公开(公告)号：FR2989518A1

公开(公告)日：2013-10-18

申请号：FR1253424

申请日：2012-04-13

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 ,  ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： ROY FRANCOIS ,  BROUSSOUS LUCILE ,  MICHELOT JULIEN ,  ODDOU JEAN-PIERRE

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/463

Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication d'un capteur d'image, comprenant les étapes successives suivantes : former des colonnes (38) en un matériau semiconducteur ; former un ou plusieurs pixels à une première extrémité de chacune des colonnes (38) ; et déformer la structure de telle sorte que les deuxièmes extrémités de chacune des colonnes se rapprochent ou s'écartent pour former une surface en forme de calotte polyédrique.

公开(公告)号：FR2974239A1

公开(公告)日：2012-10-19

申请号：FR1153179

申请日：2011-04-12

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 ,  ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： MARTY MICHEL ,  PRIMA JENS ,  ROY FRANCOIS

IPC: H01L27/146

Abstract: L'invention concerne un procédé de réalisation d'un capteur d'images (31) à éclairement par la face arrière à partir d'un substrat semiconducteur (33), ce procédé comportant les étapes suivantes : a) amincir le substrat par sa face arrière ; b) déposer, sur la face arrière du substrat aminci, une couche de silicium amorphe (44) de même type de conductivité que le substrat mais de niveau de dopage supérieur ; et c) recuire à une température permettant de recristalliser le silicium amorphe (44) pour le stabiliser.

公开(公告)号：FR2955205B1

公开(公告)日：2012-09-21

申请号：FR0959060

申请日：2009-12-16

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： MARTY MICHEL ,  DUTARTRE DIDIER ,  ROY FRANCOIS ,  BESSON PASCAL ,  PRIMA JENS

IPC: H01L27/14 ,  H01L21/20 ,  H01L21/302 ,  H01L21/768 ,  H01L21/77 ,  H01L23/48

公开(公告)号：FR2934926A1

公开(公告)日：2010-02-12

申请号：FR0855410

申请日：2008-08-05

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： ROY FRANCOIS ,  TOURNIER ARNAUD

IPC: H01L27/146

Abstract: L'invention concerne un capteur d'images comprenant au moins une photodiode (D) et au moins un transistor (M4) formés dans et sur un substrat de silicium (21), l'ensemble de la photodiode et du transistor étant entouré d'un mur d'isolement (23) fortement dopé, caractérisé en ce que le substrat de silicium a une orientation cristalline (110).

公开(公告)号：FR2995725A1

公开(公告)日：2014-03-21

申请号：FR1258768

申请日：2012-09-19

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： ROY FRANCOIS ,  HERAULT DIDIER

IPC: H01L27/146

Abstract: L'invention concerne un procédé de commande d'un pixel (100) comportant au moins une photodiode (101) reliée à un point de lecture (SENSE) par l'intermédiaire d'un transistor MOS (103), dans lequel une information représentative du potentiel du point de lecture (SENSE) est lue pendant une première période de fermeture du transistor.

公开(公告)号：FR2984607A1

公开(公告)日：2013-06-21

申请号：FR1161775

申请日：2011-12-16

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 ,  ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： ROY FRANCOIS ,  PLACE SEBASTIEN

IPC: H01L27/146

Abstract: L'invention concerne un capteur d'image comprenant une matrice de pixels (310), chaque pixel comprenant, dans un substrat (312) d'un matériau semiconducteur dopé d'un premier type de conductivité, une première région (318) dopée d'un second type de conductivité en surface du substrat ; une tranchée (314) isolante entourant la première région ; une deuxième région (322) dopée du premier type de conductivité, plus fortement dopée que le substrat, en surface du substrat et entourant la tranchée ; une troisième région (327), dopée du second type de conductivité, formant avec le substrat une jonction de photodiode, s'étendant en profondeur dans le substrat sous les première et deuxième régions et étant reliée à la première région ; et une quatrième région (328), plus faiblement dopée que les deuxième et troisième régions, interposée entre les deuxième et troisième régions et au contact de la première région et/ou de la troisième région.

公开(公告)号：FR2979484A1

公开(公告)日：2013-03-01

申请号：FR1157433

申请日：2011-08-22

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 ,  ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： ROY FRANCOIS ,  MICHELOT JULIEN

IPC: H01L27/146 ,  H01L31/0248

Abstract: Photosite comprenant, dans un substrat semi-conducteur, une photodiode confinée dans une direction orthogonale à la surface du substrat comportant une zone semi-conductrice de stockage de charges comprenant dans une région semi-conductrice supérieure ayant un premier type de conductivité (P) un caisson principal (Nw1) d'un second type de conductivité (N) opposé au premier et pincé selon une première direction (X) parallèle à la surface du substrat. La zone de stockage de charges comprend en outre des moyens semi-conducteurs enterrés sous et au contact du caisson principal (Nw1) ayant le second type de conductivité (N).

公开(公告)号：FR2955205A1

公开(公告)日：2011-07-15

申请号：FR0959060

申请日：2009-12-16

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： MARTY MICHEL ,  DUTARTRE DIDIER ,  ROY FRANCOIS ,  BESSON PASCAL ,  PRIMA JENS

IPC: H01L27/14 ,  H01L21/20 ,  H01L21/302 ,  H01L21/768 ,  H01L21/77 ,  H01L23/48

Abstract: Procédé de réalisation d'un dispositif microélectronique comprenant une réalisation d'un premier substrat (1) semiconducteur comportant une formation d'une première couche (5) et d'une deuxième couche (4) entre une première face (7) et une deuxième face (2) du substrat, une réalisation de premiers composants (10) et d'une partie d'interconnexion au niveau et au dessus de la deuxième face (2), un amincissement du substrat comprenant une première gravure sélective du premier substrat depuis la première face (7) avec arrêt sur la première couche (5) suivie d'une deuxième gravure sélective avec arrêt sur la deuxième couche (4).

公开(公告)号：FR2950504A1

公开(公告)日：2011-03-25

申请号：FR0956600

申请日：2009-09-24

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： BARBIER FREDERIC ,  ROY FRANCOIS

IPC: H04N5/335 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

Abstract: L'invention concerne un circuit de pixel d'un capteur d'image comprenant un noeud de détection (106) pour mémoriser une charge transférée à partir d'une ou plusieurs photodiodes (102) ; et un transistor à source suiveuse (210) dont la grille est couplée au noeud de détection et la source est couplée à une ligne de sortie (114) du circuit de pixel par l'intermédiaire d'un transistor de lecture (212), dans lequel le contact de caisson du transistor à source suiveuse est couplé à la ligne de sortie (114).

公开(公告)号：FR2988907A1

公开(公告)日：2013-10-04

申请号：FR1253034

申请日：2012-04-03

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 ,  ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： MICHELOT JULIEN ,  ROY FRANCOIS

IPC: H01L27/146

Abstract: L'invention concerne une cellule d'un capteur d'image, comprenant : une grille (3) s'étendant sur la surface d'un substrat semiconducteur (1) ; une zone de collecte de charges (9) d'un premier type de conductivité et un noeud de lecture (7) du premier type de conductivité ; une première région (23) d'un second type de conductivité s'étendant au moins en partie sous la grille, entre la zone de collecte de charges et le noeud de lecture ; et une seconde région (24) du premier type de conductivité s'étendant sous la grille depuis la surface du substrat jusqu'à la première région.