,  ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： ROY FRANCOIS ,  HIRIGOYEN FLAVIEN ,  MICHELOT JULIEN

IPC: H01L27/146

Abstract: A method of fabricating an image sensor includes the steps of: forming at least two photosites in a semiconductor substrate; forming a trench between the photosites; forming a thin liner on at least the sidewalls of the trench; depositing a conductive material having a first refractive index in the trench; and forming a region surrounded by the conductive material and having a second refractive index lower than the first index of refraction within the conductive material in the trench.

公开(公告)号：FR2969384A1

公开(公告)日：2012-06-22

申请号：FR1005004

申请日：2010-12-21

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： HIRIGOYEN FLAVIEN ,  MICHELOT JULIEN

IPC: H01L27/146

Abstract: An image sensor having a semiconductor substrate, at least two photosites in the substrate and an isolation region between the photosites. The isolation region has a first trench covered by a thin electrically insulating liner and filled with an electrically conductive material, the conductive material has a second trench at least partially filled with an optically isolating material.

公开(公告)号：FR2974188A1

公开(公告)日：2012-10-19

申请号：FR1153347

申请日：2011-04-18

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： HIRIGOYEN FLAVIEN ,  CROCHERIE AXEL

IPC: G02B3/00 ,  H01L27/146 ,  H04N5/30

Abstract: L'invention concerne un dispositif élémentaire d'acquisition ou de restitution d'image, comprenant une structure de focalisation (42) à microlentilles, chaque microlentille étant conformée pour focaliser des rayons lumineux incidents vers un substrat (30) en échappant à des pistes et vias conducteurs intermédiaires (38).

公开(公告)号：FR2945666B1

公开(公告)日：2011-12-16

申请号：FR0953245

申请日：2009-05-15

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： VAILLANT JEROME ,  HIRIGOYEN FLAVIEN

IPC: H01L27/146 ,  H01L31/0232

公开(公告)号：FR2992096A1

公开(公告)日：2013-12-20

申请号：FR1255732

申请日：2012-06-19

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： MARTY MICHEL ,  HIRIGOYEN FLAVIEN ,  SEGURA PUCHADES JOSEP ,  WEHBE-ALAUSE HELENE ,  ROSSINI UMBERTO

IPC: H01L27/32

Abstract: L'invention concerne un panneau constitué d'une matrice de cellules (3) destiné à être utilisé dans un nano-projecteur , chaque cellule comprenant une couche de cristaux liquides (7) encadrée par des électrodes transparentes supérieure (35) et inférieure (33), un transistor MOS de commande (9) étant disposé au-dessus de l'électrode supérieure, chaque transistor étant recouvert d'au moins trois niveaux de métallisation (75, 76, 77). Le transistor de chaque cellule s'étend dans un coin de la cellule de façon que les transistors d'un ensemble de quatre cellules adjacentes soient disposés dans une région centrale dudit ensemble. Le niveau de métallisation supérieur (77) s'étend au-dessus des transistors de chaque ensemble de quatre cellules adjacentes. Le panneau comprend, pour chaque ensemble de quatre cellules adjacentes, un premier anneau conducteur (83) entourant les transistors, le premier anneau s'étendant du niveau de métallisation inférieur (75) jusqu'à l'électrode supérieure de chaque cellule avec interposition d'un matériau isolant (85).

公开(公告)号：FR2983641A1

公开(公告)日：2013-06-07

申请号：FR1161015

申请日：2011-12-01

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： HIRIGOYEN FLAVIEN

IPC: H01L27/146 ,  H01L31/0232

Abstract: L'invention concerne un capteur d'image recevant un signal lumineux (46) et comportant un substrat (30) d'un matériau semiconducteur dans lequel des charges sont susceptibles d'être générées par le signal lumineux et une couche isolante (40) recouvrant le substrat. Le capteur d'image comporte, en outre, une matrice de pixels (25), chaque pixel comprenant une zone de collecte (32) des charges disposée dans le substrat et au moins un dispositif de focalisation et de filtrage (50) du signal lumineux réalisé par des pistes conductrices (52) disposées dans la couche isolante au moins en partie en regard de la zone de charge selon des courbes concentriques choisies parmi des portions de spirales, des cercles, des ellipses ou des polygones réguliers d'ordre supérieur ou égal à 5.

公开(公告)号：FR2945666A1

公开(公告)日：2010-11-19

申请号：FR0953245

申请日：2009-05-15

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： VAILLANT JEROME ,  HIRIGOYEN FLAVIEN

IPC: H01L27/146 ,  H01L31/0232

Abstract: L'invention concerne un capteur d'images comprenant une matrice de pixels (111), dans lequel chaque pixel comprend, selon un empilement vertical : une zone centrale photosensible (117) ; un empilement d'interconnexions surmontant la périphérie de la zone photosensible et s'étendant vers le haut jusqu'à une première hauteur ; une couche de filtrage (115) surmontant la zone photosensible et s'étendant vers le haut à partir d'une hauteur inférieure à la première hauteur ; et une microlentille (113) surmontant en projection verticale la couche de filtrage, l'axe optique de cette microlentille étant tel que les rayons lumineux reçus par le pixel atteignent la zone photosensible, sensiblement en son centre.