公开(公告)号：FR2934926A1

公开(公告)日：2010-02-12

申请号：FR0855410

申请日：2008-08-05

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： ROY FRANCOIS ,  TOURNIER ARNAUD

IPC: H01L27/146

Abstract: L'invention concerne un capteur d'images comprenant au moins une photodiode (D) et au moins un transistor (M4) formés dans et sur un substrat de silicium (21), l'ensemble de la photodiode et du transistor étant entouré d'un mur d'isolement (23) fortement dopé, caractérisé en ce que le substrat de silicium a une orientation cristalline (110).

公开(公告)号：FR2934926B1

公开(公告)日：2011-01-21

申请号：FR0855410

申请日：2008-08-05

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： ROY FRANCOIS ,  TOURNIER ARNAUD

IPC: H01L27/146

公开(公告)号：FR3094571B1

公开(公告)日：2022-04-29

申请号：FR1903194

申请日：2019-03-27

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： TOURNIER ARNAUD ,  RODRIGUES GONCALVES BORIS ,  ROY FRANCOIS

IPC: H01L31/103 ,  H01L27/146

Abstract: Dispositif électronique à photodiode La présente description concerne un dispositif électronique (100) comprenant une photodiode (102), la photodiode comprenant une région (208) reliée à un noeud d'application d'une première tension, la région étant partiellement entourée par au moins un mur semiconducteur (210a, 210b) s'étendant sur au moins la hauteur de la photodiode (102). Figure pour l'abrégé : Fig. 2

公开(公告)号：FR2978612B1

公开(公告)日：2013-08-16

申请号：FR1156861

申请日：2011-07-27

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： FAVENNEC LAURENT ,  TOURNIER ARNAUD ,  ROY FRANCOIS

IPC: H01L21/762 ,  H01L27/146

公开(公告)号：FR2984594A1

公开(公告)日：2013-06-21

申请号：FR1162070

申请日：2011-12-20

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： TOURNIER ARNAUD ,  LEVERD FRANCOIS

IPC: H01L21/302

Abstract: Un procédé de réalisation d'une tranchée (36, 40) dans un substrat semi-conducteur (32), comprenant le dépôt sur le substrat (32) d'un masque de gravure (30) ayant une ouverture d'accès (34) à celui-ci, la gravure ionique de ladite tranchée (36, 40) au travers de ladite ouverture (34), et le dopage des parois (44) de la tranchée (36, 40). La gravure ionique comporte une première phase dont la puissance de gravure est réglée pour graver le substrat (32) sous le masque de gravure (30), et une seconde phase de puissance de gravure inférieure à la puissance de la première phase. En outre, le dopage des parois (44) de la tranchée (36, 40) est appliqué au travers de l'ouverture du masque de gravure.

公开(公告)号：FR3105581B1

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：FR1914885

申请日：2019-12-19

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： TOURNIER ARNAUD ,  RODRIGUES GONCALVES BORIS ,  LALANNE FREDERIC

Abstract: Photodiode comprenant une zone mémoire La présente description concerne une photodiode comprenant au moins une zone mémoire (104), chaque zone mémoire comprenant au moins deux régions de stockage (106), les régions de stockage de charges étant reliées par des première (116) et deuxième (281) ouvertures. Figure pour l'abrégé : Fig. 9

公开(公告)号：FR3094571A1

公开(公告)日：2020-10-02

申请号：FR1903194

申请日：2019-03-27

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： TOURNIER ARNAUD ,  RODRIGUES GONCALVES BORIS ,  ROY FRANCOIS

IPC: H01L31/103 ,  H01L27/146

Abstract: Dispositif électronique à photodiode La présente description concerne un dispositif électronique (100) comprenant une photodiode (102), la photodiode comprenant une région (208) reliée à un noeud d'application d'une première tension, la région étant partiellement entourée par au moins un mur semiconducteur (210a, 210b) s'étendant sur au moins la hauteur de la photodiode (102). Figure pour l'abrégé : Fig. 2

公开(公告)号：FR2979478A1

公开(公告)日：2013-03-01

申请号：FR1157707

申请日：2011-08-31

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： FAVENNEC LAURENT ,  TOURNIER ARNAUD ,  LEVERD FRANCOIS

IPC: H01L21/3065

Abstract: Un procédé de réalisation d'une tranchée profonde dans un substrat comprend une succession de cycles élémentaires de gravure gravant chacun une portion de la tranchée. Chaque cycle élémentaire comprend : ▪ un dépôt d'une couche de passivation sur les parois internes de la portion de tranchée gravée lors de cycles précédents ; ▪ une gravure ionique anisotrope au plasma pulsé de la portion de tranchée gravée lors des cycles précédents, ladite gravure : o étant réalisée dans une atmosphère comprenant une espèce passivante ; et o comprenant au moins une première séquence de gravure suivie d'une deuxième séquence de gravure de puissance inférieure à puissance de la première séquence de gravure.

公开(公告)号：FR3105581A1

公开(公告)日：2021-06-25

申请号：FR1914885

申请日：2019-12-19

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： TOURNIER ARNAUD ,  RODRIGUES GONCALVES BORIS ,  LALANNE FREDERIC

IPC: H01L31/02 ,  H01L31/18

Abstract: Photodiode comprenant une zone mémoire La présente description concerne une photodiode comprenant au moins une zone mémoire (104), chaque zone mémoire comprenant au moins deux régions de stockage (106), les régions de stockage de charges étant reliées par des première (116) et deuxième (281) ouvertures. Figure pour l'abrégé : Fig. 9

公开(公告)号：FR2978612A1

公开(公告)日：2013-02-01

申请号：FR1156861

申请日：2011-07-27

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： FAVENNEC LAURENT ,  TOURNIER ARNAUD ,  ROY FRANCOIS

IPC: H01L21/762 ,  H01L27/146

Abstract: Structure comprenant au moins une tranchée d'isolation (20) de type profonde dans un substrat (1), ladite tranchée étant en périphérie d'au moins une zone active du substrat formant un pixel, la tranchée d'isolation (20) comprenant une cavité (2) remplie d'un matériau diélectrique, les parois internes de la cavité (2) étant recouvertes d'une couche (3) à base d'un matériau dopé bore.