公开(公告)号：FR2969821A1

公开(公告)日：2012-06-29

申请号：FR1061198

申请日：2010-12-23

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： ROY FRANCOIS ,  MICHELOT JULIEN

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/335

Abstract: Dispositif d'imagerie formé dans un substrat (8) semi-conducteur comprenant un réseau matriciel de photosites, chaque photosite comportant une zone semi-conductrice de stockage de charges (90), une zone semi-conductrice de lecture de charges (3) propre audit photosite, et des moyens de transfert de charges configurés pour autoriser un transfert de charges entre la zone de stockage de charges (90) et la zone de lecture de charges (3). Chaque photosite comprend au moins une première électrode (2) enterrée dont au moins une partie délimite au moins une partie de ladite zone de stockage de charges (90), et les moyens de transfert de charges de chaque photosite comprennent au moins deuxième une électrode enterrée (4).

公开(公告)号：FR2989518A1

公开(公告)日：2013-10-18

申请号：FR1253424

申请日：2012-04-13

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 ,  ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： ROY FRANCOIS ,  BROUSSOUS LUCILE ,  MICHELOT JULIEN ,  ODDOU JEAN-PIERRE

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/463

Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication d'un capteur d'image, comprenant les étapes successives suivantes : former des colonnes (38) en un matériau semiconducteur ; former un ou plusieurs pixels à une première extrémité de chacune des colonnes (38) ; et déformer la structure de telle sorte que les deuxièmes extrémités de chacune des colonnes se rapprochent ou s'écartent pour former une surface en forme de calotte polyédrique.

公开(公告)号：FR2979484A1

公开(公告)日：2013-03-01

申请号：FR1157433

申请日：2011-08-22

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 ,  ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： ROY FRANCOIS ,  MICHELOT JULIEN

IPC: H01L27/146 ,  H01L31/0248

Abstract: Photosite comprenant, dans un substrat semi-conducteur, une photodiode confinée dans une direction orthogonale à la surface du substrat comportant une zone semi-conductrice de stockage de charges comprenant dans une région semi-conductrice supérieure ayant un premier type de conductivité (P) un caisson principal (Nw1) d'un second type de conductivité (N) opposé au premier et pincé selon une première direction (X) parallèle à la surface du substrat. La zone de stockage de charges comprend en outre des moyens semi-conducteurs enterrés sous et au contact du caisson principal (Nw1) ayant le second type de conductivité (N).

公开(公告)号：FR2988907A1

公开(公告)日：2013-10-04

申请号：FR1253034

申请日：2012-04-03

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 ,  ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： MICHELOT JULIEN ,  ROY FRANCOIS

IPC: H01L27/146

Abstract: L'invention concerne une cellule d'un capteur d'image, comprenant : une grille (3) s'étendant sur la surface d'un substrat semiconducteur (1) ; une zone de collecte de charges (9) d'un premier type de conductivité et un noeud de lecture (7) du premier type de conductivité ; une première région (23) d'un second type de conductivité s'étendant au moins en partie sous la grille, entre la zone de collecte de charges et le noeud de lecture ; et une seconde région (24) du premier type de conductivité s'étendant sous la grille depuis la surface du substrat jusqu'à la première région.

公开(公告)号：FR2971887B1

公开(公告)日：2013-02-22

申请号：FR1151318

申请日：2011-02-17

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： MICHELOT JULIEN ,  ROY FRANCOIS ,  LALANNE FREDERIC

IPC: H01L27/146

公开(公告)号：FR2969385A1

公开(公告)日：2012-06-22

申请号：FR1005005

申请日：2010-12-21

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 ,  ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： ROY FRANCOIS ,  HIRIGOYEN FLAVIEN ,  MICHELOT JULIEN

IPC: H01L27/146

Abstract: A method of fabricating an image sensor includes the steps of: forming at least two photosites in a semiconductor substrate; forming a trench between the photosites; forming a thin liner on at least the sidewalls of the trench; depositing a conductive material having a first refractive index in the trench; and forming a region surrounded by the conductive material and having a second refractive index lower than the first index of refraction within the conductive material in the trench.

公开(公告)号：FR2971887A1

公开(公告)日：2012-08-24

申请号：FR1151318

申请日：2011-02-17

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： MICHELOT JULIEN ,  ROY FRANCOIS ,  LALANNE FREDERIC

IPC: H01L27/146

Abstract: Photosite comprenant dans un substrat (10) semi-conducteur une photodiode (20) pincée dans la direction de la profondeur du substrat (10) comportant une zone de stockage de charges (30), et un transistor de transfert de charges (TG) apte à transférer les charges stockées. La zone de stockage de charge (30) comprend au moins un pincement selon une première direction passant par le transistor de transfert de charges (TG) définissant au moins une zone d'étranglement (90) adjacente au transistor de transfert de charges (TG).

公开(公告)号：FR2969384A1

公开(公告)日：2012-06-22

申请号：FR1005004

申请日：2010-12-21

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： HIRIGOYEN FLAVIEN ,  MICHELOT JULIEN

IPC: H01L27/146

Abstract: An image sensor having a semiconductor substrate, at least two photosites in the substrate and an isolation region between the photosites. The isolation region has a first trench covered by a thin electrically insulating liner and filled with an electrically conductive material, the conductive material has a second trench at least partially filled with an optically isolating material.